SiC vom N-Typ auf Si-Verbundsubstraten mit einem Durchmesser von 6 Zoll

等级Grad

U 级

P级

D级

Niedriger BPD-Grad

Produktionsqualität

Dummy-Note

直径Durchmesser

150,0 mm ± 0,25 mm

厚度Dicke

500 μm ± 25 μm

晶片方向Waferausrichtung

Außerhalb der Achse: 4,0° in Richtung < 11-20 > ±0,5° für 4H-N. Auf der Achse: <0001> ±0,5° für 4H-SI

主定位边方向Hauptwohnung

{10-10}±5,0°

主定位边长度Primäre flache Länge

47,5 mm ± 2,5 mm

边缘Kantenausschluss

3 mm

总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp

≤15μm /≤40μm /≤60μm

微管密度和基面位错MPD&BPD

MPD≤1 cm-2

MPD≤5 cm-2

MPD≤15 cm-2

BPD≤1000cm-2

电阻率Widerstand

≥1E5 Ω·cm

表面粗糙度Rauheit

Polnisch Ra≤1 nm

CMP Ra≤0,5 nm

裂纹(强光灯观测) #

Keiner

Gesamtlänge ≤10 mm, Einzellänge ≤2 mm

Risse durch hochintensives Licht

六方空洞 (强光灯观测)*

Kumulierte Fläche ≤1 %

Kumulierte Fläche ≤5 %

Hex-Platten durch hochintensives Licht

多型(强光灯观测)*

Keiner

Kumulierte Fläche ≤ 5 %

Polytypiebereiche durch hochintensives Licht

划痕(强光灯观测)*&

3 Kratzer auf 1×Waferdurchmesser

5 Kratzer auf 1×Waferdurchmesser

Kratzer durch hochintensives Licht

kumulative Länge

kumulative Länge

崩边# Randchip

Keiner

5 zulässig, jeweils ≤1 mm

表面污染物 (强光灯观测)

Keiner

Kontamination durch hochintensives Licht