p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYP SIC-Substrat 4 Zoll 〈111〉± 0,5° Null MPD

Kurze Beschreibung:

Das 4 Zoll große P-Typ 4H/6H-P 3C-N-Typ SiC-Substrat mit einer 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung und Zero MPD (Micro Pipe Defect)-Qualität ist ein Hochleistungs-Halbleitermaterial für die Herstellung fortschrittlicher elektronischer Geräte. Bekannt für seine exzellente Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchschlagspannung und starke Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Korrosion, ist dieses Substrat ideal für Leistungselektronik und HF-Anwendungen. Die Zero MPD-Qualität garantiert minimale Defekte und gewährleistet so Zuverlässigkeit und Stabilität in Hochleistungsgeräten. Seine präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung ermöglicht eine genaue Ausrichtung während der Herstellung und macht es für groß angelegte Fertigungsprozesse geeignet. Dieses Substrat wird häufig in elektronischen Geräten verwendet, die für hohe Temperaturen, Hochspannung und Hochfrequenz geeignet sind, wie z. B. Stromrichtern, Wechselrichtern und HF-Komponenten.

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Tabelle der gemeinsamen Parameter für SiC-Verbundsubstrate vom Typ 4H/6H-P

4 Zoll Durchmesser SiliziumHartmetallsubstrat (SiC) Spezifikation

Grad			Null MPD-Produktion Klasse (Z Grad)	Standardproduktion Klasse (P Grad)	Dummy-Klasse (D Grad)
Durchmesser			99,5 mm bis 100,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Waferorientierung			Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° in Richtung [112(-)0] ± 0,5° für 4H/6H-P, On-Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N
Mikrorohrdichte			0 cm-2
Spezifischer Widerstand	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ω⁻cm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Primäre flache Länge			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung			Silikonseite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von Prime Flat±5,0°
Kantenausschluss			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bug/Kette			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			Polieren Ra≤1 nm
			CMP Ra ≤ 0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Länge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm
Sechskantplatten durch hochintensives Licht			Kumulative Fläche ≤0,05 %		Kumulative Fläche ≤0,1 %
Polytypbereiche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Fläche ≤3 %
Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse			Kumulative Fläche ≤0,05 %		Kumulative Fläche ≤3 %
Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser
Kantensplitter mit hoher Lichtintensität			Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe		5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität			Keiner
Verpackung			Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter

Hinweise:

※Die Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten nur auf der Si-Oberfläche überprüft werden.

Das 4-Zoll-SiC-Substrat vom Typ P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung und Zero MPD-Qualität wird häufig in Hochleistungselektronikanwendungen eingesetzt. Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hohe Durchschlagsspannung machen es ideal für Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter, Wechselrichter und Stromrichter, die unter extremen Bedingungen betrieben werden. Die Beständigkeit des Substrats gegen hohe Temperaturen und Korrosion gewährleistet zudem eine stabile Leistung in rauen Umgebungen. Die präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung erhöht die Fertigungsgenauigkeit und macht es ideal für HF-Geräte und Hochfrequenzanwendungen wie Radarsysteme und drahtlose Kommunikationsgeräte.

Zu den Vorteilen von N-Typ-SiC-Verbundsubstraten gehören:

1. Hohe Wärmeleitfähigkeit: Effiziente Wärmeableitung, daher geeignet für Umgebungen mit hohen Temperaturen und Hochleistungsanwendungen.
2. Hohe Durchbruchspannung: Gewährleistet zuverlässige Leistung in Hochspannungsanwendungen wie Stromrichtern und Wechselrichtern.
3. Zero MPD (Micro Pipe Defect)-Klasse: Garantiert minimale Defekte und sorgt für Stabilität und hohe Zuverlässigkeit in kritischen elektronischen Geräten.
4. Korrosionsbeständigkeit: Langlebig in rauen Umgebungen, gewährleistet langfristige Funktionalität unter anspruchsvollen Bedingungen.
5. Präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung: Ermöglicht eine genaue Ausrichtung während der Herstellung und verbessert die Geräteleistung bei Hochfrequenz- und HF-Anwendungen.

Insgesamt ist das 4-Zoll-SiC-Substrat vom Typ P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung und Zero MPD-Qualität ein Hochleistungsmaterial, das sich ideal für anspruchsvolle elektronische Anwendungen eignet. Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hohe Durchschlagsspannung machen es ideal für Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter, Wechselrichter und Konverter. Die Zero MPD-Qualität gewährleistet minimale Defekte und sorgt so für Zuverlässigkeit und Stabilität in kritischen Geräten. Die Korrosions- und Temperaturbeständigkeit des Substrats gewährleistet zudem Langlebigkeit in rauen Umgebungen. Die präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung ermöglicht eine präzise Ausrichtung während der Fertigung und eignet sich daher hervorragend für HF-Geräte und Hochfrequenzanwendungen.