SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mit einer Dicke von 350 µm Produktionsqualität Dummy-Qualität

Kurze Beschreibung:

Das 4-Zoll-SiC-Substrat (4H/6H-P 3C-N) vom P-Typ mit einer Dicke von 350 μm ist ein Hochleistungshalbleitermaterial, das in der Herstellung elektronischer Geräte weit verbreitet ist. Bekannt für seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchschlagspannung sowie Beständigkeit gegen extreme Temperaturen und korrosive Umgebungen, eignet sich dieses Substrat ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik. Das produktionstaugliche Substrat wird in der Großserienfertigung eingesetzt und gewährleistet strenge Qualitätskontrollen und hohe Zuverlässigkeit in fortschrittlichen elektronischen Geräten. Das Dummy-Substrat wird hauptsächlich für Prozessdebugging, Gerätekalibrierung und Prototyping verwendet. Die überlegenen Eigenschaften von SiC machen es zu einer ausgezeichneten Wahl für Geräte, die in Umgebungen mit hohen Temperaturen, hohen Spannungen und hohen Frequenzen betrieben werden, einschließlich Leistungsgeräten und HF-Systemen.

Senden Sie uns eine E-Mail

Merkmale

4-Zoll-SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N Parametertabelle

4 Zoll Durchmesser SiliziumHartmetallsubstrat (SiC) Spezifikation

Grad			Null MPD-Produktion Klasse (Z Grad)	Standardproduktion Klasse (P Grad)	Dummy-Klasse (D Grad)
Durchmesser			99,5 mm bis 100,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Waferorientierung			Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° in Richtung [112(-)0] ± 0,5° für 4H/6H-P, On-Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N
Mikrorohrdichte			0 cm-2
Spezifischer Widerstand	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ω⁻cm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Primäre flache Länge			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung			Silikonseite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von Prime Flat±5,0°
Kantenausschluss			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bug/Kette			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			Polieren Ra≤1 nm
			CMP Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Länge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm
Sechskantplatten durch hochintensives Licht			Kumulative Fläche ≤0,05 %		Kumulative Fläche ≤0,1 %
Polytypbereiche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Fläche ≤3 %
Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse			Kumulative Fläche ≤0,05 %		Kumulative Fläche ≤3 %
Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser
Kantensplitter mit hoher Lichtintensität			Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe		5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität			Keiner
Verpackung			Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter

Hinweise:

※Die Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten nur auf der Si-Oberfläche überprüft werden.

Das 4-Zoll-SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit einer Dicke von 350 μm findet breite Anwendung in der Herstellung fortschrittlicher Elektronik- und Leistungsbauelemente. Dank seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit, hohen Durchbruchspannung und hohen Widerstandsfähigkeit gegenüber extremen Umgebungsbedingungen eignet sich dieses Substrat ideal für Hochleistungs-Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter, Wechselrichter und HF-Geräte. Produktionsfähige Substrate werden in der Großserienfertigung eingesetzt und gewährleisten eine zuverlässige und hochpräzise Geräteleistung, die für Leistungselektronik und Hochfrequenzanwendungen entscheidend ist. Dummy-fähige Substrate hingegen werden hauptsächlich zur Prozesskalibrierung, Geräteprüfung und Prototypenentwicklung eingesetzt und tragen zur Aufrechterhaltung der Qualitätskontrolle und Prozesskonsistenz in der Halbleiterproduktion bei.

SpezifikationDie Vorteile von N-Typ SiC-Verbundsubstraten umfassen

Hohe Wärmeleitfähigkeit: Durch die effiziente Wärmeableitung ist das Substrat ideal für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
Hohe Durchbruchspannung: Unterstützt den Hochspannungsbetrieb und gewährleistet die Zuverlässigkeit in Leistungselektronik und HF-Geräten.
Beständigkeit gegenüber rauen Umgebungen: Beständig gegen extreme Bedingungen wie hohe Temperaturen und korrosive Umgebungen, wodurch eine lang anhaltende Leistung gewährleistet wird.
Präzision in Produktionsqualität: Gewährleistet hochwertige und zuverlässige Leistung bei der Massenfertigung, geeignet für fortschrittliche Leistungs- und HF-Anwendungen.
Dummy-Grade zum Testen: Ermöglicht eine genaue Prozesskalibrierung, Gerätetests und Prototypenentwicklung, ohne die Produktionsqualität der Wafer zu beeinträchtigen.

Insgesamt bietet das 4-Zoll-SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit einer Dicke von 350 μm erhebliche Vorteile für Hochleistungselektronikanwendungen. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Durchbruchspannung machen es ideal für Hochleistungs- und Hochtemperaturumgebungen, während seine Widerstandsfähigkeit gegenüber rauen Bedingungen Langlebigkeit und Zuverlässigkeit gewährleistet. Das produktionstaugliche Substrat gewährleistet präzise und konstante Leistung in der Großserienfertigung von Leistungselektronik und HF-Bauelementen. Das Dummy-Substrat ist zudem unverzichtbar für Prozesskalibrierung, Gerätetests und Prototyping und unterstützt die Qualitätskontrolle und -konsistenz in der Halbleiterproduktion. Diese Eigenschaften machen SiC-Substrate äußerst vielseitig für anspruchsvolle Anwendungen.

Detailliertes Diagramm

Vorherige: P-Typ-SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Ausrichtung

Nächste: p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYP SIC-Substrat 4 Zoll 〈111〉± 0,5° Null MPD