Siliziumkarbid-SiC-Barren 6 Zoll N Typ Dummy/Prime-Stärke kann individuell angepasst werden

Siliziumkarbid-SiC-Barren, 6 Zoll N-Typ, Dummy-/Prime-Dicke, kann individuell angepasst werden. Empfohlenes Bild

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das aufgrund seiner überlegenen elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften in einer Reihe von Branchen zunehmend an Bedeutung gewinnt. Der SiC-Ingot in der 6-Zoll-N-Typ-Dummy/Prime-Qualität wurde speziell für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiterbauelemente, einschließlich Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen, entwickelt. Mit anpassbaren Dickenoptionen und präzisen Spezifikationen bietet dieser SiC-Ingot eine ideale Lösung für die Entwicklung von Geräten, die in Elektrofahrzeugen, industriellen Stromversorgungssystemen, Telekommunikation und anderen Hochleistungssektoren verwendet werden. Die Robustheit von SiC unter Hochspannungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzbedingungen gewährleistet eine langlebige, effiziente und zuverlässige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen.
Der SiC-Ingot ist in einer Größe von 6 Zoll mit einem Durchmesser von 150,25 mm ± 0,25 mm und einer Dicke von mehr als 10 mm erhältlich und eignet sich daher ideal zum Schneiden von Wafern. Dieses Produkt bietet eine genau definierte Oberflächenausrichtung von 4° in Richtung <11-20> ± 0,2° und gewährleistet so eine hohe Präzision bei der Geräteherstellung. Darüber hinaus weist der Barren eine primäre flache Ausrichtung von <1-100> ± 5° auf, was zu einer optimalen Kristallausrichtung und Verarbeitungsleistung beiträgt.
Mit einem hohen spezifischen Widerstand im Bereich von 0,015–0,0285 Ω·cm, einer geringen Mikroröhrendichte von <0,5 und einer hervorragenden Kantenqualität eignet sich dieser SiC-Ingot für die Herstellung von Leistungsgeräten, die minimale Defekte und hohe Leistung unter extremen Bedingungen erfordern.

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Produktdetails

Produkt-Tags

Eigenschaften

Qualität: Produktionsqualität (Dummy/Prime)
Größe: 6 Zoll Durchmesser
Durchmesser: 150,25 mm ± 0,25 mm
Dicke: >10 mm (Anpassbare Dicke auf Anfrage erhältlich)
Oberflächenorientierung: 4° in Richtung <11-20> ± 0,2°, was eine hohe Kristallqualität und genaue Ausrichtung für die Geräteherstellung gewährleistet.
Primäre flache Ausrichtung: <1-100> ± 5°, ein Schlüsselmerkmal für das effiziente Schneiden des Barrens in Wafer und für optimales Kristallwachstum.
Primäre flache Länge: 47,5 mm ± 1,5 mm, konzipiert für einfache Handhabung und präzises Schneiden.
Spezifischer Widerstand: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal für Anwendungen in hocheffizienten Leistungsgeräten.
Mikrorohrdichte: <0,5, wodurch minimale Fehler gewährleistet werden, die die Leistung der hergestellten Geräte beeinträchtigen könnten.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, ein niedriger Wert, der auf eine hohe Kristallreinheit und eine niedrige Defektdichte hinweist.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, was eine hervorragende Materialintegrität für Hochleistungsgeräte gewährleistet.
Polytype-Bereiche: Keine – der Barren ist frei von Polytype-Defekten und bietet eine hervorragende Materialqualität für High-End-Anwendungen.
Kanteneinkerbungen: <3, mit einer Breite und Tiefe von 1 mm, um eine minimale Oberflächenbeschädigung zu gewährleisten und die Integrität des Blocks für ein effizientes Schneiden des Wafers zu erhalten.
Kantenrisse: 3, jeweils <1 mm, mit geringem Auftreten von Kantenschäden, was eine sichere Handhabung und Weiterverarbeitung gewährleistet.
Verpackung: Wafer-Koffer – der SiC-Ingot ist sicher in einem Wafer-Koffer verpackt, um einen sicheren Transport und eine sichere Handhabung zu gewährleisten.

Anwendungen

Leistungselektronik:Der 6-Zoll-SiC-Barren wird häufig bei der Herstellung leistungselektronischer Geräte wie MOSFETs, IGBTs und Dioden verwendet, die wesentliche Komponenten in Leistungsumwandlungssystemen sind. Diese Geräte werden häufig in Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge (EV), industriellen Motorantrieben, Netzteilen und Energiespeichersystemen eingesetzt. Die Fähigkeit von SiC, bei hohen Spannungen, hohen Frequenzen und extremen Temperaturen zu arbeiten, macht es ideal für Anwendungen, bei denen herkömmliche Silizium (Si)-Geräte Schwierigkeiten mit der effizienten Leistung hätten.

