LiTaO3 Lithiumtantalat-Barren mit Fe/Mg-Dotierung, kundenspezifische Größen 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll für industrielle Sensorik

Kurzbeschreibung:

LiTaO3-Ingots (Lithiumtantalat-Ingots) nutzen als Kernmaterialien für Halbleiter der dritten Generation mit großer Bandlücke und Optoelektronik ihre hohe Curie-Temperatur (607 K).°C), einem breiten Transparenzbereich (400–5200 nm), einem exzellenten elektromechanischen Kopplungskoeffizienten (Kt² > 15 %) und geringen dielektrischen Verlusten (tanδ < 2 %) revolutionieren dieses Material die 5G-Kommunikation, das Quantencomputing und die photonische Integration. Dank fortschrittlicher Fertigungstechnologien wie physikalischer Dampftransport (PVT) und chemischer Dampfabscheidung (CVD) bieten wir X/Y/Z-geschnittene, 42°-Y-geschnittene und periodisch gepolte (PPLT) Barren in 3–8 Zoll-Spezifikationen mit einer Mikrorohrdichte von < 0,1 cm⁻² und einer Versetzungsdichte von < 500 cm⁻². Zu unseren Dienstleistungen gehören Fe/Mg-Dotierung, Protonenaustausch-Wellenleiter und die heterogene Integration (POI) auf Siliziumbasis für Hochleistungs-Lichtfilter, Quantenlichtquellen und Infrarotdetektoren. Dieses Material ermöglicht Durchbrüche in Miniaturisierung, Hochfrequenzbetrieb und thermischer Stabilität und beschleunigt so die Substitution und den technologischen Fortschritt im Inland.

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Merkmale

Technische Parameter

Spezifikation	Konventionell	Hohe Präzision
Materialien	LiTaO3(LT)/ LiNbO3-Wafer	LiTaO3(LT)/LiNbO3-Wafer
Orientierung	X-112°Y,36°Y,42°Y±0,5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0,5°
Parallel	30″	10 Zoll
Senkrecht	10 Fuß	5'
Oberflächenqualität	40/20	20/10
Wellenfrontverzerrung	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Oberflächenebenheit	λ/4@632nm	λ/8@632nm
Klare Blende	>90%	>90%
Fase	<0,2×45°	<0,2×45°
Toleranz für Dicke/Durchmesser	±0,1 mm	±0,1 mm
Maximale Abmessungen	dia150×50mm	dia150×50mm

XKH-Dienstleistungen

1. Großtechnische Barrenfertigung

Größe und Schnitt: 3–8-Zoll-Barren mit X/Y/Z-Schnitt, 42°Y-Schnitt und kundenspezifischen Winkelschnitten (±0,01° Toleranz).

Dotierungskontrolle: Fe/Mg-Kodotierung mittels Czochralski-Verfahren (Konzentrationsbereich 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) zur Optimierung des photorefraktiven Widerstands und der thermischen Stabilität.

2. Fortschrittliche Prozesstechnologien

Heterogene Integration: Siliziumbasierte LiTaO3-Kompositwafer (POI) mit Dickenkontrolle (300–600 nm) und Wärmeleitfähigkeit bis zu 8,78 W/m·K für Hochfrequenz-SAW-Filter.

Herstellung von Wellenleitern: Protonenaustausch- (PE) und umgekehrte Protonenaustausch- (RPE) Techniken, mit denen Submikron-Wellenleiter (Δn >0,7) für Hochgeschwindigkeits-elektrooptische Modulatoren (Bandbreite >40 GHz) erreicht werden.

3. Qualitätsmanagementsysteme

End-to-End-Test: Raman-Spektroskopie (Polytypenprüfung), XRD (Kristallinität), AFM (Oberflächenmorphologie) und Prüfung der optischen Gleichmäßigkeit (Δn <5×10⁻⁵).

4. Unterstützung der globalen Lieferkette

Produktionskapazität: Monatliche Produktion >5.000 Barren (8 Zoll: 70%), Unterstützung einer 48-Stunden-Notfalllieferung.

Logistiknetzwerk: Abdeckung in Europa, Nordamerika und im asiatisch-pazifischen Raum per Luft-/Seefracht mit temperaturgeführter Verpackung.

5. Technische Mitentwicklung

Gemeinsame Forschungs- und Entwicklungslabore: Zusammenarbeit an photonischen Integrationsplattformen (z. B. SiO2-verlustarme Schichtverbindung).

Zusammenfassung

LiTaO3-Ingots sind strategische Werkstoffe, die die Optoelektronik und Quantentechnologien revolutionieren. Durch Innovationen im Kristallwachstum (z. B. PVT), der Defektminimierung und der heterogenen Integration (z. B. POI) liefern wir hochzuverlässige und kosteneffiziente Lösungen für 5G/6G-Kommunikation, Quantencomputing und das industrielle IoT. XKHs Engagement für die Reduzierung von Ingot-Defekten und die Skalierung der 8-Zoll-Produktion sichert Kunden eine führende Position in globalen Lieferketten und treibt die nächste Ära von Halbleiter-Ökosystemen mit breiter Bandlücke voran.