SiC-Substrat Dia200mm 4H-N und HPSI Siliziumkarbid

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid-Substrat (SiC-Wafer) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke und hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften, das insbesondere in Umgebungen mit hohen Temperaturen, hoher Frequenz, hoher Leistung und hoher Strahlung hervorragend ist. 4H-V ist eine der kristallinen Strukturen von Siliziumkarbid. Darüber hinaus verfügen SiC-Substrate über eine gute Wärmeleitfähigkeit, was bedeutet, dass sie die von Geräten während des Betriebs erzeugte Wärme effektiv ableiten können, was die Zuverlässigkeit und Lebensdauer der Geräte weiter erhöht.

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4H-N und HPSI ist ein Polytyp von Siliziumkarbid (SiC) mit einer Kristallgitterstruktur, die aus hexagonalen Einheiten besteht, die aus vier Kohlenstoff- und vier Siliziumatomen bestehen. Diese Struktur verleiht dem Material hervorragende Elektronenmobilitäts- und Durchbruchspannungseigenschaften. Unter allen SiC-Polytypen werden 4H-N und HPSI aufgrund ihrer ausgewogenen Elektronen- und Lochmobilität und höheren Wärmeleitfähigkeit häufig im Bereich der Leistungselektronik eingesetzt.

Das Aufkommen von 8-Zoll-SiC-Substraten stellt einen bedeutenden Fortschritt für die Leistungshalbleiterindustrie dar. Herkömmliche Halbleitermaterialien auf Siliziumbasis erfahren unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen und hohen Spannungen einen erheblichen Leistungsabfall, während SiC-Substrate ihre hervorragende Leistung beibehalten können. Im Vergleich zu kleineren Substraten bieten 8-Zoll-SiC-Substrate eine größere Einzelstück-Verarbeitungsfläche, was zu einer höheren Produktionseffizienz und niedrigeren Kosten führt, was für die Förderung des Kommerzialisierungsprozesses der SiC-Technologie von entscheidender Bedeutung ist.

Die Wachstumstechnologie für 8-Zoll-Siliziumkarbid (SiC)-Substrate erfordert eine extrem hohe Präzision und Reinheit. Die Qualität des Substrats wirkt sich direkt auf die Leistung nachfolgender Geräte aus. Daher müssen Hersteller fortschrittliche Technologien einsetzen, um die kristalline Perfektion und niedrige Defektdichte der Substrate sicherzustellen. Dies umfasst typischerweise komplexe chemische Gasphasenabscheidungsprozesse (CVD) sowie präzise Kristallwachstums- und Schneidtechniken. 4H-N- und HPSI-SiC-Substrate werden besonders häufig im Bereich der Leistungselektronik eingesetzt, beispielsweise in hocheffizienten Leistungswandlern, Traktionswechselrichtern für Elektrofahrzeuge und Systemen für erneuerbare Energien.

Wir können 4H-N 8-Zoll-SiC-Substrat und verschiedene Qualitäten von Substratwafern liefern. Wir können auch eine Anpassung entsprechend Ihren Bedürfnissen arrangieren. Willkommene Anfrage!