P-Typ SiC-Substrat SiC-Wafer Dia2inch neues Produkt

Kurzbeschreibung:

2-Zoll-P-Typ-Siliziumkarbid (SiC)-Wafer im 4H- oder 6H-Polytyp. Es hat ähnliche Eigenschaften wie der N-Typ-Siliziumkarbid-Wafer (SiC), wie z. B. hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe elektrische Leitfähigkeit usw. P-Typ-SiC-Substrat wird im Allgemeinen für die Herstellung von Leistungsgeräten verwendet, insbesondere für die Herstellung von isolierten Gate-Bipolartransistoren (IGBT). Das Design von IGBTs umfasst häufig PN-Übergänge, wobei SiC vom P-Typ für die Steuerung des Verhaltens der Geräte von Vorteil sein kann.

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Siliziumkarbidsubstrate vom P-Typ werden üblicherweise zur Herstellung von Leistungsgeräten wie Insulate-Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) verwendet.

IGBT= MOSFET+BJT, ein Ein-Aus-Schalter. MOSFET = IGFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffektröhre oder Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate). BJT (Bipolar Junction Transistor, auch Transistor genannt), bipolar bedeutet, dass zwei Arten von Elektronen- und Lochträgern am Leitungsprozess beteiligt sind, im Allgemeinen ist ein PN-Übergang an der Leitung beteiligt.

Der 2-Zoll-Wafer aus Siliziumkarbid (SiC) vom p-Typ ist im 4H- oder 6H-Polytyp. Es hat ähnliche Eigenschaften wie n-Typ-Siliziumkarbid-Wafer (SiC), wie z. B. hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe elektrische Leitfähigkeit. SiC-Substrate vom p-Typ werden üblicherweise bei der Herstellung von Leistungsbauelementen verwendet, insbesondere für die Herstellung von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs). Beim Design von IGBTs handelt es sich typischerweise um PN-Übergänge, bei denen SiC vom p-Typ für die Steuerung des Verhaltens des Geräts von Vorteil ist.