SiC-Barren, Typ 4H, Durchmesser 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke 5–10 mm, Forschungs-/Dummy-Qualität

SiC-Barren vom Typ 4H, Durchmesser 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke 5–10 mm, Forschungs-/Dummy-Qualität. Ausgewähltes Bild

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid (SiC) hat sich aufgrund seiner überlegenen elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften zu einem Schlüsselmaterial für fortschrittliche elektronische und optoelektronische Anwendungen entwickelt. Der 4H-SiC-Ingot, erhältlich in Durchmessern von 4 Zoll und 6 Zoll und einer Dicke von 5–10 mm, ist ein Basisprodukt für Forschungs- und Entwicklungszwecke oder als Dummy-Material. Dieser Ingot soll Forschern und Herstellern hochwertige SiC-Substrate liefern, die für die Herstellung von Prototypen, experimentelle Studien oder Kalibrierungs- und Testverfahren geeignet sind. Mit seiner einzigartigen hexagonalen Kristallstruktur bietet der 4H-SiC-Ingot eine breite Anwendbarkeit in der Leistungselektronik, Hochfrequenzgeräten und strahlungsbeständigen Systemen.

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Produktdetails

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Eigenschaften

1. Kristallstruktur und -orientierung
Polytyp: 4H (sechseckige Struktur)
Gitterkonstanten:
a = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Ausrichtung: Typischerweise [0001] (C-Ebene), aber auch andere Ausrichtungen wie [11\overline{2}0] (A-Ebene) sind auf Anfrage erhältlich.

2. Physikalische Abmessungen
Durchmesser:
Standardoptionen: 4 Zoll (100 mm) und 6 Zoll (150 mm)
Dicke:
Erhältlich im Bereich von 5–10 mm, anpassbar je nach Anwendungsanforderungen.

3. Elektrische Eigenschaften
Dotierungstyp: Erhältlich als intrinsisch (halbisolierend), n-Typ (dotiert mit Stickstoff) oder p-Typ (dotiert mit Aluminium oder Bor).

4. Thermische und mechanische Eigenschaften
Wärmeleitfähigkeit: 3,5–4,9 W/cm·K bei Raumtemperatur, was eine hervorragende Wärmeableitung ermöglicht.
Härte: Mohs-Skala 9, womit SiC in der Härte nach Diamant an zweiter Stelle steht.

Parameter	Einzelheiten	Einheit
Wachstumsmethode	PVT (Physikalischer Dampftransport)
Durchmesser	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
Polytypie	4H / 6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Oberflächenausrichtung	0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (andere)	Grad
Typ	N-Typ
Dicke	5-10 / 10-15 / >15	mm
Primäre flache Ausrichtung	(10-10) ± 5,0˚	Grad
Primäre flache Länge	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Sekundäre flache Ausrichtung	90˚ CCW von der Ausrichtung ± 5,0˚	Grad
Sekundäre flache Länge	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Keine (150 mm)	mm
Grad	Forschung / Dummy

Anwendungen

1. Forschung und Entwicklung

Der 4H-SiC-Ingot in Forschungsqualität ist ideal für akademische und industrielle Labore, die sich auf die Entwicklung von SiC-basierten Geräten konzentrieren. Seine überlegene Kristallqualität ermöglicht präzise Experimente zu SiC-Eigenschaften, wie zum Beispiel:
Studien zur Trägermobilität.
Techniken zur Fehlercharakterisierung und -minimierung.
Optimierung epitaktischer Wachstumsprozesse.

2. Dummy-Substrat
Der Barren in Dummy-Qualität wird häufig in Test-, Kalibrierungs- und Prototyping-Anwendungen verwendet. Es ist eine kostengünstige Alternative für:
Prozessparameterkalibrierung bei Chemical Vapour Deposition (CVD) oder Physical Vapour Deposition (PVD).
Bewertung von Ätz- und Polierprozessen in Fertigungsumgebungen.

3. Leistungselektronik
Aufgrund seiner großen Bandlücke und hohen Wärmeleitfähigkeit ist 4H-SiC ein Grundstein für die Leistungselektronik, wie zum Beispiel:
Hochspannungs-MOSFETs.
Schottky-Barrieredioden (SBDs).
Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFETs).
Zu den Anwendungen gehören Wechselrichter für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und intelligente Netze.

4. Hochfrequenzgeräte
Die hohe Elektronenmobilität und die geringen Kapazitätsverluste des Materials machen es geeignet für:
Hochfrequenztransistoren (RF).
Drahtlose Kommunikationssysteme, einschließlich 5G-Infrastruktur.
Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen, die Radarsysteme erfordern.

5. Strahlungsbeständige Systeme
Die inhärente Beständigkeit von 4H-SiC gegenüber Strahlungsschäden macht es unverzichtbar in rauen Umgebungen wie:
Hardware zur Weltraumforschung.
Überwachungsgeräte für Kernkraftwerke.
Elektronik in Militärqualität.

6. Neue Technologien
Mit der Weiterentwicklung der SiC-Technologie erweitern sich ihre Anwendungen immer weiter in Bereichen wie:
Photonik- und Quantencomputing-Forschung.
Entwicklung von Hochleistungs-LEDs und UV-Sensoren.
Integration in Halbleiter-Heterostrukturen mit großer Bandlücke.
Vorteile von 4H-SiC-Ingot
Hohe Reinheit: Hergestellt unter strengen Bedingungen, um Verunreinigungen und Defektdichte zu minimieren.
Skalierbarkeit: Erhältlich mit 4-Zoll- und 6-Zoll-Durchmessern zur Unterstützung von Industriestandard- und Forschungsanforderungen.
Vielseitigkeit: Anpassbar an verschiedene Dotierungsarten und -ausrichtungen, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
Robuste Leistung: Überragende thermische und mechanische Stabilität unter extremen Betriebsbedingungen.

Abschluss

Der 4H-SiC-Ingot steht mit seinen außergewöhnlichen Eigenschaften und vielfältigen Einsatzmöglichkeiten an der Spitze der Materialinnovation für die Elektronik und Optoelektronik der nächsten Generation. Ob für die akademische Forschung, das industrielle Prototyping oder die Herstellung fortschrittlicher Geräte – diese Barren bieten eine zuverlässige Plattform, um die Grenzen der Technologie zu verschieben. Mit anpassbaren Abmessungen, Dotierungen und Ausrichtungen ist der 4H-SiC-Ingot auf die sich verändernden Anforderungen der Halbleiterindustrie zugeschnitten.
Wenn Sie mehr erfahren oder eine Bestellung aufgeben möchten, wenden Sie sich bitte an uns für detaillierte Spezifikationen und technische Beratung.