N-Typ-SiC-Verbundsubstrate, Durchmesser 6 Zoll, hochwertiges monokristallines und minderwertiges Substrat
N-Typ SiC-Verbundsubstrate Allgemeine Parametertabelle
| 项目Artikel | NeinSpezifikation | 项目Artikel | NeinSpezifikation |
| 直径Durchmesser | 150 ± 0,2 mm | 正 面 (硅 面) 粗 糙 度 Vordere (Si-Fläche) Rauheit | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm x 5 μm) |
| 晶型Polytypie | 4H | Kantensplitter, Kratzer, Risse (Sichtprüfung) | Keiner |
| 电阻率Spezifischer Widerstand | 0,015–0,025 Ohm · cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Dicke der Übertragungsschicht | ≥0,4 μm | 翘曲度Kette | ≤35μm |
| 空洞Leere | ≤5 Stück/Wafer (2 mm > D > 0,5 mm) | 总厚度Dicke | 350 ± 25 μm |
Die Bezeichnung „N-Typ“ bezieht sich auf die Art der Dotierung von SiC-Materialien. In der Halbleiterphysik bezeichnet Dotierung die gezielte Einbringung von Verunreinigungen in einen Halbleiter, um dessen elektrische Eigenschaften zu verändern. Bei der N-Typ-Dotierung werden Elemente eingeführt, die für einen Überschuss an freien Elektronen sorgen und dem Material dadurch eine negative Ladungsträgerkonzentration verleihen.
Zu den Vorteilen von N-Typ-SiC-Verbundsubstraten gehören:
1. Hochtemperaturleistung: SiC verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und kann bei hohen Temperaturen betrieben werden, wodurch es sich für elektronische Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen eignet.
2. Hohe Durchschlagspannung: SiC-Materialien haben eine hohe Durchschlagspannung, wodurch sie hohen elektrischen Feldern standhalten können, ohne dass es zu einem elektrischen Durchschlag kommt.
3. Chemische und Umweltbeständigkeit: SiC ist chemisch beständig und hält rauen Umweltbedingungen stand, sodass es sich für den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen eignet.
4. Geringerer Leistungsverlust: Im Vergleich zu herkömmlichen Materialien auf Siliziumbasis ermöglichen SiC-Substrate eine effizientere Leistungsumwandlung und reduzieren den Leistungsverlust in elektronischen Geräten.
5. Große Bandlücke: SiC hat eine große Bandlücke, was die Entwicklung elektronischer Geräte ermöglicht, die bei höheren Temperaturen und höheren Leistungsdichten betrieben werden können.
Insgesamt bieten N-Typ-SiC-Verbundsubstrate erhebliche Vorteile für die Entwicklung leistungsstarker elektronischer Geräte, insbesondere bei Anwendungen, bei denen Hochtemperaturbetrieb, hohe Leistungsdichte und effiziente Leistungsumwandlung entscheidend sind.