InSb-Wafer 2 Zoll 3 Zoll undotiert N-Typ P-Typ Orientierung 111 100 für Infrarotdetektoren

Kurzbeschreibung:

Indiumantimonid (InSb)-Wafer sind aufgrund ihrer geringen Bandlücke und hohen Elektronenmobilität Schlüsselmaterialien für Infrarotdetektionstechnologien. Sie sind in Durchmessern von 2 Zoll und 3 Zoll sowie in undotierter, n- und p-dotierter Ausführung erhältlich. Die Wafer werden in den Orientierungen (100) und (111) gefertigt und bieten somit Flexibilität für diverse Anwendungen in der Infrarotdetektion und Halbleitertechnik. Dank ihrer hohen Empfindlichkeit und ihres geringen Rauschens eignen sich InSb-Wafer ideal für den Einsatz in MWIR-Detektoren (Mid-Wave Infrared), Infrarot-Bildgebungssystemen und anderen optoelektronischen Anwendungen, die Präzision und hohe Leistungsfähigkeit erfordern.

Senden Sie uns eine E-Mail.

Merkmale

Dopingmöglichkeiten:
1. Undotiert:Diese Wafer sind frei von Dotierstoffen und werden vorwiegend für spezielle Anwendungen wie das epitaktische Wachstum verwendet, bei dem der Wafer als reines Substrat dient.
2.N-Typ (Te-dotiert):Durch Dotierung mit Tellur (Te) werden N-leitende Wafer hergestellt, die eine hohe Elektronenbeweglichkeit aufweisen und sich daher für Infrarotdetektoren, Hochgeschwindigkeitselektronik und andere Anwendungen eignen, die einen effizienten Elektronenfluss erfordern.
3.P-Typ (Ge-dotiert):Durch Dotierung mit Germanium (Ge) werden P-leitende Wafer hergestellt, die eine hohe Lochmobilität aufweisen und sich durch hervorragende Leistung bei Infrarotsensoren und Fotodetektoren auszeichnen.

Größenoptionen:
1. Die Wafer sind in Durchmessern von 2 Zoll und 3 Zoll erhältlich. Dies gewährleistet die Kompatibilität mit verschiedenen Halbleiterfertigungsprozessen und -bauelementen.
2. Der 2-Zoll-Wafer hat einen Durchmesser von 50,8±0,3 mm, der 3-Zoll-Wafer einen Durchmesser von 76,2±0,3 mm.

Orientierung:
1. Die Wafer sind in den Orientierungen 100 und 111 erhältlich. Die 100-Orientierung eignet sich ideal für Hochgeschwindigkeitselektronik und Infrarotdetektoren, während die 111-Orientierung häufig für Bauelemente verwendet wird, die spezifische elektrische oder optische Eigenschaften erfordern.

Oberflächenqualität:
1. Diese Wafer verfügen über polierte/geätzte Oberflächen für eine hervorragende Qualität, die eine optimale Leistung in Anwendungen ermöglicht, die präzise optische oder elektrische Eigenschaften erfordern.
2. Die Oberflächenvorbereitung gewährleistet eine geringe Defektdichte, wodurch sich diese Wafer ideal für Infrarotdetektionsanwendungen eignen, bei denen eine gleichbleibende Leistung entscheidend ist.

Epi-Ready:
1. Diese Wafer sind epi-ready und eignen sich daher für Anwendungen, die epitaktisches Wachstum erfordern, bei dem zusätzliche Materialschichten auf den Wafer aufgebracht werden, um fortschrittliche Halbleiter- oder optoelektronische Bauelemente herzustellen.

Anwendungen

1. Infrarotdetektoren:InSb-Wafer finden breite Anwendung bei der Herstellung von Infrarotdetektoren, insbesondere im mittleren Infrarotbereich (MWIR). Sie sind unverzichtbar für Nachtsichtsysteme, Wärmebildkameras und militärische Anwendungen.
2. Infrarot-Bildgebungssysteme:Die hohe Empfindlichkeit von InSb-Wafern ermöglicht präzise Infrarotbildgebung in verschiedenen Sektoren, darunter Sicherheit, Überwachung und wissenschaftliche Forschung.
3. Hochgeschwindigkeitselektronik:Aufgrund ihrer hohen Elektronenbeweglichkeit werden diese Wafer in fortschrittlichen elektronischen Geräten wie Hochgeschwindigkeitstransistoren und optoelektronischen Bauelementen eingesetzt.
4. Quantenpunktbauelemente:InSb-Wafer eignen sich ideal für Quantenfilm-Anwendungen in Lasern, Detektoren und anderen optoelektronischen Systemen.

