SiC
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SiC-Barren vom Typ 4H-N, Dummy-Qualität, 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke: > 10 mm
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200-mm-SiC-Substrat-Dummy-Qualität 4H-N 8-Zoll-SiC-Wafer
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4H-N Dia205mm SiC-Samen aus monokristallinem P- und D-Qualität aus China
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6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer N/P-Typ akzeptieren kundenspezifische Anpassungen
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Durchmesser 150 mm 4H-N 6 Zoll SiC-Substrat Produktion und Dummy-Qualität
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4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD
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2-Zoll-SiC-Barren, Durchmesser 50,8 mm x 10 mm, 4H-N-Einkristall
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4-Zoll-SiC-Wafer, halbisolierende 6H-SiC-Substrate, erstklassige, Forschungs- und Dummy-Qualität
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6-Zoll-HPSI-SiC-Substratwafer, halbisolierende Siliziumkarbid-SiC-Wafer
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Halbisolierende 4-Zoll-SiC-Wafer, HPSI-SiC-Substrat, erstklassige Produktionsqualität
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3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi-SiC-Substratwafer. Halbisolierende Siliziumkarbid-SiC-Wafer
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3-Zoll-SiC-Substrate mit 76,2 mm Durchmesser, HPSI Prime Research und Dummy-Qualität