SiC-Substrat, P-Typ 4H/6H-P 3C-N, 4 Zoll, Dicke 350 µm, Produktionsqualität, Dummy-Qualität

Kurzbeschreibung:

Das 4-Zoll-SiC-Substrat vom P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit einer Dicke von 350 µm ist ein Hochleistungshalbleitermaterial, das in der Elektronikfertigung weit verbreitet ist. Bekannt für seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung und Beständigkeit gegenüber extremen Temperaturen und korrosiven Umgebungen, eignet sich dieses Substrat ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik. Das Substrat in Produktionsqualität wird in der Großserienfertigung eingesetzt und gewährleistet strenge Qualitätskontrolle und hohe Zuverlässigkeit in modernen elektronischen Geräten. Das Dummy-Substrat hingegen wird primär für Prozessoptimierung, Gerätekalibrierung und Prototypenerstellung verwendet. Die hervorragenden Eigenschaften von SiC machen es zur idealen Wahl für Geräte, die in Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen arbeiten, darunter Leistungselektronik und HF-Systeme.

Senden Sie uns eine E-Mail.

Merkmale

4-Zoll-SiC-Substrat, P-Typ, 4H/6H-P, 3C-N-Parametertabelle

4 Zoll Durchmesser SilikonCarbid (SiC)-Substrat Spezifikation

Grad			Null MPD-Produktion Note (Z Grad)	Standardproduktion Note (P) Grad)	Dummy-Note (D Grad)
Durchmesser			99,5 mm bis 100,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Wafer-Ausrichtung			Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° in Richtung [112(-)0] ± 0,5° für 4H/6H-P, On-Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N
Mikrorohrdichte			0 cm-2
Widerstand	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Primäre Flachlänge			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre Flachlänge			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung			Siliziumseite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von der Prime-Flachseite±5,0°
Kantenausschluss			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bow /Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			Polnische Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht			Keiner		Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm
Sechseckige Platten durch Hochleistungslicht			Kumulative Fläche ≤0,05%		Kumulative Fläche ≤0,1%
Polytypbereiche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Fläche ≤ 3 %
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse			Kumulative Fläche ≤0,05%		Kumulative Fläche ≤3%
Kratzer auf Silikonoberflächen durch hochintensives Licht			Keiner		Gesamtlänge ≤ 1 × Waferdurchmesser
Kantenchips mit hoher Lichtintensität			Keine zulässigen Breiten und Tiefen ≥ 0,2 mm.		5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität			Keiner
Verpackung			Mehrfachwaffelkassette oder Einzelwaffelbehälter

Anmerkungen:

※Die Grenzwerte für Defekte gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randbereichs. # Die Kratzer sollten nur auf der Siliziumseite geprüft werden.

Das 4-Zoll-SiC-Substrat vom P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit einer Dicke von 350 µm findet breite Anwendung in der Fertigung moderner Elektronik- und Leistungselektronikbauteile. Dank seiner exzellenten Wärmeleitfähigkeit, hohen Durchbruchspannung und starken Beständigkeit gegenüber extremen Umgebungsbedingungen eignet es sich ideal für Hochleistungselektronik wie Hochspannungsschalter, Wechselrichter und HF-Bauelemente. Substrate in Produktionsqualität werden in der Großserienfertigung eingesetzt und gewährleisten eine zuverlässige und hochpräzise Bauelementleistung, die für Leistungselektronik und Hochfrequenzanwendungen unerlässlich ist. Substrate in Dummy-Qualität hingegen dienen hauptsächlich der Prozesskalibrierung, Geräteprüfung und Prototypenentwicklung und tragen so zur Qualitätssicherung und Prozesskonsistenz in der Halbleiterproduktion bei.

Spezifikation: Zu den Vorteilen von SiC-Verbundsubstraten vom N-Typ gehören

Hohe WärmeleitfähigkeitDie effiziente Wärmeableitung macht das Substrat ideal für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
Hohe DurchschlagsspannungUnterstützt den Hochspannungsbetrieb und gewährleistet so die Zuverlässigkeit von Leistungselektronik- und HF-Geräten.
Widerstandsfähigkeit gegenüber rauen Umgebungen: Beständig unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen, gewährleistet so eine dauerhafte Leistungsfähigkeit.
Präzision in ProduktionsqualitätGewährleistet eine hohe Qualität und zuverlässige Leistung bei der Großserienfertigung und eignet sich für anspruchsvolle Leistungs- und HF-Anwendungen.
Dummy-Note für Tests: Ermöglicht eine präzise Prozesskalibrierung, Geräteprüfung und Prototypenerstellung, ohne Kompromisse bei der Qualität der Wafer für die Serienproduktion einzugehen.

Insgesamt bietet das 4-Zoll-SiC-Substrat vom P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit einer Dicke von 350 µm erhebliche Vorteile für Hochleistungselektronikanwendungen. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Durchbruchspannung machen es ideal für Umgebungen mit hoher Leistung und hohen Temperaturen, während seine Beständigkeit gegenüber rauen Bedingungen Langlebigkeit und Zuverlässigkeit gewährleistet. Das Substrat in Produktionsqualität sichert präzise und konsistente Leistung in der Großserienfertigung von Leistungselektronik und HF-Bauelementen. Gleichzeitig ist das Dummy-Substrat unerlässlich für die Prozesskalibrierung, Geräteprüfung und Prototypenentwicklung und unterstützt so die Qualitätskontrolle und Konsistenz in der Halbleiterproduktion. Diese Eigenschaften machen SiC-Substrate äußerst vielseitig für anspruchsvolle Anwendungen.

Detailliertes Diagramm

Vorherige: P-Typ SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Orientierung

Nächste: p-Typ 4H/6H-P 3C-N Typ SiC-Substrat 4 Zoll 〈111〉± 0,5°Null MPD