InSb-Wafer 2 Zoll 3 Zoll undotiert N-Typ P-Typ Orientierung 111 100 für Infrarot-Detektoren
Merkmale
Dopingmöglichkeiten:
1.Undotiert:Diese Wafer sind frei von jeglichen Dotierstoffen und werden hauptsächlich für spezielle Anwendungen wie das epitaktische Wachstum verwendet, bei dem der Wafer als reines Substrat fungiert.
2.N-Typ (Te-dotiert):Durch die Dotierung mit Tellur (Te) werden N-Typ-Wafer hergestellt, die eine hohe Elektronenbeweglichkeit bieten und sich für Infrarotdetektoren, Hochgeschwindigkeitselektronik und andere Anwendungen eignen, die einen effizienten Elektronenfluss erfordern.
3.P-Typ (Ge-dotiert):Durch Dotierung mit Germanium (Ge) werden P-Typ-Wafer hergestellt, die eine hohe Lochbeweglichkeit bieten und eine hervorragende Leistung für Infrarotsensoren und Fotodetektoren erbringen.
Größenoptionen:
1. Die Wafer sind in den Durchmessern 2 und 3 Zoll erhältlich. Dies gewährleistet die Kompatibilität mit verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen und -geräten.
2. Der 2-Zoll-Wafer hat einen Durchmesser von 50,8 ± 0,3 mm, während der 3-Zoll-Wafer einen Durchmesser von 76,2 ± 0,3 mm hat.
Orientierung:
1. Die Wafer sind in den Ausrichtungen 100 und 111 erhältlich. Die Ausrichtung 100 ist ideal für Hochgeschwindigkeitselektronik und Infrarotdetektoren, während die Ausrichtung 111 häufig für Geräte verwendet wird, die bestimmte elektrische oder optische Eigenschaften erfordern.
Oberflächenqualität:
1. Diese Wafer verfügen über polierte/geätzte Oberflächen für hervorragende Qualität und ermöglichen optimale Leistung bei Anwendungen, die präzise optische oder elektrische Eigenschaften erfordern.
2. Die Oberflächenvorbereitung gewährleistet eine geringe Defektdichte, wodurch diese Wafer ideal für Infrarot-Erkennungsanwendungen sind, bei denen es auf Leistungskonsistenz ankommt.
Epi-Ready:
1. Diese Wafer sind epitaktisch bereit und daher für Anwendungen mit epitaktischem Wachstum geeignet, bei denen zusätzliche Materialschichten auf dem Wafer abgeschieden werden, um fortschrittliche Halbleiter oder optoelektronische Geräte herzustellen.
Anwendungen
1. Infrarot-Detektoren:InSb-Wafer werden häufig zur Herstellung von Infrarotdetektoren verwendet, insbesondere im mittleren Infrarotbereich (MWIR). Sie sind unverzichtbar für Nachtsichtsysteme, Wärmebildgebung und militärische Anwendungen.
2. Infrarot-Bildgebungssysteme:Die hohe Empfindlichkeit von InSb-Wafern ermöglicht eine präzise Infrarotbildgebung in verschiedenen Bereichen, darunter Sicherheit, Überwachung und wissenschaftliche Forschung.
3. Hochgeschwindigkeitselektronik:Aufgrund ihrer hohen Elektronenbeweglichkeit werden diese Wafer in fortschrittlichen elektronischen Geräten wie Hochgeschwindigkeitstransistoren und optoelektronischen Geräten verwendet.
4. Quantenbrunnen-Geräte:InSb-Wafer eignen sich ideal für Quantentopfanwendungen in Lasern, Detektoren und anderen optoelektronischen Systemen.
Produktparameter
| Parameter | 2 Zoll | 3 Zoll |
| Durchmesser | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm |
| Dicke | 500 ± 5 μm | 650 ± 5 μm |
| Oberfläche | Poliert/Geätzt | Poliert/Geätzt |
| Doping-Typ | Undotiert, Te-dotiert (N), Ge-dotiert (P) | Undotiert, Te-dotiert (N), Ge-dotiert (P) |
| Orientierung | 100, 111 | 100, 111 |
| Paket | Einzel | Einzel |
| Epi-Ready | Ja | Ja |
Elektrische Parameter für Te-dotiert (N-Typ):
- Mobilität: 2000-5000 cm²/V·s
- Spezifischer Widerstand: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekte/cm²
Elektrische Parameter für Ge-dotiert (P-Typ):
- Mobilität: 4000-8000 cm²/V·s
- Spezifischer Widerstand: (0,5-5) Ω·cm
EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekte/cm²
Q&A (Häufig gestellte Fragen)
F1: Welcher Dotierungstyp ist für Infrarot-Erkennungsanwendungen ideal?
