Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundsubstraten

Diese Kombination bietet eine Reihe von Vorteilen in der Elektronikfertigung:

Kompatibilität: Die Verwendung eines Siliziumsubstrats macht es kompatibel mit Standardverarbeitungstechniken auf Siliziumbasis und ermöglicht die Integration in bestehende Halbleiterfertigungsprozesse.

Hochtemperaturleistung: SiC verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und kann bei hohen Temperaturen betrieben werden, wodurch es für elektronische Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen geeignet ist.

Hohe Durchbruchspannung: SiC-Materialien haben eine hohe Durchbruchspannung und können hohen elektrischen Feldern ohne elektrischen Durchschlag standhalten.

Reduzierter Leistungsverlust: SiC-Substrate ermöglichen eine effizientere Leistungsumwandlung und einen geringeren Leistungsverlust in elektronischen Geräten im Vergleich zu herkömmlichen Materialien auf Siliziumbasis.

Große Bandbreite: SiC verfügt über eine große Bandbreite, was die Entwicklung elektronischer Geräte ermöglicht, die bei höheren Temperaturen und höheren Leistungsdichten betrieben werden können.

Halbisolierendes SiC auf Si-Verbundsubstraten kombiniert also die Kompatibilität von Silizium mit den überlegenen elektrischen und thermischen Eigenschaften von SiC und macht es so für Hochleistungselektronikanwendungen geeignet.

Verpackung und Lieferung

1. Für die Verpackung verwenden wir schützenden Kunststoff und eine individuelle Verpackung. (Umweltfreundliches Material)

2. Wir können je nach Menge eine maßgeschneiderte Verpackung durchführen.

3. DHL/Fedex/UPS Express benötigt in der Regel etwa 3–7 Werktage bis zum Zielort.