N-Typ-SiC-Verbundsubstrate mit einem Durchmesser von 6 Zoll. Hochwertiges monokristallines und minderwertiges Substrat

Die Bezeichnung „N-Typ“ bezieht sich auf die Art der Dotierung, die in SiC-Materialien verwendet wird. In der Halbleiterphysik bezeichnet Dotierung das absichtliche Einbringen von Verunreinigungen in einen Halbleiter, um dessen elektrische Eigenschaften zu verändern. Durch die Dotierung vom N-Typ werden Elemente eingeführt, die einen Überschuss an freien Elektronen liefern, wodurch das Material eine negative Ladungsträgerkonzentration erhält.

Zu den Vorteilen von SiC-Verbundsubstraten vom N-Typ gehören:

1. Hochtemperaturleistung: SiC hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit und kann bei hohen Temperaturen betrieben werden, wodurch es für elektronische Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen geeignet ist.

2. Hohe Durchbruchspannung: SiC-Materialien haben eine hohe Durchbruchspannung, sodass sie hohen elektrischen Feldern ohne elektrischen Durchschlag standhalten können.

3. Chemikalien- und Umweltbeständigkeit: SiC ist chemisch beständig und hält rauen Umgebungsbedingungen stand, sodass es für den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen geeignet ist.

4. Reduzierter Leistungsverlust: Im Vergleich zu herkömmlichen Materialien auf Siliziumbasis ermöglichen SiC-Substrate eine effizientere Leistungsumwandlung und reduzieren den Leistungsverlust in elektronischen Geräten.

5. Große Bandlücke: SiC verfügt über eine große Bandlücke, was die Entwicklung elektronischer Geräte ermöglicht, die bei höheren Temperaturen und höheren Leistungsdichten betrieben werden können.

Insgesamt bieten N-Typ-SiC-Verbundsubstrate erhebliche Vorteile für die Entwicklung leistungsstarker elektronischer Geräte, insbesondere in Anwendungen, bei denen Hochtemperaturbetrieb, hohe Leistungsdichte und effiziente Leistungsumwandlung von entscheidender Bedeutung sind.