Produkte
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SiC-Substrat, P-Typ 4H/6H-P 3C-N, 4 Zoll, Dicke 350 µm, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
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4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer, MPD-Null-Qualität, Produktionsqualität, Dummy-Qualität
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P-Typ SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Orientierung
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Aluminiumoxid-Keramikarm, kundenspezifischer Keramik-Roboterarm
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Al2O3 99,999 % Saphir kundenspezifische Klinge transparent verschleißfest 38×4,5×0,3 mm
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Al2O3 99,999 % Saphir kundenspezifische Klinge transparent verschleißfest 38×4,5×0,3 mm
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Lila YAG-Rohmaterialpulver, lila, auf Lager
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TVG-Prozess auf Quarz-Saphir-BF33-Wafer, Glaswafer-Stanzen
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Silizium-Einkristallwafer, Si-Substrat Typ N/P, optionaler Siliziumkarbidwafer
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N-Typ SiC-Verbundsubstrate, Durchmesser 6 Zoll, hochwertige monokristalline und minderwertige Substrate
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Halbisolierende SiC-auf-Si-Verbundsubstrate
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Halbisolierende SiC-Verbundsubstrate, Durchmesser 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll, HPSI