Produktparameter

Parameter	2 Zoll	3 Zoll
Durchmesser	50,8 ± 0,3 mm	76,2 ± 0,3 mm
Dicke	500±5μm	650±5μm
Oberfläche	Poliert/Geätzt	Poliert/Geätzt
Dopingart	Undotiert, Te-dotiert (N), Ge-dotiert (P)	Undotiert, Te-dotiert (N), Ge-dotiert (P)
Orientierung	100, 111	100, 111
Paket	Einzel	Einzel
Epi-Ready	Ja	Ja

Elektrische Parameter für Te-dotiertes (N-Typ):

Mobilität: 2000-5000 cm²/V·s
Widerstand: (1-1000) Ω·cm
EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekte/cm²

Elektrische Parameter für Ge-dotiertes (P-Typ):

Mobilität: 4000-8000 cm²/V·s
Widerstand: (0,5-5) Ω·cm

EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekte/cm²

Fragen und Antworten (Häufig gestellte Fragen)

Frage 1: Welcher Dotierungstyp eignet sich am besten für Anwendungen in der Infrarotdetektion?

A1:Te-dotiert (N-Typ)Für Anwendungen in der Infrarotdetektion sind Wafer typischerweise die ideale Wahl, da sie eine hohe Elektronenmobilität und eine ausgezeichnete Leistung in Detektoren und Bildgebungssystemen für den mittleren Infrarotbereich (MWIR) bieten.

Frage 2: Kann ich diese Wafer für Hochgeschwindigkeits-Elektronikanwendungen verwenden?

A2: Ja, InSb-Wafer, insbesondere solche mitN-Dotierungund die100 OrientierungAufgrund ihrer hohen Elektronenbeweglichkeit eignen sie sich hervorragend für Hochgeschwindigkeitselektronik wie Transistoren, Quantenpunktbauelemente und optoelektronische Komponenten.

Frage 3: Worin bestehen die Unterschiede zwischen den 100- und 111-Orientierungen von InSb-Wafern?

A3: Die100Die Ausrichtung wird häufig für Geräte verwendet, die eine hohe elektronische Leistungsfähigkeit erfordern, während die111Die Orientierung wird häufig für spezielle Anwendungen genutzt, die unterschiedliche elektrische oder optische Eigenschaften erfordern, darunter bestimmte optoelektronische Bauelemente und Sensoren.

Frage 4: Welche Bedeutung hat die Epi-Ready-Funktion für InSb-Wafer?

A4: DieEpi-ReadyDieses Merkmal bedeutet, dass der Wafer für epitaktische Abscheidungsprozesse vorbehandelt wurde. Dies ist entscheidend für Anwendungen, die das Aufwachsen zusätzlicher Materialschichten auf dem Wafer erfordern, wie beispielsweise bei der Herstellung fortschrittlicher Halbleiter- oder optoelektronischer Bauelemente.

Frage 5: Was sind die typischen Anwendungsgebiete von InSb-Wafern im Bereich der Infrarottechnologie?

A5: InSb-Wafer werden hauptsächlich in der Infrarotdetektion, Wärmebildgebung, Nachtsichtsystemen und anderen Infrarotsensortechnologien eingesetzt. Ihre hohe Empfindlichkeit und ihr geringes Rauschen machen sie ideal fürMittelwelliges Infrarot (MWIR)Detektoren.

Frage 6: Wie beeinflusst die Dicke des Wafers seine Leistungsfähigkeit?

A6: Die Dicke des Wafers spielt eine entscheidende Rolle für seine mechanische Stabilität und seine elektrischen Eigenschaften. Dünnere Wafer werden häufig in empfindlicheren Anwendungen eingesetzt, die eine präzise Kontrolle der Materialeigenschaften erfordern, während dickere Wafer eine höhere Haltbarkeit für bestimmte industrielle Anwendungen bieten.

Frage 7: Wie wähle ich die geeignete Wafergröße für meine Anwendung aus?

A7: Die geeignete Wafergröße hängt vom jeweiligen Gerät oder System ab. Kleinere Wafer (2 Zoll) werden häufig für Forschungszwecke und kleinere Anwendungen verwendet, während größere Wafer (3 Zoll) typischerweise für die Massenproduktion und größere Geräte mit höherem Materialbedarf eingesetzt werden.

Abschluss

InSb-Wafer in2 ZollUnd3 ZollGrößen, mitundotiert, N-Typ, UndP-TypVariationen sind in Halbleiter- und optoelektronischen Anwendungen, insbesondere in Infrarot-Detektionssystemen, von großem Wert.100Und111Die verschiedenen Ausrichtungen bieten Flexibilität für diverse technologische Anforderungen, von Hochgeschwindigkeitselektronik bis hin zu Infrarot-Bildgebungssystemen. Dank ihrer außergewöhnlichen Elektronenmobilität, des geringen Rauschens und der präzisen Oberflächenqualität eignen sich diese Wafer ideal fürDetektoren für den mittleren Infrarotbereichund andere Hochleistungsanwendungen.