Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer (SiC)-Wafer-Vierstufen-Automatisierungslinie (Integrierte Nachbearbeitungslinie)

Automatisierte Vier-Stufen-Polieranlage für Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer (integrierte Nachbearbeitungslinie) – Abbildung

Kurzbeschreibung:

Diese vierstufige, gekoppelte Polierautomatisierungslinie ist eine integrierte Inline-Lösung, die für Folgendes entwickelt wurde:Nachpolieren / NachCMPOperationen vonSiliziumUndSiliciumcarbid (SiC)Wafer. Hergestellt umKeramische Träger (Keramikplatten)Das System kombiniert mehrere nachgelagerte Arbeitsschritte zu einer koordinierten Linie – und hilft so den Fabriken, manuelle Eingriffe zu reduzieren, die Taktzeit zu stabilisieren und die Kontaminationskontrolle zu verbessern.

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Merkmale

Detailliertes Diagramm

Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer (SiC)-Wafer-Vierstufen-Automatisierungslinie (Integrierte Nachbearbeitungslinie)4

Überblick

In der Halbleiterfertigungeffektive Nachreinigung nach dem CMP-Prozessgilt weithin als wichtiger Schritt zur Reduzierung von Fehlern vor dem nächsten Prozessschritt, und fortgeschrittene Ansätze (einschließlichMegaschallreinigung) werden häufig zur Verbesserung der Partikelentfernungsleistung diskutiert.

Insbesondere für SiC gilt dieshohe Härte und chemische InertheitDas Polieren wird dadurch erschwert (oft verbunden mit einer geringen Materialabtragsrate und einem höheren Risiko von Oberflächen-/Unterflächenschäden), weshalb eine stabile Nachbearbeitungsautomatisierung und eine kontrollierte Reinigung/Handhabung besonders wertvoll sind.

Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer (SiC)-Wafer-Vierstufen-Automatisierungslinie (Integrierte Nachbearbeitungslinie)5

Silizium-/Siliziumkarbid-Wafer-Vierstufen-Automatisierungslinie (Integrierte Nachbearbeitungslinie)2

Wichtigste Vorteile

Eine einzige integrierte Produktlinie, die Folgendes unterstützt:

Wafer-Trennung und -Sammlung(nach dem Polieren)
Keramische Trägerpufferung / Speicherung
Reinigung von Keramikträgern
Wafermontage (Aufkleben) auf Keramikträger
Konsolidierter, einzeiliger Betrieb für6–8 Zoll große Waffeln

Technische Spezifikationen (aus dem mitgelieferten Datenblatt)

Geräteabmessungen (L×B×H):13643 × 5030 × 2300 mm
Stromversorgung:Wechselstrom 380 V, 50 Hz
Gesamtleistung:119 kW
Sauberkeit bei der Montage:0,5 μm < 50 Stück; 5 μm < 1 Stück
Montageebenheit:≤ 2 μm

Durchsatzreferenz (aus dem mitgelieferten Datenblatt)

Geräteabmessungen (L×B×H):13643 × 5030 × 2300 mm
Stromversorgung:Wechselstrom 380 V, 50 Hz
Gesamtleistung:119 kW
Sauberkeit bei der Montage:0,5 μm < 50 Stück; 5 μm < 1 Stück
Montageebenheit:≤ 2 μm

Typischer Linienablauf

Zuführung / Schnittstelle vom vorgelagerten Polierbereich
Wafer-Trennung und -Sammlung
Keramische Trägerpufferung/Speicherung (Takt-Zeit-Entkopplung)
Reinigung von Keramikträgern
Wafermontage auf Träger (mit Reinheits- und Planheitskontrolle)
Weiterleitung an nachgelagerte Prozesse oder Logistik

Häufig gestellte Fragen

Frage 1: Welche Probleme löst diese Produktlinie in erster Linie?
A: Es optimiert die Nachbearbeitungsprozesse nach dem Polieren, indem es die Wafer-Trennung/Sammlung, die Pufferung der Keramikträger, die Trägerreinigung und die Wafer-Montage in eine koordinierte Automatisierungslinie integriert – wodurch manuelle Eingriffe reduziert und der Produktionsrhythmus stabilisiert werden.

Frage 2: Welche Wafermaterialien und -größen werden unterstützt?
A:Silizium und SiC,6–8 ZollWafer (gemäß der bereitgestellten Spezifikation).

Frage 3: Warum wird in der Industrie so viel Wert auf die Reinigung nach dem CMP-Prozess gelegt?
A: In der Fachliteratur wird hervorgehoben, dass die Nachfrage nach einer effektiven Nachreinigung nach dem CMP-Prozess gestiegen ist, um die Defektdichte vor dem nächsten Schritt zu reduzieren; häufig werden Verfahren auf Megaschallbasis untersucht, um die Partikelentfernung zu verbessern.

Über uns

XKH ist spezialisiert auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Spezialglas und neuen Kristallmaterialien. Unsere Produkte finden Anwendung in der Optoelektronik, der Unterhaltungselektronik und im Militärbereich. Wir bieten optische Saphirkomponenten, Objektivabdeckungen für Mobiltelefone, Keramik, LT, Siliziumkarbid (SiC), Quarz und Halbleiterkristallwafer an. Dank unserer Expertise und modernster Ausrüstung zeichnen wir uns durch die Fertigung von Sonderanfertigungen aus und streben die Position eines führenden Hightech-Unternehmens für optoelektronische Materialien an.