Siliziumkarbid (SiC)-Einkristallsubstrat – 10×10mm Wafer

Kurzbeschreibung:

Der 10×10 mm große Siliziumkarbid-Einkristall-Substratwafer (SiC) ist ein Hochleistungshalbleitermaterial, das für die Leistungselektronik und Optoelektronik der nächsten Generation entwickelt wurde. Dank seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, der großen Bandlücke und der hervorragenden chemischen Stabilität bilden SiC-Substrate die Grundlage für Bauelemente, die unter hohen Temperaturen, hohen Frequenzen und hohen Spannungen effizient arbeiten. Diese Substrate werden präzisionsgeschnitten und eignen sich ideal für Forschung, Prototyping und die Bauelementefertigung.

Senden Sie uns eine E-Mail.

Merkmale

Detailliertes Diagramm eines Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafers

Übersicht über Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafer

Der10×10mm Siliziumkarbid (SiC)-Einkristall-SubstratwaferSiliziumkarbid (SiC) ist ein Hochleistungshalbleitermaterial, das für die Leistungselektronik und Optoelektronik der nächsten Generation entwickelt wurde. Dank seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, der großen Bandlücke und der hervorragenden chemischen Stabilität bildet SiC-Substratwafer die Grundlage für Bauelemente, die unter hohen Temperaturen, hohen Frequenzen und hohen Spannungen effizient arbeiten. Diese Substrate werden präzisionsgeschnitten.10×10mm quadratische ChipsIdeal für Forschung, Prototyping und Geräteherstellung.

Herstellungsprinzip von Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafern

Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafer werden mittels physikalischer Dampftransportabscheidung (PVT) oder Sublimationsabscheidung hergestellt. Der Prozess beginnt mit hochreinem SiC-Pulver, das in einen Graphittiegel gefüllt wird. Unter extremen Temperaturen von über 2000 °C und in einer kontrollierten Umgebung sublimiert das Pulver und lagert sich auf einem sorgfältig ausgerichteten Impfkristall ab. So entsteht ein großer, fehlerfreier Einkristallblock.

Sobald der SiC-Boule gezüchtet ist, durchläuft er folgende Prozesse:

Ingot-Slicing: Präzisions-Diamantdrahtsägen schneiden den SiC-Ingot in Wafer oder Chips.

Läppen und Schleifen: Die Oberflächen werden geglättet, um Sägespuren zu entfernen und eine gleichmäßige Dicke zu erzielen.

Chemisch-mechanisches Polieren (CMP): Erzielt eine für Epitaxie geeignete Spiegeloberfläche mit extrem geringer Oberflächenrauheit.

Optionale Dotierung: Durch Dotierung mit Stickstoff, Aluminium oder Bor können die elektrischen Eigenschaften (n-Typ oder p-Typ) angepasst werden.

Qualitätsprüfung: Fortschrittliche Messtechnik gewährleistet, dass die Ebenheit, Dickengleichmäßigkeit und Defektdichte der Wafer den strengen Anforderungen an Halbleiterqualität entsprechen.

Dieses mehrstufige Verfahren führt zu robusten 10×10mm Siliziumkarbid (SiC)-Substratwaferchips, die für das epitaktische Wachstum oder die direkte Bauelementfertigung bereit sind.

Materialeigenschaften von Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafern

Die Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafer bestehen hauptsächlich aus4H-SiC or 6H-SiCPolytypen:

4H-SiC:Es zeichnet sich durch eine hohe Elektronenbeweglichkeit aus und ist daher ideal für Leistungshalbleiter wie MOSFETs und Schottky-Dioden geeignet.
6H-SiC:Bietet einzigartige Eigenschaften für HF- und optoelektronische Bauteile.

Wichtigste physikalische Eigenschaften von Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafern:

Breiter Bandabstand:~3,26 eV (4H-SiC) – ermöglicht eine hohe Durchbruchspannung und geringe Schaltverluste.
Wärmeleitfähigkeit:3–4,9 W/cm·K – leitet Wärme effektiv ab und gewährleistet so die Stabilität in Hochleistungssystemen.
Härte:~9,2 auf der Mohs-Skala – gewährleistet mechanische Belastbarkeit während der Verarbeitung und des Gerätebetriebs.

