InGaAs-Epitaxie-Wafer-Substrat-PD-Array-Fotodetektor-Arrays können für LiDAR verwendet werden
Zu den Hauptmerkmalen der InGaAs-Laserepitaxieplatte gehören:
1. Gitteranpassung: Es kann eine gute Gitteranpassung zwischen der InGaAs-Epitaxieschicht und dem InP- oder GaAs-Substrat erreicht werden, wodurch die Defektdichte der Epitaxieschicht verringert und die Leistung des Geräts verbessert wird.
2. Einstellbare Bandlücke: Die Bandlücke des InGaAs-Materials kann durch Anpassen des Anteils der Komponenten In und Ga erreicht werden, wodurch InGaAs-Epitaxiefolien vielfältige Anwendungsaussichten in optoelektronischen Geräten haben.
3. Hohe Lichtempfindlichkeit: InGaAs-Epitaxiefolie weist eine hohe Lichtempfindlichkeit auf, was sie im Bereich der fotoelektrischen Erkennung, der optischen Kommunikation und anderen einzigartigen Vorteilen bietet.
4. Hohe Temperaturstabilität: Die InGaAs/InP-Epitaxiestruktur weist eine ausgezeichnete Hochtemperaturstabilität auf und kann eine stabile Geräteleistung bei hohen Temperaturen aufrechterhalten.
Zu den Hauptanwendungen von InGaAs-Laserepitaxietabletten gehören:
1. Optoelektronische Geräte: InGaAs-Epitaxietabletten können zur Herstellung von Fotodioden, Fotodetektoren und anderen optoelektronischen Geräten verwendet werden, die ein breites Anwendungsspektrum in der optischen Kommunikation, Nachtsicht und anderen Bereichen haben.
2. Laser: InGaAs-Epitaxieplatten können auch zur Herstellung von Lasern verwendet werden, insbesondere von Lasern mit langer Wellenlänge, die eine wichtige Rolle in der Glasfaserkommunikation, der industriellen Verarbeitung und anderen Bereichen spielen.
3. Solarzellen: InGaAs-Material verfügt über einen breiten Bandlücken-Einstellbereich, der die von thermischen Photovoltaikzellen geforderten Bandlückenanforderungen erfüllen kann, sodass InGaAs-Epitaxiefolien auch ein gewisses Anwendungspotenzial im Bereich Solarzellen haben.
4. Medizinische Bildgebung: In medizinischen Bildgebungsgeräten (wie CT, MRT usw.) zur Erkennung und Bildgebung.
5. Sensornetzwerk: Bei der Umweltüberwachung und Gasdetektion können mehrere Parameter gleichzeitig überwacht werden.
6. Industrielle Automatisierung: Wird in Bildverarbeitungssystemen verwendet, um den Status und die Qualität von Objekten in der Produktionslinie zu überwachen.
In Zukunft werden sich die Materialeigenschaften des epitaktischen InGaAs-Substrats weiter verbessern, einschließlich der Verbesserung der photoelektrischen Umwandlungseffizienz und der Reduzierung des Rauschpegels. Dadurch wird das epitaktische InGaAs-Substrat in optoelektronischen Geräten häufiger eingesetzt und die Leistung wird verbessert. Gleichzeitig wird auch der Vorbereitungsprozess kontinuierlich optimiert, um Kosten zu senken und die Effizienz zu verbessern, um den Anforderungen des größeren Marktes gerecht zu werden.
Im Allgemeinen nimmt das epitaktische InGaAs-Substrat aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften und breiten Anwendungsaussichten eine wichtige Position im Bereich der Halbleitermaterialien ein.
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