p-Typ 4H/6H-P 3C-N TYP SIC-Substrat 4 Zoll 〈111〉 ± 0,5°Null MPD

Kurzbeschreibung:

Das SiC-Substrat vom Typ P 4H/6H-P 3C-N, 4 Zoll, mit einer Ausrichtung von 〈111〉 ± 0,5° und der Güte Zero MPD (Micro Pipe Defect), ist ein Hochleistungshalbleitermaterial, das für fortschrittliche elektronische Geräte entwickelt wurde Herstellung. Dieses Substrat ist für seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung und hohe Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Korrosion bekannt und eignet sich ideal für Leistungselektronik- und HF-Anwendungen. Der Zero MPD-Grad garantiert minimale Fehler und gewährleistet Zuverlässigkeit und Stabilität in Hochleistungsgeräten. Seine präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung ermöglicht eine genaue Ausrichtung während der Fertigung und eignet sich daher für groß angelegte Fertigungsprozesse. Dieses Substrat wird häufig in elektronischen Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochfrequenzgeräten wie Leistungswandlern, Wechselrichtern und HF-Komponenten verwendet.

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Allgemeine Parametertabelle für SiC-Verbundsubstrate vom Typ 4H/6H-P

4 Zoll Durchmesser SilikonHartmetall (SiC)-Substrat Spezifikation

Grad			Keine MPD-Produktion Klasse (Z Grad)	Standardproduktion Note (P Grad)	Dummy-Note (D Grad)
Durchmesser			99,5 mm ~ 100,0 mm
Dicke			350 μm ± 25 μm
Waferausrichtung			Außerhalb der Achse: 2,0°-4,0° in Richtung [112(-)0] ± 0,5° für 4H/6H-P, On-Achse:〈111〉± 0,5° für 3C-N
Mikrorohrdichte			0 cm-2
Widerstand	p-Typ 4H/6H-P		≤0,1 Ω·cm		≤0,3 Ω·cm
	n-Typ 3C-N		≤0,8 mΩ·cm		≤1 m Ωꞏcm
Primäre flache Ausrichtung		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Primäre flache Länge			32,5 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Länge			18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung			Silikonseite nach oben: 90° CW. von Prime flat±5,0°
Kantenausschluss			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bogen/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rauheit			Polnisch Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Kantenrisse durch hochintensives Licht			Keiner		Gesamtlänge ≤ 10 mm, Einzellänge ≤ 2 mm
Sechskantplatten durch hochintensives Licht			Kumulierte Fläche ≤0,05 %		Kumulierte Fläche ≤0,1 %
Polytypiebereiche durch hochintensives Licht			Keiner		Kumulierte Fläche ≤ 3 %
Visuelle Kohlenstoffeinschlüsse			Kumulierte Fläche ≤0,05 %		Kumulierte Fläche ≤3 %
Kratzer auf der Siliziumoberfläche durch hochintensives Licht			Keiner		Gesamtlänge ≤ 1×Waferdurchmesser
Kantensplitter mit hoher Lichtintensität			Nicht zulässig ≥0,2 mm Breite und Tiefe		5 zulässig, jeweils ≤1 mm
Kontamination der Siliziumoberfläche durch hohe Intensität			Keiner
Verpackung			Multi-Wafer-Kassette oder Einzelwafer-Behälter

Hinweise:

※Fehlergrenzen gelten für die gesamte Waferoberfläche mit Ausnahme des Randausschlussbereichs. # Die Kratzer sollten nur auf der Si-Oberfläche überprüft werden.

Das 4-Zoll-SiC-Substrat vom Typ P 4H/6H-P 3C-N mit einer Ausrichtung von 〈111〉 ± 0,5° und der Güte Null MPD wird häufig in Hochleistungselektronikanwendungen eingesetzt. Aufgrund seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und hohen Durchbruchspannung eignet es sich ideal für Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter, Wechselrichter und Leistungswandler, die unter extremen Bedingungen betrieben werden. Darüber hinaus gewährleistet die Beständigkeit des Substrats gegenüber hohen Temperaturen und Korrosion eine stabile Leistung in rauen Umgebungen. Die präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung verbessert die Fertigungsgenauigkeit und macht es für HF-Geräte und Hochfrequenzanwendungen wie Radarsysteme und drahtlose Kommunikationsgeräte geeignet.

Zu den Vorteilen von SiC-Verbundsubstraten vom N-Typ gehören:

1. Hohe Wärmeleitfähigkeit: Effiziente Wärmeableitung, wodurch es für Umgebungen mit hohen Temperaturen und Hochleistungsanwendungen geeignet ist.
2. Hohe Durchbruchspannung: Gewährleistet zuverlässige Leistung in Hochspannungsanwendungen wie Leistungswandlern und Wechselrichtern.
3. Null-MPD-Klasse (Micro Pipe Defect): Garantiert minimale Defekte und sorgt für Stabilität und hohe Zuverlässigkeit in kritischen elektronischen Geräten.
4. Korrosionsbeständigkeit: Langlebig in rauen Umgebungen und gewährleistet langfristige Funktionalität unter anspruchsvollen Bedingungen.
5. Präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung: Ermöglicht eine genaue Ausrichtung während der Herstellung und verbessert die Geräteleistung in Hochfrequenz- und HF-Anwendungen.

Insgesamt ist das 4-Zoll-SiC-Substrat vom Typ P 4H/6H-P 3C-N mit einer Ausrichtung von 〈111〉 ± 0,5° und der Güte Null MPD ein Hochleistungsmaterial, das sich ideal für fortgeschrittene elektronische Anwendungen eignet. Aufgrund seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und hohen Durchbruchspannung eignet es sich perfekt für Leistungselektronik wie Hochspannungsschalter, Wechselrichter und Konverter. Der Zero MPD-Grad gewährleistet minimale Fehler und sorgt für Zuverlässigkeit und Stabilität in kritischen Geräten. Darüber hinaus sorgt die Korrosions- und Hochtemperaturbeständigkeit des Substrats für Langlebigkeit in rauen Umgebungen. Die präzise 〈111〉± 0,5°-Ausrichtung ermöglicht eine genaue Ausrichtung während der Herstellung und eignet sich daher hervorragend für HF-Geräte und Hochfrequenzanwendungen.