Anwendungen von Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafern

Die Vielseitigkeit von Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafern macht sie in zahlreichen Branchen wertvoll:

Leistungselektronik: Grundlage für MOSFETs, IGBTs und Schottky-Dioden, die in Elektrofahrzeugen (EVs), industriellen Stromversorgungen und Wechselrichtern für erneuerbare Energien eingesetzt werden.

HF- und Mikrowellengeräte: Unterstützt Transistoren, Verstärker und Radarkomponenten für 5G-, Satelliten- und Verteidigungsanwendungen.

Optoelektronik: Wird in UV-LEDs, Fotodetektoren und Laserdioden eingesetzt, wo hohe UV-Transparenz und Stabilität von entscheidender Bedeutung sind.

Luft- und Raumfahrt & Verteidigung: Zuverlässiges Substrat für hochtemperaturbeständige, strahlungsresistente Elektronik.

Forschungseinrichtungen & Universitäten: Ideal für Materialwissenschaftsstudien, Prototypenentwicklung und das Testen neuer Epitaxieverfahren.

Spezifikationen für Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafer-Chips

Eigentum	Wert
Größe	Quadrat 10 mm × 10 mm
Dicke	330–500 μm (anpassbar)
Polytyp	4H-SiC oder 6H-SiC
Orientierung	C-Ebene, außerhalb der Achse (0°/4°)
Oberflächenbeschaffenheit	Einseitig oder beidseitig poliert; Epi-fähig erhältlich
Dopingoptionen	N-Typ oder P-Typ
Grad	Forschungsqualität oder Gerätequalität

Häufig gestellte Fragen zu Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafern

Frage 1: Was macht Siliziumkarbid (SiC)-Substratwafer herkömmlichen Siliziumwafern überlegen?
SiC bietet eine 10-fach höhere Durchbruchfeldstärke, eine überlegene Hitzebeständigkeit und geringere Schaltverluste und ist daher ideal für hocheffiziente Hochleistungsbauelemente, die mit Silizium nicht realisierbar sind.

Frage 2: Kann der 10×10 mm große Siliziumkarbid-(SiC)-Substratwafer mit Epitaxieschichten geliefert werden?
Ja. Wir bieten epitaxiefertige Substrate an und können Wafer mit kundenspezifischen Epitaxieschichten liefern, um spezifische Anforderungen an die Herstellung von Leistungshalbleitern oder LEDs zu erfüllen.

Frage 3: Sind Sondergrößen und individuelle Dopingstufen erhältlich?
Absolut. Während 10×10 mm große Chips Standard für Forschungszwecke und die Mustererstellung von Bauelementen sind, sind auf Anfrage auch kundenspezifische Abmessungen, Dicken und Dotierungsprofile erhältlich.

Frage 4: Wie beständig sind diese Wafer unter extremen Umgebungsbedingungen?
SiC behält seine strukturelle Integrität und elektrische Leistungsfähigkeit auch bei Temperaturen über 600°C und unter hoher Strahlung bei und ist daher ideal für Elektronik in der Luft- und Raumfahrt sowie im militärischen Bereich geeignet.

Über uns

XKH ist spezialisiert auf die Entwicklung, Produktion und den Vertrieb von Spezialglas und neuen Kristallmaterialien. Unsere Produkte finden Anwendung in der Optoelektronik, der Unterhaltungselektronik und im Militärbereich. Wir bieten optische Saphirkomponenten, Objektivabdeckungen für Mobiltelefone, Keramik, LT, Siliziumkarbid (SiC), Quarz und Halbleiterkristallwafer an. Dank unserer Expertise und modernster Ausrüstung zeichnen wir uns durch die Fertigung von Sonderanfertigungen aus und streben die Position eines führenden Hightech-Unternehmens für optoelektronische Materialien an.