SiC
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SiC-Ingot Typ 4H, Durchmesser 4 Zoll – 6 Zoll, Dicke 5–10 mm, Forschungs-/Dummy-Qualität
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Siliziumkarbid-Wafer vom Typ 4H-N mit hoher Härte, Korrosionsbeständigkeit und erstklassiger Politur
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2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer, Typ 6H-N, Premiumqualität, Forschungsqualität, Dummyqualität, 330 μm, 430 μm Dicke
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2-Zoll-Siliziumkarbidsubstrat, 6H-N, beidseitig poliert, Durchmesser 50,8 mm, Produktionsqualität, Forschungsqualität
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N-Typ SiC-Verbundsubstrate, Durchmesser 6 Zoll, hochwertige monokristalline und minderwertige Substrate
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Halbisolierende SiC-Verbundsubstrate, Durchmesser 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, HPSI
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N-Typ SiC auf Si-Verbundsubstraten, Durchmesser 6 Zoll
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SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI Siliziumkarbid
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3-Zoll-SiC-Substrat, Produktionsdurchmesser 76,2 mm, 4H-N
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SiC-Substrat, P- und D-Qualität, Durchmesser 50 mm, 4H-N, 2 Zoll
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SiC-Ingot 4H-N Typ, Dummy-Qualität, 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke: >10 mm
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200-mm-SiC-Substrat, Dummy-Qualität 4H-N, 8-Zoll-SiC-Wafer