SiC-Barren Typ 4H, Durchmesser 4 Zoll, 6 Zoll, Dicke 5–10 mm, Forschungs-/Dummy-Qualität

Kurze Beschreibung:

Siliziumkarbid (SiC) hat sich aufgrund seiner hervorragenden elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften als Schlüsselmaterial für fortschrittliche elektronische und optoelektronische Anwendungen etabliert. Der 4H-SiC-Ingot, erhältlich in den Durchmessern 4 Zoll und 6 Zoll und einer Dicke von 5–10 mm, ist ein Basisprodukt für Forschungs- und Entwicklungszwecke oder als Dummy-Material. Dieser Ingot wurde entwickelt, um Forschern und Herstellern hochwertige SiC-Substrate für die Herstellung von Prototypen, experimentelle Studien sowie Kalibrierungs- und Testverfahren zu liefern. Dank seiner einzigartigen hexagonalen Kristallstruktur bietet der 4H-SiC-Ingot breite Anwendungsmöglichkeiten in der Leistungselektronik, Hochfrequenzbauelementen und strahlungsresistenten Systemen.

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Produktdetail

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Eigenschaften

1. Kristallstruktur und Orientierung
Polytyp: 4H (hexagonale Struktur)
Gitterkonstanten:
a = 3,073 Å
c = 10,053 Å
Ausrichtung: Normalerweise [0001] (C-Ebene), aber auf Anfrage sind auch andere Ausrichtungen wie [11\overline{2}0] (A-Ebene) erhältlich.

2. Physikalische Abmessungen
Durchmesser:
Standardoptionen: 4 Zoll (100 mm) und 6 Zoll (150 mm)
Dicke:
Erhältlich im Bereich von 5–10 mm, anpassbar je nach Anwendungsanforderungen.

3. Elektrische Eigenschaften
Dotierungstyp: Verfügbar als intrinsisch (halbisolierend), n-Typ (mit Stickstoff dotiert) oder p-Typ (mit Aluminium oder Bor dotiert).

4. Thermische und mechanische Eigenschaften
Wärmeleitfähigkeit: 3,5–4,9 W/cm·K bei Raumtemperatur, ermöglicht eine hervorragende Wärmeableitung.
Härte: Mohs-Skala 9, womit SiC in der Härte nur Diamanten unterlegen ist.

Parameter	Details	Einheit
Wachstumsmethode	PVT (Physikalischer Dampftransport)
Durchmesser	50,8 ± 0,5 / 76,2 ± 0,5 / 100,0 ± 0,5 / 150 ± 0,5	mm
Polytypie	4H / 6H (50,8 mm), 4H (76,2 mm, 100,0 mm, 150 mm)
Oberflächenorientierung	0,0˚ / 4,0˚ / 8,0˚ ± 0,5˚ (50,8 mm), 4,0˚ ± 0,5˚ (andere)	Grad
Typ	N-Typ
Dicke	5-10 / 10-15 / >15	mm
Primäre flache Ausrichtung	(10-10) ± 5,0˚	Grad
Primäre flache Länge	15,9 ± 2,0 (50,8 mm), 22,0 ± 3,5 (76,2 mm), 32,5 ± 2,0 (100,0 mm), 47,5 ± 2,5 (150 mm)	mm
Sekundäre flache Ausrichtung	90˚ gegen den Uhrzeigersinn von der Ausrichtung ± 5,0˚	Grad
Sekundäre flache Länge	8,0 ± 2,0 (50,8 mm), 11,2 ± 2,0 (76,2 mm), 18,0 ± 2,0 (100,0 mm), Keine (150 mm)	mm
Grad	Forschung / Dummy

Anwendungen

1. Forschung und Entwicklung

Der 4H-SiC-Ingot in Forschungsqualität eignet sich ideal für akademische und industrielle Labore, die sich auf die Entwicklung SiC-basierter Geräte konzentrieren. Seine überlegene Kristallqualität ermöglicht präzise Experimente zu SiC-Eigenschaften, wie zum Beispiel:
Studien zur Mobilität von Trägern.
Techniken zur Defektcharakterisierung und -minimierung.
Optimierung epitaktischer Wachstumsverfahren.

2. Dummy-Substrat
Der Dummy-Grade-Ingot wird häufig in Test-, Kalibrierungs- und Prototyping-Anwendungen eingesetzt. Er ist eine kostengünstige Alternative für:
Kalibrierung der Prozessparameter bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD).
Bewertung von Ätz- und Polierprozessen in Fertigungsumgebungen.

3. Leistungselektronik
Aufgrund seiner großen Bandlücke und hohen Wärmeleitfähigkeit ist 4H-SiC ein Eckpfeiler für die Leistungselektronik, beispielsweise:
Hochspannungs-MOSFETs.
Schottky-Barrieredioden (SBDs).
Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFETs).
Zu den Anwendungen gehören Wechselrichter für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter und intelligente Stromnetze.

4. Hochfrequenzgeräte
Aufgrund der hohen Elektronenbeweglichkeit und der geringen Kapazitätsverluste eignet sich das Material für:
Hochfrequenztransistoren (RF).
Drahtlose Kommunikationssysteme, einschließlich 5G-Infrastruktur.
Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen, die Radarsysteme erfordern.

5. Strahlungsresistente Systeme
Die inhärente Beständigkeit von 4H-SiC gegen Strahlenschäden macht es unverzichtbar in rauen Umgebungen wie:
Hardware zur Weltraumerkundung.
Überwachungsgeräte für Kernkraftwerke.
Elektronik in Militärqualität.

6. Neue Technologien
Mit der Weiterentwicklung der SiC-Technologie werden auch weiterhin Anwendungen in folgenden Bereichen eingesetzt:
Photonik- und Quantencomputerforschung.
Entwicklung von Hochleistungs-LEDs und UV-Sensoren.
Integration in Halbleiter-Heterostrukturen mit großer Bandlücke.
Vorteile des 4H-SiC-Ingots
Hohe Reinheit: Hergestellt unter strengen Bedingungen, um Verunreinigungen und Defektdichte zu minimieren.
Skalierbarkeit: Erhältlich in den Durchmessern 4 Zoll und 6 Zoll, um den Anforderungen des Industriestandards und des Forschungsmaßstabs gerecht zu werden.
Vielseitigkeit: Anpassbar an verschiedene Dotierungsarten und Ausrichtungen, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
Robuste Leistung: Überlegene thermische und mechanische Stabilität unter extremen Betriebsbedingungen.

Abschluss

Der 4H-SiC-Ingot mit seinen außergewöhnlichen Eigenschaften und vielfältigen Anwendungsmöglichkeiten ist ein Vorreiter der Materialinnovation für die Elektronik und Optoelektronik der nächsten Generation. Ob für die akademische Forschung, das industrielle Prototyping oder die Herstellung fortschrittlicher Geräte – diese Ingots bieten eine zuverlässige Plattform, um die Grenzen der Technologie zu erweitern. Mit anpassbaren Abmessungen, Dotierungen und Ausrichtungen ist der 4H-SiC-Ingot auf die wachsenden Anforderungen der Halbleiterindustrie zugeschnitten.
Wenn Sie mehr erfahren oder eine Bestellung aufgeben möchten, können Sie sich gerne an uns wenden, um detaillierte Spezifikationen und technische Beratung zu erhalten.