SiC-Keramiktablettplatte aus Graphit mit CVD-SiC-Beschichtung für Geräte

Siliziumkarbidkeramik wird nicht nur in der Dünnschichtabscheidungsphase wie Epitaxie oder MOCVD oder in der Waferverarbeitung eingesetzt, bei der die Waferträgerschalen für MOCVD zunächst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt werden und daher äußerst widerstandsfähig sind Hitze und Korrosion. SiC-beschichtete Träger verfügen außerdem über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

Reine chemische Gasphasenabscheidungs-Siliziumkarbid-(CVD-SiC)-Waferträger für die Hochtemperaturverarbeitung durch metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD).

Reine CVD-SiC-Waferträger sind den herkömmlichen, in diesem Prozess verwendeten Waferträgern, die aus Graphit bestehen und mit einer CVD-SiC-Schicht beschichtet sind, deutlich überlegen. Diese beschichteten Träger auf Graphitbasis können den hohen Temperaturen (1100 bis 1200 Grad Celsius), die für die GaN-Abscheidung der heutigen blauen und weißen LEDs mit hoher Helligkeit erforderlich sind, nicht standhalten. Durch die hohen Temperaturen bilden sich in der Beschichtung winzige Nadellöcher, durch die Prozesschemikalien den darunter liegenden Graphit erodieren. Anschließend platzen die Graphitpartikel ab und verunreinigen das GaN, sodass der beschichtete Waferträger ausgetauscht werden muss.

CVD-SiC hat eine Reinheit von 99,999 % oder mehr und verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und Thermoschockbeständigkeit. Daher hält es den hohen Temperaturen und rauen Umgebungen bei der Herstellung von LEDs mit hoher Helligkeit stand. Es handelt sich um ein festes monolithisches Material, das eine theoretische Dichte erreicht, minimale Partikel produziert und eine sehr hohe Korrosions- und Erosionsbeständigkeit aufweist. Das Material kann Opazität und Leitfähigkeit ändern, ohne metallische Verunreinigungen einzubringen. Waferträger haben typischerweise einen Durchmesser von 17 Zoll und können bis zu 40 Wafer von 2 bis 4 Zoll aufnehmen.