Produkte
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100 mm 4 Zoll GaN auf Saphir-Epischicht-Wafer Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer
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2 Zoll 50,8 mm Dicke 0,1 mm 0,2 mm 0,43 mm Saphir-Wafer C-Ebene M-Ebene R-Ebene A-Ebene
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150 mm 200 mm 6 Zoll 8 Zoll GaN auf Silizium-Epischicht-Wafer Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer
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8 Zoll 200 mm Saphir-Waferträger-Substrat SSP DSP Dicke 0,5 mm 0,75 mm
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2-Zoll-Siliziumkarbid-Wafer 6H oder 4H N-Typ oder halbisolierende SiC-Substrate
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4 Zoll 6 Zoll Lithiumniobat-Einkristallfilm LNOI-Wafer
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4H-N 4 Zoll SiC-Substrat-Wafer Siliziumkarbid-Produktions-Dummy Forschungsqualität
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Hochpräzise Saphirfenster mit 50 x 5 mm Durchmesser. Hohe Temperaturbeständigkeit und hohe Härte.
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6 Zoll 150 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer Typ 4H-N für MOS- oder SBD-Produktionsforschung und Dummy-Qualität
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Stufenlöcher Durchmesser 25,4 × 2,0 mm Saphir-Linsenfenster
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2 Zoll 50,8 mm Einzelwaferträgerbox aus PC und PP
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8 Zoll 200 mm 4H-N SiC-Wafer, leitfähiger Dummy, Forschungsqualität