P-Typ SiC-Substrat SiC-Wafer Dia2inch neues Produkt

P-Typ-Siliziumkarbidsubstrate werden häufig zur Herstellung von Leistungsgeräten wie Insulate-Gate-Bipolartransistoren (IGBTs) verwendet.

IGBT = MOSFET + BJT, ein Ein-/Ausschalter. MOSFET = IGFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffektröhre oder Feldeffekttransistor mit isolierter Gate-Elektrode). BJT (Bipolar Junction Transistor, auch als Transistor bekannt). Bipolar bedeutet, dass zwei Arten von Elektronen- und Lochträgern am Leitungsprozess beteiligt sind. Im Allgemeinen ist an der Leitung ein PN-Übergang beteiligt.

Der 2-Zoll-Wafer aus p-Typ-Siliziumkarbid (SiC) ist vom 4H- oder 6H-Polytyp. Er weist ähnliche Eigenschaften wie n-Typ-Siliziumkarbid (SiC)-Wafer auf, wie z. B. hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe elektrische Leitfähigkeit. p-Typ-SiC-Substrate werden häufig bei der Herstellung von Leistungsbauelementen verwendet, insbesondere bei der Herstellung von Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs). Das Design von IGBTs umfasst typischerweise pn-Übergänge, bei denen p-Typ-SiC zur Steuerung des Geräteverhaltens vorteilhaft ist.