Produkte
-
Oberflächenbearbeitungsverfahren für titandotierte Saphirkristall-Laserstäbe
-
8 Zoll 200 mm Siliziumkarbid-SiC-Wafer Typ 4H-N, Produktionsqualität, 500 µm Dicke
-
2 Zoll 6H-N Siliziumkarbidsubstrat Sic Wafer doppelt poliert leitfähig Prime Grade Mos Grade
-
200 mm 8 Zoll GaN auf Saphir-Epi-Layer-Wafersubstrat
-
Saphirrohr KY-Methode ganz transparent Anpassbar
-
6 Zoll leitfähiges SiC-Verbundsubstrat 4H Durchmesser 150 mm Ra ≤ 0,2 nm Warp ≤ 35 μm
-
Infrarot-Nanosekunden-Laserbohrgerät zum Bohren von Glas mit einer Dicke von ≤ 20 mm
-
Ausrüstung zur Mikrostrahllasertechnologie zum Schneiden von Wafern, SiC-Materialverarbeitung
-
Siliziumkarbid-Diamantdrahtschneidemaschine 4/6/8/12 Zoll SiC-Barrenverarbeitung
-
CVD-Verfahren zur Herstellung hochreiner SiC-Rohstoffe im Siliziumkarbid-Syntheseofen bei 1600 °C
-
Siliziumkarbid-Widerstand, langer Kristallofen, der 6/8/12 Zoll SiC-Ingot-Kristall PVT-Methode züchtet
-
Doppelstation-Quadratmaschine zur Verarbeitung monokristalliner Siliziumstäbe, 6/8/12 Zoll Oberflächenebenheit Ra≤0,5μm