SiC
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2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer, 6H- oder 4H-N-Typ- oder halbisolierende SiC-Substrate
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4H-N 4-Zoll-SiC-Substratwafer, Siliziumkarbid, Produktionsdummy, Forschungsqualität
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6-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer (150 mm) vom Typ 4H-N für MOS- oder SBD-Produktion, Forschung und Dummy-Qualität
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8-Zoll-200-mm-4H-N-SiC-Wafer, leitfähiger Dummy, Forschungsqualität
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2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer, 6H- oder 4H-N-Typ- oder halbisolierende SiC-Substrate