Elektrofahrzeuge (EVs):In Elektrofahrzeugen sind SiC-basierte Komponenten von entscheidender Bedeutung für die Entwicklung von Leistungsmodulen in Wechselrichtern, DC-DC-Wandlern und Bordladegeräten. Die überlegene Wärmeleitfähigkeit von SiC ermöglicht eine geringere Wärmeerzeugung und eine bessere Effizienz bei der Stromumwandlung, was für die Verbesserung der Leistung und Reichweite von Elektrofahrzeugen von entscheidender Bedeutung ist. Darüber hinaus ermöglichen SiC-Geräte kleinere, leichtere und zuverlässigere Komponenten und tragen so zur Gesamtleistung von EV-Systemen bei.

Erneuerbare Energiesysteme:SiC-Barren sind ein wesentliches Material bei der Entwicklung von Stromumwandlungsgeräten für erneuerbare Energiesysteme, einschließlich Solarwechselrichtern, Windturbinen und Energiespeicherlösungen. Die hohe Leistungsfähigkeit und das effiziente Wärmemanagement von SiC ermöglichen eine höhere Energieumwandlungseffizienz und eine verbesserte Zuverlässigkeit in diesen Systemen. Sein Einsatz in erneuerbaren Energien trägt dazu bei, die weltweiten Bemühungen um Energienachhaltigkeit voranzutreiben.

Telekommunikation:Der 6-Zoll-SiC-Ingot eignet sich auch zur Herstellung von Komponenten für Hochleistungs-HF-Anwendungen (Radiofrequenz). Dazu gehören Verstärker, Oszillatoren und Filter, die in Telekommunikations- und Satellitenkommunikationssystemen verwendet werden. Die Fähigkeit von SiC, hohe Frequenzen und hohe Leistungen zu bewältigen, macht es zu einem hervorragenden Material für Telekommunikationsgeräte, die robuste Leistung und minimalen Signalverlust erfordern.

Luft- und Raumfahrt und Verteidigung:Die hohe Durchbruchspannung und die hohe Temperaturbeständigkeit von SiC machen es ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich. Komponenten aus SiC-Ingots werden in Radarsystemen, in der Satellitenkommunikation und in der Leistungselektronik für Luft- und Raumfahrzeuge eingesetzt. SiC-basierte Materialien ermöglichen es Luft- und Raumfahrtsystemen, unter den extremen Bedingungen im Weltraum und in Höhenlagen zu funktionieren.

Industrielle Automatisierung:In der industriellen Automatisierung werden SiC-Komponenten in Sensoren, Aktoren und Steuerungssystemen eingesetzt, die in rauen Umgebungen betrieben werden müssen. SiC-basierte Geräte werden in Maschinen eingesetzt, die effiziente, langlebige Komponenten erfordern, die hohen Temperaturen und elektrischen Belastungen standhalten.

Produktspezifikationstabelle

Eigentum	Spezifikation
Grad	Produktion (Dummy/Prime)
Größe	6 Zoll
Durchmesser	150,25 mm ± 0,25 mm
Dicke	>10mm (anpassbar)
Oberflächenausrichtung	4° in Richtung <11-20> ± 0,2°
Primäre flache Ausrichtung	<1-100> ± 5°
Primäre flache Länge	47,5 mm ± 1,5 mm
Widerstand	0,015–0,0285 Ω·cm
Mikrorohrdichte	<0,5
Lochfraßdichte (BPD)	<2000
Gewindeschraubenversetzungsdichte (TSD)	<500
Polytype-Bereiche	Keiner
Kanteneinzüge	<3, 1 mm Breite und Tiefe
Kantenrisse	3, <1 mm/Stück
Verpackung	Wafer-Hülle

Abschluss

Der 6-Zoll-SiC-Ingot – Typ N Dummy/Prime ist ein Premiummaterial, das die strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie erfüllt. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit, sein außergewöhnlicher spezifischer Widerstand und seine geringe Defektdichte machen es zu einer ausgezeichneten Wahl für die Herstellung fortschrittlicher leistungselektronischer Geräte, Automobilkomponenten, Telekommunikationssysteme und Systeme für erneuerbare Energien. Die anpassbaren Dicken- und Präzisionsspezifikationen stellen sicher, dass dieser SiC-Ingot an eine Vielzahl von Anwendungen angepasst werden kann und eine hohe Leistung und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet. Für weitere Informationen oder eine Bestellung wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.