Produkte
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Ni Substrat/Wafer Einkristall kubische Struktur a=3,25A Dichte 8,91
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Magnesium-Einkristallsubstrat Mg-Wafer-Reinheit 99,99 % 5 x 5 x 0,5/1 mm 10 x 10 x 0,5/1 mm 20 x 20 x 0,5/1 mm
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Magnesium Einkristall Mg-Wafer DSP SSP Orientierung
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Aluminiummetall-Einkristallsubstrat, poliert und in Abmessungen für die Herstellung integrierter Schaltkreise verarbeitet
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Aluminiumsubstrat Einkristallines Aluminiumsubstrat Orientierung 111 100 111 5×5×0,5 mm
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Quarzglas-Wafer JGS1 JGS2 BF33 Wafer 8 Zoll 12 Zoll 725 ± 25 um oder besonders angefertigt
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Saphirrohr CZ-Methode KY-Methode Hochtemperaturbeständiger Al2O3 99,999 % Einkristall-Saphir
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p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYP SIC-Substrat 4 Zoll 〈111〉± 0,5° Null MPD
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SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mit einer Dicke von 350 µm Produktionsqualität Dummy-Qualität
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4H/6H-P 6-Zoll-SiC-Wafer Null-MPD-Klasse Produktionsklasse Dummy-Klasse
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P-Typ-SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Ausrichtung
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Aluminiumoxid-Keramikarm, kundenspezifischer Keramik-Roboterarm