2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer, 6H- oder 4H-N-Typ- oder halbisolierende SiC-Substrate
Empfohlene Produkte
4H SiC-Wafer N-Typ
Durchmesser: 2 Zoll (50,8 mm) | 4 Zoll (100 mm) | 6 Zoll (150 mm)
Ausrichtung: 4,0° außerhalb der Achse in Richtung <1120> ± 0,5°
Spezifischer Widerstand: < 0,1 Ω·cm
Rauheit: Si-Seite CMP Ra <0,5 nm, C-Seite optische Politur Ra <1 nm
4H SiC-Wafer, halbisolierend
Durchmesser: 2 Zoll (50,8 mm) | 4 Zoll (100 mm) | 6 Zoll (150 mm)
Orientierung: auf der Achse {0001} ± 0,25˚
Spezifischer Widerstand: >1E5 Ω·cm
Rauheit: Si-Seite CMP Ra <0,5 nm, C-Seite optische Politur Ra <1 nm
1. 5G-Infrastruktur – Stromversorgung für die Kommunikation
Die Stromversorgung für Kommunikationssysteme bildet die Energiegrundlage für die Kommunikation zwischen Server und Basisstation. Sie versorgt verschiedene Übertragungsgeräte mit elektrischer Energie, um den reibungslosen Betrieb des Kommunikationssystems zu gewährleisten.
2. Ladesäule für Fahrzeuge mit alternativen Antrieben – Leistungsmodul der Ladesäule
Durch den Einsatz von Siliziumkarbid im Ladesäulen-Leistungsmodul lassen sich ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Leistung erzielen, wodurch die Ladegeschwindigkeit verbessert und die Ladekosten gesenkt werden.
3. Großes Rechenzentrum, Industrielles Internet – Server-Stromversorgung
Das Servernetzteil ist die Energiequelle des Servers. Es versorgt den Server mit Strom, um dessen reibungslosen Betrieb zu gewährleisten. Der Einsatz von Siliziumkarbid-Leistungskomponenten im Servernetzteil verbessert die Leistungsdichte und Effizienz, reduziert das Volumen des Rechenzentrums insgesamt, senkt die Baukosten und trägt zu einer höheren Umweltverträglichkeit bei.
4. Uhv - Anwendung flexibler Gleichstrom-Leistungsschalter
5. Intercity-Hochgeschwindigkeitszüge und Intercity-Schienenverkehr – Traktionsumrichter, Leistungstransformatoren, Hilfsumrichter, Hilfsstromversorgungen
Spezifikation
Detailliertes Diagramm




