SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mit einer Dicke von 350 µm, Produktionsqualität, Dummy-Qualität

Kurzbeschreibung:

Das 4-Zoll-SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit einer Dicke von 350 μm ist ein Hochleistungshalbleitermaterial, das häufig in der Herstellung elektronischer Geräte verwendet wird. Dieses Substrat ist für seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung und Beständigkeit gegenüber extremen Temperaturen und korrosiven Umgebungen bekannt und eignet sich ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik. Das Substrat in Produktionsqualität wird in der Großserienfertigung verwendet und gewährleistet eine strenge Qualitätskontrolle und hohe Zuverlässigkeit in fortschrittlichen elektronischen Geräten. Mittlerweile wird das Dummy-Substrat hauptsächlich für Prozess-Debugging, Gerätekalibrierung und Prototyping verwendet. Die hervorragenden Eigenschaften von SiC machen es zu einer ausgezeichneten Wahl für Geräte, die in Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen betrieben werden, einschließlich Leistungsgeräten und HF-Systemen.

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Parametertabelle für 4-Zoll-SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N

4 Zoll Durchmesser SiliziumHartmetall (SiC)-Substrat Spezifikation

Grad			Keine MPD-Produktion Klasse (Z Grad)	Standardproduktion Note (P Grad)	Dummy-Note (D Grad)
Durchmesser			99,5 mm ~ 100,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Waferausrichtung			Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° in Richtung [112(-)0] ± 0,5° für 4H/6H-P, On-Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N
Mikrorohrdichte			0 cm-2
Widerstand	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ω·cm		≤0,3 Ω·cm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩ·cm		≤1 m Ωꞏcm
Primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Primäre flache Länge			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung			Silikonseite nach oben: 90° CW. von Prime flat±5,0°
Kantenausschluss			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bogen/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			Polnisch Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht			Keiner		Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤2 mm
Sechskantplatten durch hochintensives Licht			Kumulierte Fläche ≤0,05 %		Kumulierte Fläche ≤0,1 %
Polytype Bereiche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulierte Fläche ≤ 3 %
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse			Kumulierte Fläche ≤0,05 %		Kumulierte Fläche ≤3 %
Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht			Keiner		Gesamtlänge ≤ 1×Waferdurchmesser
Kantensplitter mit hoher Lichtintensität			Nicht zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe		5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Kontamination der Siliziumoberfläche durch hohe Intensität			Keiner
Verpackung			Multi-Wafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter

Hinweise:

※Fehlergrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten nur auf der Si-Oberfläche überprüft werden.

Das 4-Zoll-SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit einer Dicke von 350 μm wird häufig in der Herstellung fortschrittlicher Elektronik- und Leistungsgeräte eingesetzt. Mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit, hoher Durchbruchspannung und starker Beständigkeit gegenüber extremen Umgebungsbedingungen ist dieses Substrat ideal für Hochleistungs-Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter, Wechselrichter und HF-Geräte. In der Großserienfertigung werden Substrate in Produktionsqualität verwendet, die eine zuverlässige, hochpräzise Geräteleistung gewährleisten, die für Leistungselektronik und Hochfrequenzanwendungen von entscheidender Bedeutung ist. Dummy-Substrate hingegen werden hauptsächlich für die Prozesskalibrierung, Gerätetests und Prototypenentwicklung verwendet und tragen dazu bei, die Qualitätskontrolle und Prozesskonsistenz in der Halbleiterproduktion aufrechtzuerhalten.

Spezifikation: Zu den Vorteilen von N-Typ-SiC-Verbundsubstraten gehören:

Hohe Wärmeleitfähigkeit: Durch die effiziente Wärmeableitung ist das Substrat ideal für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
Hohe Durchbruchspannung: Unterstützt den Hochspannungsbetrieb und gewährleistet so die Zuverlässigkeit von Leistungselektronik und HF-Geräten.
Widerstandsfähigkeit gegen raue Umgebungen: Langlebig unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen und gewährleistet eine lang anhaltende Leistung.
Präzision auf Produktionsniveau: Gewährleistet eine hochwertige und zuverlässige Leistung bei der Großserienfertigung, geeignet für fortschrittliche Energie- und HF-Anwendungen.
Dummy-Note zum Testen: Ermöglicht eine genaue Prozesskalibrierung, Gerätetests und Prototyping, ohne die Wafer in Produktionsqualität zu beeinträchtigen.

Insgesamt bietet das 4-Zoll-SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit einer Dicke von 350 μm erhebliche Vorteile für leistungsstarke elektronische Anwendungen. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Durchbruchspannung machen es ideal für Umgebungen mit hoher Leistung und hohen Temperaturen, während seine Widerstandsfähigkeit gegenüber rauen Bedingungen Haltbarkeit und Zuverlässigkeit gewährleistet. Das Substrat in Produktionsqualität gewährleistet eine präzise und konstante Leistung bei der Großserienfertigung von Leistungselektronik und HF-Geräten. Mittlerweile ist das Dummy-Substrat für die Prozesskalibrierung, Gerätetests und Prototyping unerlässlich und unterstützt die Qualitätskontrolle und Konsistenz in der Halbleiterproduktion. Diese Eigenschaften machen SiC-Substrate äußerst vielseitig für anspruchsvolle Anwendungen.