A1:Te-dotiert (N-Typ)Wafer sind normalerweise die ideale Wahl für Infrarot-Erkennungsanwendungen, da sie eine hohe Elektronenmobilität und hervorragende Leistung in Detektoren und Bildgebungssystemen für Infrarot mittlerer Wellenlänge (MWIR) bieten.
F2: Kann ich diese Wafer für elektronische Hochgeschwindigkeitsanwendungen verwenden?
A2: Ja, InSb-Wafer, insbesondere solche mitN-Typ-Dotierungund die100 Orientierung, eignen sich aufgrund ihrer hohen Elektronenbeweglichkeit gut für Hochgeschwindigkeitselektronik wie Transistoren, Quantentopfgeräte und optoelektronische Komponenten.
F3: Was sind die Unterschiede zwischen den Ausrichtungen 100 und 111 für InSb-Wafer?
A3: Die100Ausrichtung wird üblicherweise für Geräte verwendet, die eine schnelle elektronische Leistung erfordern, während die111Die Ausrichtung wird häufig für bestimmte Anwendungen verwendet, die unterschiedliche elektrische oder optische Eigenschaften erfordern, einschließlich bestimmter optoelektronischer Geräte und Sensoren.
F4: Welche Bedeutung hat die Epi-Ready-Funktion für InSb-Wafer?
A4: DieEpi-ReadyDiese Eigenschaft bedeutet, dass der Wafer für epitaktische Abscheidungsprozesse vorbehandelt wurde. Dies ist entscheidend für Anwendungen, bei denen zusätzliche Materialschichten auf dem Wafer wachsen müssen, beispielsweise bei der Herstellung fortschrittlicher Halbleiter oder optoelektronischer Bauelemente.
F5: Was sind die typischen Anwendungen von InSb-Wafern im Bereich der Infrarottechnologie?
A5: InSb-Wafer werden hauptsächlich in der Infrarot-Erkennung, Wärmebildgebung, Nachtsichtsystemen und anderen Infrarot-Sensortechnologien eingesetzt. Ihre hohe Empfindlichkeit und ihr geringes Rauschen machen sie ideal fürmittelwelliges Infrarot (MWIR)Detektoren.
F6: Welchen Einfluss hat die Dicke des Wafers auf seine Leistung?
A6: Die Dicke des Wafers spielt eine entscheidende Rolle für seine mechanische Stabilität und seine elektrischen Eigenschaften. Dünnere Wafer werden häufig in empfindlicheren Anwendungen eingesetzt, bei denen eine präzise Kontrolle der Materialeigenschaften erforderlich ist, während dickere Wafer für bestimmte industrielle Anwendungen eine längere Haltbarkeit bieten.
F7: Wie wähle ich die geeignete Wafergröße für meine Anwendung aus?
A7: Die geeignete Wafergröße hängt vom jeweiligen Gerät oder System ab. Kleinere Wafer (2 Zoll) werden häufig für Forschungszwecke und kleinere Anwendungen verwendet, während größere Wafer (3 Zoll) typischerweise für die Massenproduktion und größere Geräte mit höherem Materialbedarf eingesetzt werden.
Abschluss
InSb-Wafer in2 ZollUnd3 ZollGrößen, mitundotiert, N-Typ, UndP-TypVariationen sind in Halbleiter- und optoelektronischen Anwendungen, insbesondere in Infrarot-Detektionssystemen, von großem Wert. Die100Und111Die verschiedenen Ausrichtungen bieten Flexibilität für verschiedene technologische Anforderungen, von Hochgeschwindigkeitselektronik bis hin zu Infrarot-Bildgebungssystemen. Dank ihrer außergewöhnlichen Elektronenmobilität, ihres geringen Rauschens und ihrer präzisen Oberflächenqualität eignen sich diese Wafer ideal fürMittelwellen-Infrarotdetektorenund andere Hochleistungsanwendungen.
Detailliertes Diagramm
