p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYP SIC-Substrat 4 Zoll 〈111〉± 0,5° Null MPD
Tabelle der gemeinsamen Parameter von SiC-Verbundsubstraten vom Typ 4H/6H-P
4 Zoll Durchmesser SiliziumHartmetallsubstrat (SiC) Spezifikation
| Grad | Null MPD-Produktion Klasse (Z Grad) | Standardproduktion Klasse (P Grad) | Dummy-Klasse (D Grad) | ||
| Durchmesser | 99,5 mm~100,0 mm | ||||
| Dicke | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Waferorientierung | Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° in Richtung [1120] ± 0,5° für 4H/6H-P, On-Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N | ||||
| Mikrorohrdichte | 0 cm-2 | ||||
| Spezifischer Widerstand | p-Typ 4H/6H-P | ≤0,1 Ωꞏcm | ≤0,3 Ωꞏcm | ||
| n-Typ 3C-N | ≤0,8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Primäre flache Ausrichtung | 4H/6H-P | - {1010} ± 5,0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5,0° | ||||
| Primäre flache Länge | 32,5 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Länge | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||||
| Sekundäre flache Ausrichtung | Silikonseite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von Prime Flat±5,0° | ||||
| Kantenausschluss | 3 mm | 6 mm | |||
| LTV/TTV/Bug/Kette | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Rauheit | Polieren Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Kantenrisse durch hochintensives Licht | Keiner | Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm | |||
| Sechskantplatten durch hochintensives Licht | Kumulative Fläche ≤0,05 % | Kumulative Fläche ≤0,1 % | |||
| Polytypbereiche durch hochintensives Licht | Keiner | Kumulative Fläche ≤3 % | |||
| Sichtbare Kohlenstoffeinschlüsse | Kumulative Fläche ≤0,05 % | Kumulative Fläche ≤3 % | |||
| Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht | Keiner | Kumulative Länge ≤ 1 × Waferdurchmesser | |||
| Kantensplitter mit hoher Lichtintensität | Keine zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe | 5 zulässig, jeweils ≤1 mm | |||
| Silizium-Oberflächenkontamination durch hohe Intensität | Keiner | ||||
| Verpackung | Mehrwaferkassette oder Einzelwaferbehälter | ||||
Hinweise:
※Die Defektgrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten nur auf der Si-Oberfläche überprüft werden.
Das 4-Zoll-SiC-Substrat vom Typ P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung und Zero MPD-Qualität wird häufig in Hochleistungselektronikanwendungen eingesetzt. Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hohe Durchbruchspannung machen es ideal für Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter, Wechselrichter und Stromrichter, die unter extremen Bedingungen betrieben werden. Darüber hinaus gewährleistet die Beständigkeit des Substrats gegen hohe Temperaturen und Korrosion eine stabile Leistung in rauen Umgebungen. Die präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung erhöht die Fertigungsgenauigkeit und macht es für HF-Geräte und Hochfrequenzanwendungen wie Radarsysteme und drahtlose Kommunikationsgeräte geeignet.
Zu den Vorteilen von N-Typ-SiC-Verbundsubstraten gehören:
1. Hohe Wärmeleitfähigkeit: Effiziente Wärmeableitung, daher geeignet für Umgebungen mit hohen Temperaturen und Hochleistungsanwendungen.
2. Hohe Durchbruchspannung: Gewährleistet zuverlässige Leistung in Hochspannungsanwendungen wie Stromrichtern und Wechselrichtern.
3. Zero MPD (Micro Pipe Defect)-Klasse: Garantiert minimale Defekte und sorgt für Stabilität und hohe Zuverlässigkeit in kritischen elektronischen Geräten.
4. Korrosionsbeständigkeit: Langlebig in rauen Umgebungen, gewährleistet langfristige Funktionalität unter anspruchsvollen Bedingungen.
5. Präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung: Ermöglicht eine genaue Ausrichtung während der Herstellung und verbessert die Geräteleistung in Hochfrequenz- und HF-Anwendungen.
Insgesamt ist das 4-Zoll-SiC-Substrat vom Typ P-Typ 4H/6H-P 3C-N mit 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung und Zero MPD-Grad ein Hochleistungsmaterial, das sich ideal für anspruchsvolle elektronische Anwendungen eignet. Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hohe Durchschlagspannung machen es ideal für Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter, Wechselrichter und Konverter. Der Zero MPD-Grad sorgt für minimale Defekte und bietet Zuverlässigkeit und Stabilität in kritischen Geräten. Die Korrosions- und Temperaturbeständigkeit des Substrats gewährleistet zudem Langlebigkeit in rauen Umgebungen. Die präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung ermöglicht eine genaue Ausrichtung während der Herstellung und macht es daher ideal für HF-Geräte und Hochfrequenzanwendungen.
Detailliertes Diagramm
