Halbisolierende SiC-auf-Si-Verbundsubstrate

Diese Kombination bietet eine Reihe von Vorteilen in der Elektronikfertigung:

Kompatibilität: Durch die Verwendung eines Siliziumsubstrats ist es mit Standardverfahren der Siliziumverarbeitung kompatibel und ermöglicht die Integration in bestehende Halbleiterfertigungsprozesse.

Hochtemperaturverhalten: SiC besitzt eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und kann bei hohen Temperaturen betrieben werden, wodurch es sich für elektronische Anwendungen mit hoher Leistung und hohen Frequenzen eignet.

Hohe Durchbruchspannung: SiC-Materialien besitzen eine hohe Durchbruchspannung und können hohen elektrischen Feldern ohne elektrischen Durchschlag standhalten.

Geringere Leistungsverluste: SiC-Substrate ermöglichen eine effizientere Leistungsumwandlung und geringere Leistungsverluste in elektronischen Geräten im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Materialien.

Große Bandbreite: SiC verfügt über eine große Bandbreite, was die Entwicklung elektronischer Bauelemente ermöglicht, die bei höheren Temperaturen und höheren Leistungsdichten arbeiten können.

Halbisolierende SiC-auf-Si-Verbundsubstrate kombinieren die Kompatibilität von Silizium mit den überlegenen elektrischen und thermischen Eigenschaften von SiC und eignen sich daher für Anwendungen in der Hochleistungselektronik.

Verpackung und Lieferung

1. Wir verwenden schützende Plastikfolie und maßgefertigte Kartons für die Verpackung. (Umweltfreundliches Material)

2. Wir können die Verpackung je nach Menge individuell anpassen.

3. DHL/FedEx/UPS Express benötigt in der Regel 3-7 Werktage bis zum Zielort.