Der Prozess, der von der Halbleiter-Laser-Lift-Off-Anlage durchgeführt wird, beginnt mit der Bestrahlung des Spenderblocks von einer Seite mit einem hochenergetischen ultravioletten Laserstrahl. Dieser Strahl wird eng auf eine bestimmte innere Tiefe fokussiert, typischerweise entlang einer konstruierten Schnittstelle, wo die Energieabsorption aufgrund des optischen, thermischen oder chemischen Kontrasts maximiert wird.

An dieser Energieabsorptionsschicht führt eine lokale Erwärmung zu einer schnellen Mikroexplosion, Gasausdehnung oder Zersetzung einer Grenzflächenschicht (z. B. eines Stressorfilms oder Opferoxids). Diese präzise kontrollierte Zerstörung führt dazu, dass sich die obere kristalline Schicht – mit einer Dicke von mehreren zehn Mikrometern – sauber vom Basisblock löst.

Die Semiconductor Laser Lift-Off-Anlage nutzt bewegungssynchronisierte Scanköpfe, programmierbare Z-Achsen-Steuerung und Echtzeit-Reflektometrie, um sicherzustellen, dass jeder Puls die Energie exakt auf die Zielebene abgibt. Die Anlage kann zudem mit Burst-Mode- oder Multipuls-Funktionen konfiguriert werden, um die Ablösung gleichmäßiger zu gestalten und Eigenspannungen zu minimieren. Da der Laserstrahl das Material nie physisch berührt, wird das Risiko von Mikrorissen, Verbiegungen oder Oberflächenabsplitterungen drastisch reduziert.

Dies macht die Laser-Lift-Off-Dünnungsmethode zu einem bahnbrechenden Verfahren, insbesondere bei Anwendungen, bei denen ultraflache, ultradünne Wafer mit einer TTV (Total Thickness Variation) im Submikronbereich benötigt werden.