LiTaO3 Lithiumtantalat-Barren mit Fe/Mg-Dotierung, kundenspezifisch 4 Zoll, 6 Zoll, 8 Zoll für industrielle Sensorik

Kurze Beschreibung:

LiTaO3-Ingots (Lithiumtantalat-Ingots) als Kernmaterialien für Wide-Bandgap-Halbleiter und Optoelektronik der dritten Generation nutzen ihre hohe Curietemperatur (607°C), breiter Transparenzbereich (400–5.200 nm), ausgezeichneter elektromechanischer Kopplungskoeffizient (Kt² >15 %) und geringer dielektrischer Verlust (tanδ <2 %), um die 5G-Kommunikation, das Quantencomputing und die photonische Integration zu revolutionieren. Durch fortschrittliche Fertigungstechnologien wie physikalischen Dampftransport (PVT) und chemische Gasphasenabscheidung (CVD) bieten wir X/Y/Z-geschnittene, 42°Y-geschnittene und periodisch gepolte (PPLT) Ingots in 3–8 Zoll-Spezifikationen mit einer Mikrorohrdichte <0,1 cm⁻² und einer Versetzungsdichte <500 cm⁻². Unsere Dienstleistungen umfassen Fe/Mg-Dotierung, Protonenaustausch-Wellenleiter und heterogene Integration (POI) auf Siliziumbasis für Hochleistungs-Optikfilter, Quantenlichtquellen und Infrarotdetektoren. Dieses Material ermöglicht Durchbrüche bei der Miniaturisierung, dem Hochfrequenzbetrieb und der thermischen Stabilität und beschleunigt die Substitution im Inland und den technologischen Fortschritt.

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Merkmale

Technische Parameter

Spezifikation	Konventionell	Hohe Präzision
Materialien	LiTaO3(LT)/ LiNbO3-Wafer	LiTaO3(LT)/LiNbO3-Wafer
Orientierung	X-112°Y,36°Y,42°Y±0,5°	X-112°Y,36°Y,42°Y±0,5°
Parallel	30″	10''
Senkrecht	10′	5'
Oberflächenqualität	40/20	20/10
Wellenfrontverzerrung	λ/4 bei 632 nm	λ/8 bei 632 nm
Oberflächenebenheit	λ/4 bei 632 nm	λ/8 bei 632 nm
Freie Blende	>90 %	>90 %
Fase	<0,2×45°	<0,2×45°
Dicken-/Durchmessertoleranz	±0,1 mm	±0,1 mm
Maximale Abmessungen	Durchmesser 150 × 50 mm	Durchmesser 150 × 50 mm

XKH-Dienste

1. Großmaßstäbliche Ingot-Herstellung

Größe und Schnitt: 3–8-Zoll-Barren mit X/Y/Z-Schnitt, 42°-Y-Schnitt und benutzerdefinierten Winkelschnitten (±0,01° Toleranz).

Dotierungskontrolle: Fe/Mg-Co-Dotierung mittels Czochralski-Methode (Konzentrationsbereich 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) zur Optimierung des photorefraktiven Widerstands und der thermischen Stabilität.

2. Fortschrittliche Prozesstechnologien

Heterogene Integration: Siliziumbasierte LiTaO3-Verbundwafer (POI) mit Dickenkontrolle (300–600 nm) und einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 8,78 W/m·K für Hochfrequenz-SAW-Filter.

Wellenleiterherstellung: Protonenaustausch- (PE) und umgekehrte Protonenaustausch- (RPE) Techniken zur Herstellung von Wellenleitern im Submikrometerbereich (Δn >0,7) für elektrooptische Hochgeschwindigkeitsmodulatoren (Bandbreite >40 GHz).

3. Qualitätsmanagementsysteme

End-to-End-Tests: Raman-Spektroskopie (Polytyp-Verifizierung), XRD (Kristallinität), AFM (Oberflächenmorphologie) und Prüfung der optischen Gleichmäßigkeit (Δn <5×10⁻⁵).

4. Globale Lieferkettenunterstützung

Produktionskapazität: Monatliche Produktion > 5.000 Barren (8 Zoll: 70 %), Unterstützung einer 48-Stunden-Notfalllieferung.

Logistiknetzwerk: Abdeckung in Europa, Nordamerika und im asiatisch-pazifischen Raum per Luft-/Seefracht mit temperaturkontrollierter Verpackung.

5. Technische Co-Entwicklung

Gemeinsame F&E-Labore: Zusammenarbeit an photonischen Integrationsplattformen (z. B. verlustarmes SiO2-Schichtbonden).

Zusammenfassung

LiTaO3-Ingots dienen als strategische Materialien, die die Optoelektronik und Quantentechnologien neu gestalten. Durch Innovationen im Kristallwachstum (z. B. PVT), der Defektminimierung und der heterogenen Integration (z. B. POI) liefern wir hochzuverlässige und kostengünstige Lösungen für 5G/6G-Kommunikation, Quantencomputing und industrielles IoT. Das Engagement von XKH, die Ingot-Defektreduzierung voranzutreiben und die 8-Zoll-Produktion zu skalieren, sichert Kunden die führende Rolle in globalen Lieferketten und treibt die nächste Ära der Wide-Bandgap-Halbleiter-Ökosysteme voran.