Produkte
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Ni-Substrat/Wafer-Einkristall, kubische Struktur a = 3,25 A, Dichte 8,91
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Magnesium-Einkristallsubstrat Mg-Wafer-Reinheit 99,99 % 5x5x0,5/1mm 10x10x0,5/1mm20x20x0,5/1mm
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Magnesium-Einkristall-Mg-Wafer DSP-SSP-Ausrichtung
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Einkristallsubstrat aus Aluminiummetall, poliert und in Abmessungen für die Herstellung integrierter Schaltkreise verarbeitet
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Aluminiumsubstrat Einkristall-Aluminiumsubstratausrichtung 111 100 111 5×5×0,5 mm
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Quarzglas-Wafer JGS1 JGS2 BF33 Wafer 8 Zoll 12 Zoll 725 ± 25 um oder kundenspezifisch
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Saphirrohr CZ-Methode KY-Methode Hohe Temperaturbeständigkeit Al2O3 99,999 % einkristalliner Saphir
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p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYP SIC-Substrat 4 Zoll 〈111〉 ± 0,5°Null MPD
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SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mit einer Dicke von 350 µm, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
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4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer, Null-MPD-Qualität, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
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P-Typ SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Ausrichtung
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Aluminiumoxid-Keramikarm, kundenspezifischer Keramik-Roboterarm