Halbleiterausrüstung
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Laser-Fälschungsschutz-Markierungssystem für Saphirsubstrate, Zifferblätter, Luxusschmuck
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SiC-Kristallwachstumsofen SiC-Ingot-Züchtung 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll PTV Lely TSSG LPE-Züchtungsmethode
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Kleine Tischlaserstanzmaschine 1000 W – 6000 W, Mindestöffnung 0,1 mm, kann für Metallglaskeramikmaterialien verwendet werden
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Hochpräzise Laserbohrmaschine zum Bohren von Edelsteinlagerdüsen aus Saphirkeramikmaterial
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Saphir-Einkristall Al2O3-Züchtungsofen KY-Methode Kyropoulos-Herstellung von hochwertigem Saphirkristall
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Ofen für monokristallines Siliziumwachstum, System zur monokristallinen Silizium-Ingot-Züchtung, Gerätetemperatur bis zu 2100 °C
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Saphirkristall-Züchtungsofen Czochralski-Einkristallofen CZ-Methode zum Züchten hochwertiger Saphir-Wafer