SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI Siliziumkarbid

4H-N und HPSI sind Polytypen von Siliziumkarbid (SiC) mit einer Kristallgitterstruktur aus hexagonalen Einheiten, die aus vier Kohlenstoff- und vier Siliziumatomen bestehen. Diese Struktur verleiht dem Material hervorragende Elektronenbeweglichkeit und Durchschlagsspannung. Unter allen SiC-Polytypen werden 4H-N und HPSI aufgrund ihrer ausgewogenen Elektronen- und Lochbeweglichkeit und ihrer höheren Wärmeleitfähigkeit häufig in der Leistungselektronik eingesetzt.

Die Einführung von 8-Zoll-SiC-Substraten stellt einen bedeutenden Fortschritt für die Leistungshalbleiterindustrie dar. Herkömmliche Halbleitermaterialien auf Siliziumbasis weisen unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen und hohen Spannungen einen deutlichen Leistungsabfall auf, während SiC-Substrate ihre hervorragende Leistung beibehalten können. Im Vergleich zu kleineren Substraten bieten 8-Zoll-SiC-Substrate eine größere Einzelteilverarbeitungsfläche, was zu höherer Produktionseffizienz und niedrigeren Kosten führt und somit entscheidend für die Kommerzialisierung der SiC-Technologie ist.

Die Wachstumstechnologie für 8-Zoll-Siliziumkarbid-Substrate (SiC) erfordert extrem hohe Präzision und Reinheit. Die Qualität des Substrats wirkt sich direkt auf die Leistung nachfolgender Geräte aus. Daher müssen Hersteller fortschrittliche Technologien einsetzen, um die kristalline Perfektion und geringe Defektdichte der Substrate sicherzustellen. Dies erfordert typischerweise komplexe chemische Gasphasenabscheidungsprozesse (CVD) sowie präzise Kristallwachstums- und Schneidetechniken. 4H-N- und HPSI-SiC-Substrate finden insbesondere in der Leistungselektronik breite Anwendung, beispielsweise in hocheffizienten Stromrichtern, Traktionswechselrichtern für Elektrofahrzeuge und erneuerbaren Energiesystemen.

Wir bieten 4H-N 8-Zoll-SiC-Substrate sowie verschiedene Substrat-Rohwafer an. Gerne fertigen wir auch individuelle Lösungen nach Ihren Wünschen. Anfragen sind willkommen!