SiC-Kristallwachstumsofen SiC-Ingot-Züchtung 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll PTV Lely TSSG LPE-Züchtungsmethode
Die wichtigsten Kristallzüchtungsmethoden und ihre Eigenschaften
(1) Physikalisches Dampfübertragungsverfahren (PTV)
Prinzip: Bei hohen Temperaturen sublimiert der SiC-Rohstoff in eine Gasphase, die anschließend auf dem Impfkristall rekristallisiert.
Haupteigenschaften:
Hohe Wachstumstemperatur (2000–2500 °C).
Es können hochwertige, große 4H-SiC- und 6H-SiC-Kristalle gezüchtet werden.
Die Wachstumsrate ist langsam, aber die Kristallqualität ist hoch.
Anwendung: Wird hauptsächlich in Leistungshalbleitern, HF-Geräten und anderen High-End-Bereichen verwendet.
(2) Lely-Methode
Prinzip: Kristalle werden durch spontane Sublimation und Rekristallisation von SiC-Pulvern bei hohen Temperaturen gezüchtet.
Haupteigenschaften:
Für den Wachstumsprozess sind keine Keime erforderlich und die Kristallgröße ist gering.
Die Kristallqualität ist hoch, die Wachstumseffizienz jedoch gering.
Geeignet für Laborforschung und Kleinserienproduktion.
Anwendung: Wird hauptsächlich in der wissenschaftlichen Forschung und Herstellung kleiner SiC-Kristalle verwendet.
(3) Top Seed Solution Growth-Methode (TSSG)
Prinzip: In einer Hochtemperaturlösung löst sich der SiC-Rohstoff auf und kristallisiert auf dem Impfkristall.
Haupteigenschaften:
Die Wachstumstemperatur ist niedrig (1500–1800 °C).
Es können qualitativ hochwertige SiC-Kristalle mit wenigen Defekten gezüchtet werden.
Die Wachstumsrate ist langsam, aber die Kristallgleichmäßigkeit ist gut.
Anwendung: Geeignet für die Herstellung hochwertiger SiC-Kristalle, beispielsweise für optoelektronische Geräte.
(4) Flüssigphasenepitaxie (LPE)
Prinzip: In einer flüssigen Metalllösung wächst SiC-Rohmaterial epitaktisch auf dem Substrat.
Haupteigenschaften:
Die Wachstumstemperatur ist niedrig (1000–1500 °C).
Schnelle Wachstumsrate, geeignet für Filmwachstum.
Die Kristallqualität ist hoch, die Dicke jedoch begrenzt.
Anwendung: Wird hauptsächlich für das epitaktische Wachstum von SiC-Filmen wie Sensoren und optoelektronischen Geräten verwendet.
Die wichtigsten Anwendungsmöglichkeiten des Siliziumkarbid-Kristallofens
Der SiC-Kristallofen ist die Kernausrüstung zur Herstellung von SiC-Kristallen und seine Hauptanwendungsmöglichkeiten umfassen:
Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen: Wird zum Züchten hochwertiger 4H-SiC- und 6H-SiC-Kristalle als Substratmaterialien für Leistungsbauelemente (wie MOSFETs, Dioden) verwendet.
Anwendungen: Elektrofahrzeuge, Photovoltaik-Wechselrichter, industrielle Stromversorgungen usw.
Herstellung von HF-Geräten: Wird zum Züchten defektarmer SiC-Kristalle als Substrate für HF-Geräte verwendet, um den Hochfrequenzbedarf der 5G-Kommunikation sowie der Radar- und Satellitenkommunikation zu decken.
Herstellung optoelektronischer Geräte: Wird zum Züchten hochwertiger SiC-Kristalle als Substratmaterialien für LEDs, UV-Detektoren und Laser verwendet.
Wissenschaftliche Forschung und Kleinserienproduktion: für Laborforschung und Entwicklung neuer Materialien zur Unterstützung der Innovation und Optimierung der SiC-Kristallwachstumstechnologie.
Herstellung von Hochtemperaturgeräten: Wird zum Züchten hochtemperaturbeständiger SiC-Kristalle als Basismaterial für die Luft- und Raumfahrt und Hochtemperatursensoren verwendet.
SiC-Ofenausrüstung und -Dienstleistungen des Unternehmens
XKH konzentriert sich auf die Entwicklung und Herstellung von SIC-Kristallofenausrüstung und bietet die folgenden Dienstleistungen an:
Kundenspezifische Ausrüstung: XKH bietet kundenspezifische Wachstumsöfen mit verschiedenen Wachstumsmethoden wie PTV und TSSG entsprechend den Kundenanforderungen.
Technischer Support: XKH bietet Kunden technischen Support für den gesamten Prozess, von der Optimierung des Kristallwachstumsprozesses bis zur Gerätewartung.
Schulungsdienste: XKH bietet Kunden Betriebsschulungen und technische Beratung an, um einen effizienten Betrieb der Geräte zu gewährleisten.
Kundendienst: XKH bietet einen schnellen Kundendienst und Geräte-Upgrades, um die Kontinuität der Kundenproduktion sicherzustellen.
Siliziumkarbid-Kristallzüchtungstechnologien (wie PTV, Lely, TSSG, LPE) finden wichtige Anwendung in der Leistungselektronik, bei HF-Geräten und in der Optoelektronik. XKH bietet moderne SiC-Ofenanlagen und ein umfassendes Serviceangebot, um Kunden bei der Massenproduktion hochwertiger SiC-Kristalle zu unterstützen und die Entwicklung der Halbleiterindustrie zu fördern.
Detailliertes Diagramm
