Siliziumkarbid-Ingot (SiC), 6 Zoll, Typ N, Dummy-/Primärqualität, Dicke anpassbar

Siliziumkarbid-SiC-Block, 6 Zoll, Typ N, Dummy-/Primärqualität, Dicke anpassbar (Abbildung)

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das aufgrund seiner hervorragenden elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften in verschiedenen Branchen zunehmend an Bedeutung gewinnt. Der SiC-Ingot in 6-Zoll-N-Typ-Dummy/Prime-Qualität ist speziell für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiterbauelemente, einschließlich Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen, konzipiert. Dank anpassbarer Dickenoptionen und präziser Spezifikationen bietet dieser SiC-Ingot eine ideale Lösung für die Entwicklung von Bauelementen für Elektrofahrzeuge, industrielle Energiesysteme, Telekommunikation und andere Hochleistungsbranchen. Die Robustheit von SiC unter Hochspannungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzbedingungen gewährleistet eine langlebige, effiziente und zuverlässige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen.
Der SiC-Ingot ist in einer Größe von 6 Zoll mit einem Durchmesser von 150,25 mm ± 0,25 mm und einer Dicke von über 10 mm erhältlich und eignet sich daher ideal zum Wafer-Slicing. Dieses Produkt bietet eine klar definierte Oberflächenorientierung von 4° in Richtung <11-20> ± 0,2°, was eine hohe Präzision bei der Bauelementefertigung gewährleistet. Darüber hinaus weist der Ingot eine primäre Planarität von <1-100> ± 5° auf, was zu einer optimalen Kristallausrichtung und Verarbeitungsleistung beiträgt.
Mit einem hohen spezifischen Widerstand im Bereich von 0,015–0,0285 Ω·cm, einer niedrigen Mikrorohrdichte von <0,5 und einer ausgezeichneten Kantenqualität eignet sich dieser SiC-Ingot für die Herstellung von Leistungsbauelementen, die minimale Defekte und eine hohe Leistungsfähigkeit unter extremen Bedingungen erfordern.

Senden Sie uns eine E-Mail.

Merkmale

Eigenschaften

Qualität: Produktionsqualität (Dummy/Prime)
Größe: 6 Zoll Durchmesser
Durchmesser: 150,25 mm ± 0,25 mm
Dicke: >10 mm (Anpassbare Dicke auf Anfrage erhältlich)
Oberflächenorientierung: 4° in Richtung <11-20> ± 0,2°, was eine hohe Kristallqualität und präzise Ausrichtung für die Geräteherstellung gewährleistet.
Primäre flache Orientierung: <1-100> ± 5°, ein Schlüsselfaktor für das effiziente Schneiden des Ingots in Wafer und für optimales Kristallwachstum.
Primäre Flachlänge: 47,5 mm ± 1,5 mm, ausgelegt für einfache Handhabung und präzises Schneiden.
Spezifischer Widerstand: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal für Anwendungen in hocheffizienten Leistungselektronikgeräten.
Mikrorohrdichte: <0,5, wodurch minimale Defekte gewährleistet werden, die die Leistung der hergestellten Bauteile beeinträchtigen könnten.
BPD (Bor Pitting Density): <2000, ein niedriger Wert, der auf eine hohe Kristallreinheit und eine geringe Defektdichte hinweist.
TSD (Gewindeschrauben-Versetzungsdichte): <500, wodurch eine ausgezeichnete Materialintegrität für Hochleistungsbauteile gewährleistet wird.
Polytypbereiche: Keine – der Barren ist frei von Polytypfehlern und bietet somit eine hervorragende Materialqualität für anspruchsvolle Anwendungen.
Kanteneinkerbungen: <3, mit einer Breite und Tiefe von 1 mm, wodurch Oberflächenbeschädigungen minimiert und die Integrität des Ingots für ein effizientes Wafer-Slicing erhalten bleibt.
Kantenrisse: 3, jeweils <1 mm, geringes Auftreten von Kantenschäden, was eine sichere Handhabung und Weiterverarbeitung gewährleistet.
Verpackung: Wafer-Gehäuse – Der SiC-Ingot wird sicher in einem Wafer-Gehäuse verpackt, um einen sicheren Transport und eine sichere Handhabung zu gewährleisten.

Anwendungen

Leistungselektronik:Der 6-Zoll-SiC-Ingot findet breite Anwendung in der Herstellung von Leistungselektronikbauteilen wie MOSFETs, IGBTs und Dioden, die wesentliche Komponenten in Leistungswandlungssystemen darstellen. Diese Bauelemente werden häufig in Wechselrichtern von Elektrofahrzeugen, industriellen Motorantrieben, Netzteilen und Energiespeichersystemen eingesetzt. Die Fähigkeit von SiC, bei hohen Spannungen, hohen Frequenzen und extremen Temperaturen zu arbeiten, macht es ideal für Anwendungen, bei denen herkömmliche Siliziumbauelemente (Si) nur bedingt effizient arbeiten.

