SiC
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3-Zoll-SiC-Substrat-Produktionsdurchmesser 76,2 mm 4H-N
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SiC-Substrat P und D-Klasse Dia50mm 4H-N 2 Zoll
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SiC-Ingot 4H-N Typ Dummy-Qualität 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Dicke: >10 mm
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200 mm SiC-Substrat, Dummy-Klasse 4H-N, 8 Zoll SiC-Wafer
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4H-N Dia205mm SiC-Seed aus China, monokristallin, Güteklasse P und D
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6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer vom Typ N/P akzeptieren kundenspezifische
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Dia150mm 4H-N 6 Zoll SiC-Substrat Produktion und Dummy-Qualität
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4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD
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2-Zoll-SiC-Block, Durchmesser 50,8 mm x 10 mm, 4H-N-Monokristall
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4-Zoll-SiC-Wafer 6H Halbisolierende SiC-Substrate in Prime-, Forschungs- und Dummy-Qualität
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6-Zoll-HPSI-SiC-Substratwafer. Halbisolierende SiC-Wafer aus Siliziumkarbid
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4-Zoll-Halbisolierende SiC-Wafer HPSI-SiC-Substrat Prime Production-Qualität