Siliziumkarbid-Wafer vom Typ 4H-N mit hoher Härte, Korrosionsbeständigkeit und erstklassiger Politur
Im Folgenden werden die Eigenschaften von Siliziumkarbid-Wafern aufgeführt.
1. Höhere Wärmeleitfähigkeit: Die Wärmeleitfähigkeit von SIC-Wafern ist wesentlich höher als die von Silizium, was bedeutet, dass SIC-Wafer Wärme effektiv ableiten können und sich für den Betrieb in Umgebungen mit hohen Temperaturen eignen.
2. Höhere Elektronenbeweglichkeit: SIC-Wafer weisen eine höhere Elektronenbeweglichkeit als Silizium auf, wodurch SIC-Bauelemente mit höheren Geschwindigkeiten betrieben werden können.
3. Höhere Durchbruchspannung: SIC-Wafermaterial weist eine höhere Durchbruchspannung auf und eignet sich daher für die Herstellung von Hochspannungs-Halbleiterbauelementen.
4. Höhere chemische Stabilität: SIC-Wafer weisen eine stärkere chemische Korrosionsbeständigkeit auf, was zur Verbesserung der Zuverlässigkeit und Langlebigkeit des Bauelements beiträgt.
5. Größere Bandlücke: SIC-Wafer haben eine größere Bandlücke als Silizium, wodurch SIC-Bauelemente bei hohen Temperaturen besser und stabiler sind.
Siliziumkarbid-Wafer haben verschiedene Anwendungsgebiete.
1. Maschinenbau: Schneidwerkzeuge und Schleifmittel; Verschleißfeste Teile und Buchsen; Industriearmaturen und Dichtungen; Lager und Kugeln
2. Elektronische Leistungselektronik: Leistungshalbleiterbauelemente; Hochfrequenz-Mikrowellenelemente; Hochspannungs- und Hochtemperatur-Leistungselektronik; Wärmemanagementmaterialien
3. Chemische Industrie: Chemische Reaktoren und Anlagen; Korrosionsbeständige Rohre und Lagertanks; Trägermaterialien für chemische Katalysatoren
4. Energiesektor: Gasturbinen- und Turboladerkomponenten; Kernkraftwerkskern- und Strukturkomponenten; Hochtemperatur-Brennstoffzellenkomponenten
5. Luft- und Raumfahrt: Hitzeschutzsysteme für Raketen und Raumfahrzeuge; Turbinenschaufeln für Strahltriebwerke; Hochleistungswerkstoffe
6. Weitere Anwendungsgebiete: Hochtemperatursensoren und Thermosäulen; Werkzeuge und Formen für Sinterprozesse; Schleif-, Polier- und Schneidbereiche
ZMKJ liefert hochwertige SiC-Einkristallwafer (Siliziumkarbid) für die Elektronik- und Optoelektronikindustrie. SiC-Wafer sind ein Halbleitermaterial der nächsten Generation mit einzigartigen elektrischen und exzellenten thermischen Eigenschaften. Im Vergleich zu Silizium- und GaAs-Wafern eignen sie sich besonders für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen. SiC-Wafer sind in Durchmessern von 2 bis 6 Zoll erhältlich, sowohl in 4H- als auch in 6H-SiC-Qualität, n-dotiert, stickstoffdotiert und halbisolierend. Für weitere Produktinformationen kontaktieren Sie uns bitte.
Unsere Fabrik verfügt über moderne Produktionsanlagen und ein erfahrenes technisches Team, das SiC-Wafer in verschiedenen Spezifikationen, Dicken und Formen nach den spezifischen Anforderungen der Kunden herstellen kann.
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