Elektrofahrzeuge (EVs):In Elektrofahrzeugen sind SiC-basierte Komponenten für die Entwicklung von Leistungsmodulen in Wechselrichtern, DC/DC-Wandlern und On-Board-Ladegeräten unerlässlich. Die überlegene Wärmeleitfähigkeit von SiC ermöglicht eine geringere Wärmeentwicklung und einen höheren Wirkungsgrad bei der Leistungsumwandlung, was für die Verbesserung der Leistung und Reichweite von Elektrofahrzeugen entscheidend ist. Darüber hinaus ermöglichen SiC-Bauelemente kleinere, leichtere und zuverlässigere Komponenten und tragen so zur Gesamtleistung von Elektrofahrzeugsystemen bei.

Systeme für erneuerbare Energien:Siliziumkarbid-Ingots (SiC) sind ein unverzichtbarer Werkstoff für die Entwicklung von Leistungswandlern in Systemen für erneuerbare Energien, darunter Solarwechselrichter, Windkraftanlagen und Energiespeicherlösungen. Die hohe Belastbarkeit und das effiziente Wärmemanagement von SiC ermöglichen eine höhere Energieumwandlungseffizienz und verbesserte Zuverlässigkeit dieser Systeme. Sein Einsatz im Bereich der erneuerbaren Energien trägt maßgeblich zu den globalen Bemühungen um mehr Nachhaltigkeit bei.

Telekommunikation:Der 6-Zoll-SiC-Ingot eignet sich auch zur Herstellung von Bauteilen für Hochleistungs-HF-Anwendungen (Hochfrequenz). Dazu gehören Verstärker, Oszillatoren und Filter für Telekommunikations- und Satellitenkommunikationssysteme. Dank seiner Fähigkeit, hohe Frequenzen und hohe Leistungen zu verarbeiten, ist SiC ein hervorragendes Material für Telekommunikationsgeräte, die eine robuste Leistung und minimale Signalverluste erfordern.

Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung:Die hohe Durchbruchspannung und die Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen machen Siliziumkarbid (SiC) ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich. Bauteile aus SiC-Ingots werden in Radarsystemen, Satellitenkommunikationsanlagen und Leistungselektronik für Flugzeuge und Raumfahrzeuge eingesetzt. SiC-basierte Werkstoffe ermöglichen den Betrieb von Luft- und Raumfahrtsystemen unter den extremen Bedingungen im Weltraum und in großen Höhen.

Industrielle Automatisierung:In der industriellen Automatisierung werden SiC-Komponenten in Sensoren, Aktoren und Steuerungssystemen eingesetzt, die unter rauen Umgebungsbedingungen funktionieren müssen. SiC-basierte Bauelemente finden Verwendung in Maschinen, die effiziente und langlebige Komponenten benötigen, die hohen Temperaturen und elektrischen Belastungen standhalten.

Produktspezifikationstabelle

Eigentum	Spezifikation
Grad	Produktion (Dummy/Prime)
Größe	6 Zoll
Durchmesser	150,25 mm ± 0,25 mm
Dicke	>10 mm (anpassbar)
Oberflächenorientierung	4° in Richtung <11-20> ± 0,2°
Primäre flache Ausrichtung	<1-100> ± 5°
Primäre Flachlänge	47,5 mm ± 1,5 mm
Widerstand	0,015–0,0285 Ω·cm
Mikrorohrdichte	<0,5
Bor-Lochfraßdichte (BPD)	<2000
Versetzungsdichte von Gewindeschrauben (TSD)	<500
Polytypbereiche	Keiner
Kanteneinbuchtungen	<3, 1 mm Breite und Tiefe
Randrisse	3, <1 mm/Stück
Verpackung	Wafer-Gehäuse

Abschluss

Der 6-Zoll-SiC-Ingot (N-Typ, Dummy/Prime-Qualität) ist ein Premium-Material, das die strengen Anforderungen der Halbleiterindustrie erfüllt. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit, der außergewöhnliche spezifische Widerstand und die geringe Defektdichte machen ihn zur idealen Wahl für die Herstellung von Leistungselektronik, Automobilkomponenten, Telekommunikationssystemen und Systemen für erneuerbare Energien. Dank der anpassbaren Dicke und der präzisen Spezifikationen lässt sich dieser SiC-Ingot für ein breites Anwendungsspektrum maßschneidern und gewährleistet so hohe Leistung und Zuverlässigkeit auch unter anspruchsvollen Bedingungen. Für weitere Informationen oder Bestellungen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam.