Siliziumkarbid-SiC-Ingot 6 Zoll N-Typ Dummy/Prime-Grade-Dicke kann individuell angepasst werden
Eigenschaften
Qualität: Produktionsqualität (Dummy/Prime)
Größe: 6 Zoll Durchmesser
Durchmesser: 150,25 mm ± 0,25 mm
Dicke: >10 mm (individuelle Dicke auf Anfrage erhältlich)
Oberflächenausrichtung: 4° in Richtung <11-20> ± 0,2°, was eine hohe Kristallqualität und genaue Ausrichtung für die Geräteherstellung gewährleistet.
Primäre flache Ausrichtung: <1-100> ± 5°, ein Schlüsselmerkmal für das effiziente Schneiden des Barrens in Wafer und für optimales Kristallwachstum.
Primäre flache Länge: 47,5 mm ± 1,5 mm, für einfache Handhabung und präzises Schneiden konzipiert.
Spezifischer Widerstand: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal für Anwendungen in hocheffizienten Leistungsgeräten.
Mikrorohrdichte: <0,5, wodurch minimale Defekte sichergestellt werden, die die Leistung der hergestellten Geräte beeinträchtigen könnten.
BPD (Bor-Pitting-Dichte): <2000, ein niedriger Wert, der auf eine hohe Kristallreinheit und geringe Defektdichte hinweist.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, wodurch eine hervorragende Materialintegrität für Hochleistungsgeräte gewährleistet wird.
Polytypbereiche: Keine – der Barren ist frei von Polytypdefekten und bietet eine überlegene Materialqualität für High-End-Anwendungen.
Kanteneinkerbungen: <3, mit einer Breite und Tiefe von 1 mm, wodurch minimale Oberflächenschäden gewährleistet und die Integrität des Ingots für effizientes Waferschneiden gewahrt wird.
Kantenrisse: 3, jeweils <1 mm, mit geringem Auftreten von Kantenschäden, was eine sichere Handhabung und Weiterverarbeitung gewährleistet.
Verpackung: Wafergehäuse – der SiC-Ingot ist sicher in einem Wafergehäuse verpackt, um einen sicheren Transport und eine sichere Handhabung zu gewährleisten.
Anwendungen
Leistungselektronik:Der 6-Zoll-SiC-Block wird häufig zur Herstellung von Leistungselektronikbauelementen wie MOSFETs, IGBTs und Dioden verwendet, die wichtige Komponenten in Stromumwandlungssystemen sind. Diese Bauelemente werden häufig in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge (EV), industriellen Motorantrieben, Stromversorgungen und Energiespeichersystemen eingesetzt. Die Fähigkeit von SiC, bei hohen Spannungen, hohen Frequenzen und extremen Temperaturen zu arbeiten, macht es ideal für Anwendungen, bei denen herkömmliche Siliziumbauelemente (Si) an ihre Effizienz stoßen.
Elektrofahrzeuge (EVs):In Elektrofahrzeugen sind SiC-basierte Komponenten für die Entwicklung von Leistungsmodulen in Wechselrichtern, DC-DC-Wandlern und Bordladegeräten von entscheidender Bedeutung. Die überlegene Wärmeleitfähigkeit von SiC ermöglicht eine geringere Wärmeentwicklung und eine höhere Effizienz bei der Leistungsumwandlung, was für die Verbesserung der Leistung und Reichweite von Elektrofahrzeugen von entscheidender Bedeutung ist. Darüber hinaus ermöglichen SiC-Bauelemente kleinere, leichtere und zuverlässigere Komponenten und tragen so zur Gesamtleistung von Elektrofahrzeugsystemen bei.
Erneuerbare Energiesysteme:SiC-Ingots sind ein wichtiges Material für die Entwicklung von Energieumwandlungsgeräten für erneuerbare Energiesysteme, darunter Solarwechselrichter, Windturbinen und Energiespeicherlösungen. Die hohe Belastbarkeit und das effiziente Wärmemanagement von SiC ermöglichen eine höhere Energieumwandlungseffizienz und verbesserte Zuverlässigkeit dieser Systeme. Der Einsatz von SiC im Bereich erneuerbarer Energien trägt dazu bei, die weltweiten Bemühungen um nachhaltige Energieversorgung voranzutreiben.
Telekommunikation:Der 6-Zoll-SiC-Block eignet sich auch zur Herstellung von Komponenten für Hochleistungs-HF-Anwendungen (Radiofrequenz). Dazu gehören Verstärker, Oszillatoren und Filter für Telekommunikations- und Satellitenkommunikationssysteme. Die Fähigkeit von SiC, hohe Frequenzen und hohe Leistungen zu verarbeiten, macht es zu einem hervorragenden Material für Telekommunikationsgeräte, die eine robuste Leistung und minimalen Signalverlust erfordern.
Luft- und Raumfahrt und Verteidigung:Die hohe Durchschlagsspannung und Temperaturbeständigkeit von SiC machen es ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich. Komponenten aus SiC-Ingots werden in Radarsystemen, der Satellitenkommunikation und der Leistungselektronik für Flugzeuge und Raumfahrzeuge eingesetzt. SiC-basierte Materialien ermöglichen die Leistungsfähigkeit von Luft- und Raumfahrtsystemen unter den extremen Bedingungen im Weltraum und in großen Höhen.
Industrielle Automatisierung:In der industriellen Automatisierung werden SiC-Komponenten in Sensoren, Aktoren und Steuerungssystemen eingesetzt, die unter rauen Bedingungen funktionieren müssen. SiC-basierte Bauelemente werden in Maschinen eingesetzt, die effiziente, langlebige Komponenten benötigen, die hohen Temperaturen und elektrischen Belastungen standhalten.
Produktspezifikationstabelle
Eigentum | Spezifikation |
Grad | Produktion (Dummy/Prime) |
Größe | 6 Zoll |
Durchmesser | 150,25 mm ± 0,25 mm |
Dicke | >10 mm (anpassbar) |
Oberflächenorientierung | 4° in Richtung <11-20> ± 0,2° |
Primäre flache Ausrichtung | <1-100> ± 5° |
Primäre flache Länge | 47,5 mm ± 1,5 mm |
Spezifischer Widerstand | 0,015–0,0285 Ω·cm |
Mikrorohrdichte | <0,5 |
Borkorndichte (BPD) | <2000 |
Gewindeschneidschrauben-Versetzungsdichte (TSD) | <500 |
Polytypbereiche | Keiner |
Kanteneinzüge | <3, 1mm Breite und Tiefe |
Kantenrisse | 3, <1 mm/Stück |
Verpackung | Waffelhülle |
Abschluss
Der 6-Zoll-SiC-Ingot – N-Typ Dummy/Prime-Qualität – ist ein Premiummaterial, das die hohen Anforderungen der Halbleiterindustrie erfüllt. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit, sein außergewöhnlicher Widerstand und seine geringe Defektdichte machen ihn zu einer hervorragenden Wahl für die Herstellung fortschrittlicher Leistungselektronik, Automobilkomponenten, Telekommunikationssystemen und erneuerbarer Energiesysteme. Die anpassbare Dicke und Präzisionsspezifikationen gewährleisten, dass dieser SiC-Ingot für ein breites Anwendungsspektrum maßgeschneidert werden kann und hohe Leistung und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet. Für weitere Informationen oder Bestellungen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam.
Detailliertes Diagramm



