Sic optische Linse 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Kundenspezifische Größe

1. Hoher Brechungsindex und breites Transmissionsfenster: Optische SiC-Linsen bieten eine außergewöhnliche optische Leistung mit einem Brechungsindex von ca. 2,6–2,7 über ihr gesamtes Betriebsspektrum. Dieses breite Transmissionsfenster (600–1850 nm) umfasst sowohl den sichtbaren als auch den nahen Infrarotbereich und ist daher besonders für multispektrale Bildgebungssysteme und breitbandige optische Anwendungen geeignet. Der niedrige Absorptionskoeffizient des Materials in diesen Bereichen sorgt für minimale Signaldämpfung, selbst bei Hochleistungslaseranwendungen.

2. Außergewöhnliche nichtlineare optische Eigenschaften: Die einzigartige Kristallstruktur von Siliziumkarbid verleiht ihm bemerkenswerte nichtlineare optische Koeffizienten (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2), die effiziente Frequenzkonversionsprozesse ermöglichen. Diese Eigenschaften werden in hochmodernen Anwendungen wie optischen parametrischen Oszillatoren, ultraschnellen Lasersystemen und rein optischen Signalverarbeitungsgeräten aktiv genutzt. Die hohe Zerstörschwelle des Materials (>5 GW/cm2) verbessert seine Eignung für hochintensive Anwendungen zusätzlich.

3. Mechanische und thermische Stabilität: Mit einem Elastizitätsmodul von fast 400 GPa und einer Wärmeleitfähigkeit von über 300 W/m·K behalten optische SiC-Komponenten eine außergewöhnliche Stabilität unter mechanischer Belastung und Temperaturwechseln. Der extrem niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient (4,0 × 10-6/K) sorgt für minimale Fokusverschiebungen bei Temperaturschwankungen – ein entscheidender Vorteil für optische Präzisionssysteme, die in schwankenden Temperaturumgebungen wie der Raumfahrt oder industriellen Laserbearbeitungsanlagen eingesetzt werden.

4. Quanteneigenschaften: Die Silizium-Vakanz- (VSi) und Divakanz-Farbzentren (VSiVC) in 4H-SiC- und 6H-SiC-Polytypen weisen optisch adressierbare Spinzustände mit langen Kohärenzzeiten bei Raumtemperatur auf. Diese Quantenemitter werden in skalierbare Quantennetzwerke integriert und sind besonders vielversprechend für die Entwicklung von Quantensensoren und Quantenspeichern bei Raumtemperatur in photonischen Quantencomputerarchitekturen.

5. CMOS-Kompatibilität: Die Kompatibilität von SiC mit Standard-Halbleiterfertigungsprozessen ermöglicht die direkte monolithische Integration in Silizium-Photonik-Plattformen. Dies ermöglicht die Entwicklung hybrider photonisch-elektronischer Systeme, die die optischen Vorteile von SiC mit der elektronischen Funktionalität von Silizium kombinieren und so neue Möglichkeiten für System-on-Chip-Designs in optischen Computer- und Sensoranwendungen eröffnen.