SiC-Substrat P- und D-Qualität, Durchmesser 50 mm, 4H-N 2 Zoll

SiC-Substrat der Güteklasse P und D, Durchmesser 50 mm, 4H-N, 2 Zoll. Ausgewähltes Bild

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid (SiC) ist eine binäre Verbindung der Gruppe IV-IV und ein Halbleitermaterialbestehend aus reinem Silizium und reinem Kohlenstoff. Stickstoff oder Phosphor können in SIC dotiert werden, um Halbleiter vom n-Typ zu bilden, oder Beryllium, Aluminium oder Gallium können dotiert werden, um Halbleiter vom p-Typ zu erzeugen. Es zeichnet sich durch hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Elektronenmobilität, hohe Durchbruchspannung, chemische Stabilität und Kompatibilität aus, gewährleistet ein effizientes Wärmemanagement, verbessert die Zuverlässigkeit und Leistung der Geräte, ermöglicht schnelles elektronisches Schalten für Hochfrequenzanwendungen und behält die Leistung unter extremen Bedingungen bei um die Lebensdauer des Geräts zu verlängern.

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Produktdetails

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Die Hauptmerkmale von 2-Zoll-SiC-Mosfet-Wafern sind wie folgt:

Hohe Wärmeleitfähigkeit: Gewährleistet ein effizientes Wärmemanagement und verbessert die Zuverlässigkeit und Leistung des Geräts

Hohe Elektronenmobilität: Ermöglicht schnelles elektronisches Schalten, geeignet für Hochfrequenzanwendungen

Chemische Stabilität: Hält die Leistung des Geräts unter extremen Bedingungen über die gesamte Lebensdauer aufrecht

Kompatibilität: Kompatibel mit bestehender Halbleiterintegration und Massenproduktion

2-Zoll-, 3-Zoll-, 4-Zoll-, 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC-Mosfet-Wafer werden häufig in den folgenden Bereichen eingesetzt: Leistungsmodule für Elektrofahrzeuge, Bereitstellung stabiler und effizienter Energiesysteme, Wechselrichter für erneuerbare Energiesysteme, Optimierung des Energiemanagements und der Umwandlungseffizienz,

SiC-Wafer und Epi-Layer-Wafer für die Satelliten- und Luft- und Raumfahrtelektronik, die eine zuverlässige Hochfrequenzkommunikation gewährleisten.

Optoelektronische Anwendungen für Hochleistungslaser und LEDs, die den Anforderungen fortschrittlicher Beleuchtungs- und Anzeigetechnologien gerecht werden.

Unsere SiC-Wafer-SiC-Substrate sind die ideale Wahl für Leistungselektronik und HF-Geräte, insbesondere dort, wo hohe Zuverlässigkeit und außergewöhnliche Leistung erforderlich sind. Jede Wafercharge wird strengen Tests unterzogen, um sicherzustellen, dass sie den höchsten Qualitätsstandards entspricht.

Unsere 2-Zoll-, 3-Zoll-, 4-Zoll-, 6-Zoll-, 8-Zoll-4H-N-SiC-Wafer vom Typ D und P sind die perfekte Wahl für Hochleistungs-Halbleiteranwendungen. Mit außergewöhnlicher Kristallqualität, strenger Qualitätskontrolle, kundenspezifischen Dienstleistungen und einem breiten Anwendungsspektrum können wir auch individuelle Anpassungen entsprechend Ihren Anforderungen arrangieren. Anfragen sind willkommen!