N-Typ SiC-Verbundsubstrate, Durchmesser 6 Zoll, hochwertige monokristalline und minderwertige Substrate
Tabelle mit gemeinsamen Parametern für SiC-Verbundsubstrate vom N-Typ
| 项目Artikel | NeinSpezifikation | 项目Artikel | NeinSpezifikation |
| 直径Durchmesser | 150±0,2 mm | 正 面 (硅 面) 粗 糙 度 Rauheit der Vorderseite (Si-Seite) | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
| 晶型Polytyp | 4H | Kantenabsplitterung, Kratzer, Risse (Sichtprüfung) | Keiner |
| 电阻率Widerstand | 0,015–0,025 Ohm · cm | 总厚度变化TTV | ≤3μm |
| Dicke der Transferschicht | ≥0,4 μm | 翘曲度Kette | ≤35μm |
| 空洞Leere | ≤5 Stück/Wafer (2 mm > D > 0,5 mm) | 总厚度Dicke | 350±25μm |
Die Bezeichnung „N-Dotierung“ bezieht sich auf die Art der Dotierung von SiC-Materialien. In der Halbleiterphysik bezeichnet Dotierung das gezielte Einbringen von Fremdatomen in einen Halbleiter, um dessen elektrische Eigenschaften zu verändern. Bei der N-Dotierung werden Elemente eingeführt, die einen Überschuss an freien Elektronen erzeugen und dem Material somit eine negative Ladungsträgerkonzentration verleihen.
Zu den Vorteilen von N-leitenden SiC-Verbundsubstraten gehören:
1. Hochtemperaturleistung: SiC besitzt eine hohe Wärmeleitfähigkeit und kann bei hohen Temperaturen betrieben werden, wodurch es sich für elektronische Anwendungen mit hoher Leistung und hoher Frequenz eignet.
2. Hohe Durchbruchspannung: SiC-Materialien besitzen eine hohe Durchbruchspannung, wodurch sie hohen elektrischen Feldern ohne elektrischen Durchschlag standhalten können.
3. Chemische und Umweltbeständigkeit: SiC ist chemisch beständig und hält auch rauen Umweltbedingungen stand, wodurch es sich für den Einsatz in anspruchsvollen Anwendungen eignet.
4. Geringere Leistungsverluste: Im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Materialien ermöglichen SiC-Substrate eine effizientere Leistungsumwandlung und reduzieren die Leistungsverluste in elektronischen Geräten.
5. Große Bandlücke: SiC besitzt eine große Bandlücke, was die Entwicklung elektronischer Bauelemente ermöglicht, die bei höheren Temperaturen und höheren Leistungsdichten arbeiten können.
Insgesamt bieten N-Typ-SiC-Kompositsubstrate erhebliche Vorteile für die Entwicklung von Hochleistungselektronikbauteilen, insbesondere in Anwendungen, bei denen Hochtemperaturbetrieb, hohe Leistungsdichte und effiziente Leistungsumwandlung von entscheidender Bedeutung sind.