SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mit einer Dicke von 350 µm Produktionsqualität Dummy-Qualität
4-Zoll-SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N Parametertabelle
4 Zoll Durchmesser SiliziumHartmetallsubstrat (SiC) Spezifikation
| Grad | Null MPD-Produktion Klasse (Z Grad) | Standardproduktion Klasse (P Grad) | Dummy-Klasse (D Grad) | ||
| Durchmesser | 99,5 mm~100,0 mm | ||||
| Dicke | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Waferorientierung | Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° in Richtung [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, On-Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N | ||||
| Mikrorohrdichte | 0 cm-2 | ||||
| Spezifischer Widerstand | p-Typ 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| n-Typ 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Primäre flache Ausrichtung | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Primäre flache Länge | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Länge | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikonseite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von Prime Flat±5,0° | ||||
| Kantenausschluss | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Bug/Kette | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rauheit | Polieren Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Kantenrisse durch hochintensives Licht | Keiner | Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | |||
| Sechskantplatten durch hochintensives Licht | Kumulative Fläche ≤0,05 % | Kumulative Fläche ≤0,1 % | |||
| Polytypbereiche durch hochintensives Licht | Keiner | Kumulative Fläche ≤3 % | |||
| Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse | Kumulative Fläche ≤0,05 % | Kumulative Fläche ≤3 % | |||
| Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht | Keiner | Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser | |||
| Kantensplitter mit hoher Lichtintensität | Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe | 5 zulässig, jeweils ≤1 mm | |||
| Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität | Keiner | ||||
| Verpackung | Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter | ||||
Hinweise:
※Die Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten nur auf der Si-Oberfläche überprüft werden.
Das 4-Zoll-SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit einer Dicke von 350 μm wird häufig in der Herstellung fortschrittlicher Elektronik- und Leistungsbauteile eingesetzt. Dank seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit, hohen Durchbruchspannung und hohen Widerstandsfähigkeit gegenüber extremen Umgebungsbedingungen eignet sich dieses Substrat ideal für Hochleistungs-Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter, Wechselrichter und HF-Geräte. Produktionsfähige Substrate werden in der Großserienfertigung eingesetzt und gewährleisten eine zuverlässige, hochpräzise Geräteleistung, die für Leistungselektronik und Hochfrequenzanwendungen entscheidend ist. Dummy-Substrate hingegen werden hauptsächlich zur Prozesskalibrierung, Geräteprüfung und Prototypenentwicklung eingesetzt und tragen zur Aufrechterhaltung der Qualitätskontrolle und Prozesskonsistenz in der Halbleiterproduktion bei.
SpezifikationDie Vorteile von N-Typ-SiC-Verbundsubstraten umfassen
- Hohe Wärmeleitfähigkeit: Durch die effiziente Wärmeableitung ist das Substrat ideal für Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen.
- Hohe Durchbruchspannung: Unterstützt den Hochspannungsbetrieb und gewährleistet die Zuverlässigkeit in Leistungselektronik und HF-Geräten.
- Widerstandsfähigkeit gegenüber rauen Umgebungen: Beständig gegen extreme Bedingungen wie hohe Temperaturen und korrosive Umgebungen, wodurch eine lang anhaltende Leistung gewährleistet wird.
- Präzision in Produktionsqualität: Gewährleistet eine hochwertige und zuverlässige Leistung bei der Massenproduktion, geeignet für fortschrittliche Leistungs- und HF-Anwendungen.
- Dummy-Grade zum Testen: Ermöglicht eine genaue Prozesskalibrierung, Gerätetests und Prototypenentwicklung, ohne die Produktionsqualität der Wafer zu beeinträchtigen.
Insgesamt bietet das 4-Zoll-SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit einer Dicke von 350 μm erhebliche Vorteile für leistungsstarke elektronische Anwendungen. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Durchbruchspannung machen es ideal für Hochleistungs- und Hochtemperaturumgebungen, während seine Widerstandsfähigkeit gegen raue Bedingungen Langlebigkeit und Zuverlässigkeit gewährleistet. Das produktionstaugliche Substrat gewährleistet präzise und konstante Leistung in der Großserienfertigung von Leistungselektronik und HF-Geräten. Das Dummy-Substrat ist unverzichtbar für Prozesskalibrierung, Gerätetests und Prototyping und unterstützt die Qualitätskontrolle und -konsistenz in der Halbleiterproduktion. Diese Eigenschaften machen SiC-Substrate äußerst vielseitig für anspruchsvolle Anwendungen.
Detailliertes Diagramm
