Produkte
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SiC-Keramik-Spannfutterschale Keramik-Saugnäpfe Präzisionsbearbeitung kundenspezifisch
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Saphirfaserdurchmesser 75-500μm LHPG-Methode kann für Saphirfaser-Hochtemperatursensor verwendet werden
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Saphirfaser-Einkristall Al₂O₃ mit hoher optischer Transmission und Schmelzpunkt 2072℃ kann für Laserfenstermaterialien verwendet werden
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Gemustertes Saphirsubstrat PSS 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll ICP-Trockenätzen kann für LED-Chips verwendet werden
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Kleine Tischlaserstanzmaschine 1000 W – 6000 W, Mindestöffnung 0,1 mm, kann für Metallglaskeramikmaterialien verwendet werden
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Saphir-Thermoelement-Schutzrohrprodukte für den industriellen Einsatz Einkristall Al2O3
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Hochpräzise Laserbohrmaschine zum Bohren von Edelsteinlagerdüsen aus Saphirkeramikmaterial
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Saphir-Einkristall Al2O3-Züchtungsofen KY-Methode Kyropoulos-Herstellung von hochwertigem Saphirkristall
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2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Gemustertes Saphirsubstrat (PSS), auf dem GaN-Material gezüchtet wird, kann für LED-Beleuchtung verwendet werden
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4H-N/6H-N SiC-Wafer, Forschungsproduktion, Dummy-Qualität, Durchmesser 150 mm, Siliziumkarbid-Substrat
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Ofen für monokristallines Siliziumwachstum, System zur monokristallinen Silizium-Ingot-Züchtung, Gerätetemperatur bis zu 2100 °C
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Saphirkristall-Züchtungsofen Czochralski-Einkristallofen CZ-Methode zum Züchten hochwertiger Saphir-Wafer