SiC-Substrat P und D Klasse Dia50mm 4H-N 2inch

Die Hauptmerkmale von 2-Zoll-SiC-MOSFET-Wafern sind wie folgt:

Hohe Wärmeleitfähigkeit: Gewährleistet ein effizientes Wärmemanagement und verbessert die Zuverlässigkeit und Leistung des Geräts

Hohe Elektronenmobilität: Ermöglicht schnelles elektronisches Schalten, geeignet für Hochfrequenzanwendungen

Chemische Stabilität: Erhält die Leistung unter extremen Bedingungen und verlängert die Lebensdauer des Geräts

Kompatibilität: Kompatibel mit bestehender Halbleiterintegration und Massenproduktion

2-Zoll-, 3-Zoll-, 4-Zoll-, 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-MOSFET-Wafer werden häufig in den folgenden Bereichen eingesetzt: Leistungsmodule für Elektrofahrzeuge, Bereitstellung stabiler und effizienter Energiesysteme, Wechselrichter für erneuerbare Energiesysteme, Optimierung des Energiemanagements und der Umwandlungseffizienz,

SiC-Wafer und Epi-Layer-Wafer für Satelliten- und Luft- und Raumfahrtelektronik, die eine zuverlässige Hochfrequenzkommunikation gewährleisten.

Optoelektronische Anwendungen für Hochleistungslaser und LEDs, die den Anforderungen fortschrittlicher Beleuchtungs- und Anzeigetechnologien gerecht werden.

Unsere SiC-Wafer sind die ideale Wahl für Leistungselektronik und HF-Geräte, insbesondere wenn hohe Zuverlässigkeit und außergewöhnliche Leistung gefragt sind. Jede Wafercharge wird strengen Tests unterzogen, um sicherzustellen, dass sie den höchsten Qualitätsstandards entspricht.

Unsere 2-Zoll-, 3-Zoll-, 4-Zoll-, 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Wafer vom Typ 4H-N der Güteklasse D und P sind die perfekte Wahl für Hochleistungs-Halbleiteranwendungen. Dank außergewöhnlicher Kristallqualität, strenger Qualitätskontrolle, kundenspezifischer Anpassung und einem breiten Anwendungsspektrum können wir auch kundenspezifische Anpassungen nach Ihren Wünschen vornehmen. Anfragen sind willkommen!