P-Typ SiC-Substrat, SiC-Wafer, Durchmesser 2 Zoll, neues Produkt

Siliziumkarbidsubstrate vom p-Typ werden häufig zur Herstellung von Leistungshalbleitern wie z. B. Insulate-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) verwendet.

IGBT = MOSFET + BJT, ein Ein-/Ausschalter. MOSFET = IGFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, auch bekannt als Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate). BJT (Bipolartransistor, auch einfach Bipolartransistor genannt) bedeutet, dass beim Leitprozess zwei Arten von Ladungsträgern beteiligt sind: Elektronen und Löcher. In der Regel ist ein PN-Übergang beteiligt.

Der 2-Zoll-p-Siliziumkarbid-Wafer (SiC) liegt im 4H- oder 6H-Polytyp vor. Er weist ähnliche Eigenschaften wie n-Siliziumkarbid-Wafer (SiC) auf, beispielsweise hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe elektrische Leitfähigkeit. p-SiC-Substrate werden häufig in der Leistungselektronik, insbesondere bei der Herstellung von IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors), eingesetzt. Die IGBT-Architektur basiert typischerweise auf PN-Übergängen, wobei p-SiC vorteilhaft für die Steuerung des Bauelementverhaltens ist.