SiC-Kristallzuchtofen, SiC-Ingot-Züchtung, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, PTV, Lely, TSSG, LPE-Züchtungsmethode
Wichtigste Kristallzüchtungsmethoden und ihre Eigenschaften
(1) Physikalisches Dampfübertragungsverfahren (PTV)
Prinzip: Bei hohen Temperaturen sublimiert das SiC-Rohmaterial in die Gasphase, die anschließend auf dem Impfkristall rekristallisiert.
Hauptmerkmale:
Hohe Wachstumstemperatur (2000-2500°C).
Es können hochwertige, großformatige 4H-SiC- und 6H-SiC-Kristalle gezüchtet werden.
Das Wachstum verläuft langsam, die Kristallqualität ist jedoch hoch.
Anwendung: Hauptsächlich eingesetzt in der Leistungshalbleitertechnik, bei HF-Bauelementen und anderen High-End-Bereichen.
(2) Lely-Methode
Prinzip: Die Kristalle werden durch spontane Sublimation und Rekristallisation von SiC-Pulvern bei hohen Temperaturen gezüchtet.
Hauptmerkmale:
Für den Wachstumsprozess werden keine Impfkristalle benötigt, und die Kristallgröße ist gering.
Die Kristallqualität ist hoch, aber die Wachstumseffizienz ist gering.
Geeignet für Laborforschung und Kleinserienfertigung.
Anwendung: Hauptsächlich verwendet in der wissenschaftlichen Forschung und zur Herstellung von SiC-Kristallen kleiner Größe.
(3) Top-Seed-Lösungswachstumsmethode (TSSG)
Prinzip: In einer Hochtemperaturlösung löst sich das SiC-Rohmaterial auf und kristallisiert auf dem Impfkristall.
Hauptmerkmale:
Die Wachstumstemperatur ist niedrig (1500-1800°C).
Es können hochwertige SiC-Kristalle mit wenigen Defekten gezüchtet werden.
Das Wachstum verläuft langsam, aber die Kristallhomogenität ist gut.
Anwendung: Geeignet zur Herstellung hochwertiger SiC-Kristalle, beispielsweise für optoelektronische Bauelemente.
(4) Flüssigphasenepitaxie (LPE)
Prinzip: Epitaktisches Wachstum von SiC-Rohmaterial auf dem Substrat in einer flüssigen Metalllösung.
Hauptmerkmale:
Die Wachstumstemperatur ist niedrig (1000-1500°C).
Schnelles Wachstum, geeignet für Filmwachstum.
Die Kristallqualität ist hoch, die Dicke jedoch begrenzt.
Anwendung: Hauptsächlich verwendet für das epitaktische Wachstum von SiC-Filmen, wie sie beispielsweise in Sensoren und optoelektronischen Bauelementen zum Einsatz kommen.
Die wichtigsten Anwendungsgebiete des Siliziumkarbid-Kristallofens
Der SiC-Kristallofen ist die Kernausrüstung zur Herstellung von SiC-Kristallen und seine wichtigsten Anwendungsgebiete sind:
Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen: Wird verwendet, um hochwertige 4H-SiC- und 6H-SiC-Kristalle als Substratmaterialien für Leistungshalbleiterbauelemente (wie MOSFETs, Dioden) herzustellen.
Anwendungsgebiete: Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Wechselrichter, industrielle Stromversorgungen usw.
Herstellung von HF-Bauelementen: Wird verwendet, um SiC-Kristalle mit geringen Defekten als Substrate für HF-Bauelemente herzustellen, um den Hochfrequenzbedarf von 5G-Kommunikation, Radar und Satellitenkommunikation zu decken.
Herstellung optoelektronischer Bauelemente: Wird zur Züchtung hochwertiger SiC-Kristalle als Substratmaterialien für LEDs, ultraviolette Detektoren und Laser verwendet.
Wissenschaftliche Forschung und Kleinserienfertigung: für Laborforschung und Entwicklung neuer Materialien zur Unterstützung von Innovation und Optimierung der SiC-Kristallzüchtungstechnologie.
Herstellung von Hochtemperaturbauteilen: Wird zur Züchtung von hochtemperaturbeständigen SiC-Kristallen als Basismaterial für Luft- und Raumfahrt- sowie Hochtemperatursensoren verwendet.
SiC-Ofenanlagen und -dienstleistungen, die vom Unternehmen angeboten werden
XKH konzentriert sich auf die Entwicklung und Herstellung von SIC-Kristallofenanlagen und bietet folgende Dienstleistungen an:
Kundenspezifische Anlagen: XKH bietet kundenspezifische Wachstumsöfen mit verschiedenen Wachstumsmethoden wie PTV und TSSG gemäß den Kundenanforderungen an.
Technischer Support: XKH bietet seinen Kunden technischen Support für den gesamten Prozess, von der Optimierung des Kristallwachstumsprozesses bis hin zur Wartung der Anlagen.
Schulungsdienstleistungen: XKH bietet seinen Kunden operative Schulungen und technische Beratung, um einen effizienten Betrieb der Geräte zu gewährleisten.
Kundendienst: XKH bietet einen reaktionsschnellen Kundendienst und Geräte-Upgrades, um die Kontinuität der Kundenproduktion zu gewährleisten.
Die Siliziumkarbid-Kristallzüchtungstechnologie (z. B. PTV, Lely, TSSG, LPE) findet wichtige Anwendungen in der Leistungselektronik, bei HF-Bauelementen und in der Optoelektronik. XKH bietet fortschrittliche SiC-Ofenanlagen und ein umfassendes Serviceangebot, um Kunden bei der großtechnischen Produktion hochwertiger SiC-Kristalle zu unterstützen und die Entwicklung der Halbleiterindustrie zu fördern.
Detailliertes Diagramm
