P-Typ SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Dicke 350 μm mit primärer flacher Ausrichtung

Kurzbeschreibung:

Der SiC-Wafer vom P-Typ, 4H/6H-P 3C-N, ist ein 6-Zoll-Halbleitermaterial mit einer Dicke von 350 μm und einer primär flachen Ausrichtung, das für fortgeschrittene elektronische Anwendungen entwickelt wurde. Dieser Wafer ist für seine hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung und Beständigkeit gegenüber extremen Temperaturen und korrosiven Umgebungen bekannt und eignet sich für leistungsstarke elektronische Geräte. Durch die Dotierung vom P-Typ werden Löcher als primäre Ladungsträger eingeführt, was sie ideal für Leistungselektronik- und HF-Anwendungen macht. Seine robuste Struktur gewährleistet eine stabile Leistung unter Hochspannungs- und Hochfrequenzbedingungen und eignet sich daher gut für Leistungsgeräte, Hochtemperaturelektronik und hocheffiziente Energieumwandlung. Die primäre flache Ausrichtung gewährleistet eine genaue Ausrichtung im Herstellungsprozess und sorgt für Konsistenz bei der Geräteherstellung.

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Produktdetails

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Spezifikation4H/6H-P Typ SiC-Verbundsubstrate Allgemeine Parametertabelle

6 Siliziumkarbid (SiC)-Substrat mit Zoll Durchmesser Spezifikation

Grad			Keine MPD-ProduktionKlasse (Z Grad)	StandardproduktionNote (P Grad)	Dummy-Note (D Grad)
Durchmesser			145,5 mm ~ 150,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Waferausrichtung			-OffAchse: 2,0°-4,0°in Richtung [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, Auf der Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N
Mikrorohrdichte			0 cm-2
Widerstand	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ω·cm		≤0,3 Ω·cm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩ·cm		≤1 m Ωꞏcm
Primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Primäre flache Länge			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung			Silikonseite nach oben: 90° CW. von Prime Flat ± 5,0°
Kantenausschluss			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bogen/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			Polnisch Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht			Keiner		Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤2 mm
Sechskantplatten durch hochintensives Licht			Kumulierte Fläche ≤0,05 %		Kumulierte Fläche ≤0,1 %
Polytype Bereiche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulierte Fläche ≤ 3 %
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse			Kumulierte Fläche ≤0,05 %		Kumulierte Fläche ≤3 %
Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht			Keiner		Gesamtlänge ≤ 1×Waferdurchmesser
Kantensplitter mit hoher Lichtintensität			Nicht zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe		5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Kontamination der Siliziumoberfläche durch hohe Intensität			Keiner
Verpackung			Multi-Wafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter

Hinweise:

※ Die Fehlergrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten auf der Si-Fläche o überprüft werden

Der P-Typ-SiC-Wafer 4H/6H-P 3C-N spielt mit seiner Größe von 6 Zoll und einer Dicke von 350 μm eine entscheidende Rolle in der industriellen Produktion von Hochleistungs-Leistungselektronik. Aufgrund seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und hohen Durchbruchspannung eignet es sich ideal für die Herstellung von Komponenten wie Leistungsschaltern, Dioden und Transistoren, die in Hochtemperaturumgebungen wie Elektrofahrzeugen, Stromnetzen und Systemen für erneuerbare Energien verwendet werden. Die Fähigkeit des Wafers, unter rauen Bedingungen effizient zu arbeiten, gewährleistet eine zuverlässige Leistung in industriellen Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz erfordern. Darüber hinaus unterstützt die primäre flache Ausrichtung die präzise Ausrichtung während der Geräteherstellung und verbessert so die Produktionseffizienz und Produktkonsistenz.

Zu den Vorteilen von SiC-Verbundsubstraten vom N-Typ gehören:

Hohe Wärmeleitfähigkeit: SiC-Wafer vom P-Typ leiten Wärme effizient ab und sind daher ideal für Hochtemperaturanwendungen.
Hohe Durchbruchspannung: Hält hohen Spannungen stand und sorgt so für Zuverlässigkeit in Leistungselektronik und Hochspannungsgeräten.
Widerstandsfähigkeit gegen raue Umgebungen: Hervorragende Haltbarkeit unter extremen Bedingungen wie hohen Temperaturen und korrosiven Umgebungen.
Effiziente Stromumwandlung: Die P-Typ-Dotierung ermöglicht eine effiziente Stromverarbeitung und macht den Wafer für Energieumwandlungssysteme geeignet.
Primäre flache Ausrichtung: Gewährleistet eine präzise Ausrichtung während der Herstellung und verbessert die Genauigkeit und Konsistenz des Geräts.
Dünne Struktur (350 μm): Die optimale Dicke des Wafers unterstützt die Integration in moderne, platzbeschränkte elektronische Geräte.

Insgesamt bietet der SiC-Wafer vom P-Typ, 4H/6H-P 3C-N, eine Reihe von Vorteilen, die ihn hervorragend für industrielle und elektronische Anwendungen geeignet machen. Seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Durchbruchspannung ermöglichen einen zuverlässigen Betrieb in Hochtemperatur- und Hochspannungsumgebungen, während seine Widerstandsfähigkeit gegenüber rauen Bedingungen eine lange Lebensdauer gewährleistet. Die P-Typ-Dotierung ermöglicht eine effiziente Leistungsumwandlung und eignet sich daher ideal für Leistungselektronik und Energiesysteme. Darüber hinaus gewährleistet die primäre flache Ausrichtung des Wafers eine präzise Ausrichtung während des Herstellungsprozesses und verbessert so die Produktionskonsistenz. Mit einer Dicke von 350 μm eignet es sich gut für die Integration in moderne, kompakte Geräte.