P-Typ-SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Ausrichtung

Kurze Beschreibung:

Der p-Typ-SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N ist ein 6-Zoll-Halbleitermaterial mit einer Dicke von 350 μm und primärer flacher Ausrichtung, das für fortschrittliche elektronische Anwendungen entwickelt wurde. Bekannt für seine hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung sowie Beständigkeit gegen extreme Temperaturen und korrosive Umgebungen, eignet sich dieser Wafer für elektronische Hochleistungsgeräte. Die p-Typ-Dotierung führt Löcher als primäre Ladungsträger ein und macht ihn ideal für Leistungselektronik und HF-Anwendungen. Seine robuste Struktur gewährleistet eine stabile Leistung unter Hochspannungs- und Hochfrequenzbedingungen und eignet sich daher gut für Leistungsgeräte, Hochtemperaturelektronik und hocheffiziente Energieumwandlung. Die primäre flache Ausrichtung gewährleistet eine präzise Ausrichtung im Herstellungsprozess und sorgt für Konsistenz bei der Geräteherstellung.

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Produktdetail

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Spezifikation4H/6H-P Typ SiC-Verbundsubstrate Gemeinsame Parametertabelle

6 Zoll Durchmesser Siliziumkarbid (SiC)-Substrat Spezifikation

Grad			Null MPD-ProduktionKlasse (Z Grad)	StandardproduktionKlasse (P Grad)	Dummy-Klasse (D Grad)
Durchmesser			145,5 mm~150,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Waferorientierung			-OffAchse: 2,0°-4,0° in Richtung [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, Auf der Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N
Mikrorohrdichte			0 cm-2
Spezifischer Widerstand	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ω⁻cm		≤0,3 Ω⁻cm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Primäre flache Länge			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung			Silikonoberfläche nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von Prime Flat ± 5,0°
Kantenausschluss			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bug/Kette			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			Polieren Ra≤1 nm
			CMP Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Länge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm
Sechskantplatten durch hochintensives Licht			Kumulative Fläche ≤0,05 %		Kumulative Fläche ≤0,1 %
Polytypbereiche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Fläche ≤3 %
Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse			Kumulative Fläche ≤0,05 %		Kumulative Fläche ≤3 %
Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser
Kantensplitter mit hoher Lichtintensität			Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe		5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität			Keiner
Verpackung			Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter

Hinweise:

※ Die Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten auf der Si-Oberfläche überprüft werden.

Der p-Typ-SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N mit seiner 6-Zoll-Größe und 350 μm Dicke spielt eine entscheidende Rolle in der industriellen Produktion von Hochleistungselektronik. Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hohe Durchbruchspannung machen ihn ideal für die Herstellung von Komponenten wie Leistungsschaltern, Dioden und Transistoren, die in Hochtemperaturumgebungen wie Elektrofahrzeugen, Stromnetzen und erneuerbaren Energiesystemen eingesetzt werden. Die Fähigkeit des Wafers, auch unter rauen Bedingungen effizient zu arbeiten, gewährleistet zuverlässige Leistung in industriellen Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz erfordern. Darüber hinaus unterstützt seine primär flache Ausrichtung die präzise Ausrichtung während der Geräteherstellung und verbessert so die Produktionseffizienz und Produktkonsistenz.

Zu den Vorteilen von N-Typ-SiC-Verbundsubstraten gehören

Hohe Wärmeleitfähigkeit: P-Typ-SiC-Wafer leiten Wärme effizient ab und sind daher ideal für Hochtemperaturanwendungen.
Hohe Durchbruchspannung: Hält hohen Spannungen stand und gewährleistet so die Zuverlässigkeit in Leistungselektronik und Hochspannungsgeräten.
Beständigkeit gegenüber rauen Umgebungen: Hervorragende Haltbarkeit unter extremen Bedingungen, wie hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen.
Effiziente Energieumwandlung: Die P-Typ-Dotierung ermöglicht eine effiziente Leistungshandhabung und macht den Wafer für Energieumwandlungssysteme geeignet.
Primäre flache Ausrichtung: Gewährleistet eine präzise Ausrichtung während der Herstellung und verbessert so die Genauigkeit und Konsistenz des Geräts.
Dünne Struktur (350 μm): Die optimale Dicke des Wafers unterstützt die Integration in fortschrittliche elektronische Geräte mit begrenztem Platzangebot.

Insgesamt bietet der p-Typ-SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N eine Reihe von Vorteilen, die ihn für industrielle und elektronische Anwendungen besonders geeignet machen. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Durchbruchspannung ermöglichen einen zuverlässigen Betrieb in Hochtemperatur- und Hochspannungsumgebungen, während seine Widerstandsfähigkeit gegen raue Bedingungen für Langlebigkeit sorgt. Die p-Typ-Dotierung ermöglicht eine effiziente Leistungsumwandlung und macht ihn ideal für Leistungselektronik und Energiesysteme. Die primär flache Ausrichtung des Wafers gewährleistet zudem eine präzise Ausrichtung während des Herstellungsprozesses und verbessert so die Produktionskonsistenz. Mit einer Dicke von 350 μm eignet er sich hervorragend für die Integration in fortschrittliche, kompakte Geräte.