InGaAs-Epitaxie-Wafersubstrat PD-Array-Fotodetektor-Arrays können für LiDAR verwendet werden

InGaAs-Epitaxial-Wafersubstrat PD-Array-Fotodetektor-Arrays können für LiDAR verwendet werden. Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

InGaAs-Epitaxiefilm bezeichnet einen Indium-Gallium-Arsen-Einkristall (InGaAs), der mittels Epitaxieverfahren auf einem spezifischen Substrat gebildet wird. Gängige InGaAs-Epitaxiesubstrate sind Indiumphosphid (InP) und Galliumarsenid (GaAs). Diese Substratmaterialien zeichnen sich durch eine gute Kristallqualität und thermische Stabilität aus und eignen sich daher hervorragend für das Wachstum von InGaAs-Epitaxieschichten.
Das PD-Array (Photodetektor-Array) besteht aus mehreren Photodetektoren, die mehrere optische Signale gleichzeitig erfassen können. Die mittels MOCVD gewachsene Epitaxieschicht wird hauptsächlich in Photodetektionsdioden eingesetzt. Die Absorptionsschicht besteht aus U-InGaAs, die Hintergrunddotierung beträgt <5E14, und die diffundierte Zinkschicht kann vom Kunden oder von Epihouse selbst hergestellt werden. Die Epitaxieplatten wurden mittels PL-, XRD- und ECV-Messungen analysiert.

Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Produkt Tags

Zu den Hauptmerkmalen der InGaAs-Laser-Epitaxiefolie gehören

1. Gitteranpassung: Zwischen der epitaktischen InGaAs-Schicht und dem InP- oder GaAs-Substrat kann eine gute Gitteranpassung erreicht werden, wodurch die Defektdichte der epitaktischen Schicht verringert und die Leistung des Geräts verbessert wird.
2. Einstellbare Bandlücke: Die Bandlücke des InGaAs-Materials kann durch Anpassen des Anteils der Komponenten In und Ga erreicht werden, wodurch InGaAs-Epitaxieplatten ein breites Spektrum an Anwendungsaussichten in optoelektronischen Geräten bieten.
3. Hohe Lichtempfindlichkeit: InGaAs-Epitaxialfilme weisen eine hohe Lichtempfindlichkeit auf, was ihnen im Bereich der fotoelektrischen Erkennung, der optischen Kommunikation und anderen Bereichen einzigartige Vorteile verschafft.
4. Hohe Temperaturstabilität: Die epitaktische InGaAs/InP-Struktur weist eine ausgezeichnete Hochtemperaturstabilität auf und kann bei hohen Temperaturen eine stabile Geräteleistung aufrechterhalten.

Zu den Hauptanwendungen von InGaAs-Laser-Epitaxietabletten gehören

1. Optoelektronische Geräte: InGaAs-Epitaxietabletten können zur Herstellung von Fotodioden, Fotodetektoren und anderen optoelektronischen Geräten verwendet werden, die ein breites Anwendungsspektrum in der optischen Kommunikation, der Nachtsicht und anderen Bereichen haben.

2. Laser: InGaAs-Epitaxieschichten können auch zur Herstellung von Lasern verwendet werden, insbesondere von Langwellenlängenlasern, die in der Glasfaserkommunikation, der industriellen Verarbeitung und anderen Bereichen eine wichtige Rolle spielen.

3. Solarzellen: InGaAs-Material verfügt über einen großen Bandlücken-Einstellbereich, der die Bandlückenanforderungen thermischer Photovoltaikzellen erfüllen kann. Daher verfügt InGaAs-Epitaxiefolie auch über ein gewisses Anwendungspotenzial im Bereich der Solarzellen.

4. Medizinische Bildgebung: In medizinischen Bildgebungsgeräten (wie CT, MRT usw.) zur Erkennung und Bildgebung.

5. Sensornetzwerk: Bei der Umweltüberwachung und Gaserkennung können mehrere Parameter gleichzeitig überwacht werden.

6. Industrielle Automatisierung: Wird in Bildverarbeitungssystemen verwendet, um den Status und die Qualität von Objekten in der Produktionslinie zu überwachen.

Die Materialeigenschaften des epitaktischen InGaAs-Substrats werden sich in Zukunft weiter verbessern, darunter die Verbesserung der photoelektrischen Umwandlungseffizienz und die Reduzierung des Rauschpegels. Dadurch wird das epitaktische InGaAs-Substrat in optoelektronischen Bauelementen breiter eingesetzt und seine Leistung verbessert. Gleichzeitig wird der Herstellungsprozess kontinuierlich optimiert, um Kosten zu senken und die Effizienz zu verbessern und so den Anforderungen des größeren Marktes gerecht zu werden.

Im Allgemeinen nimmt das epitaktische InGaAs-Substrat aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften und breiten Anwendungsaussichten eine wichtige Position im Bereich der Halbleitermaterialien ein.

XKH bietet kundenspezifische InGaAs-Epitaxiefolien mit unterschiedlichen Strukturen und Dicken an und deckt damit ein breites Anwendungsspektrum für optoelektronische Geräte, Laser und Solarzellen ab. Die Produkte von XKH werden mit modernen MOCVD-Anlagen hergestellt, um hohe Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Logistikseitig verfügt XKH über ein breites Spektrum an internationalen Bezugskanälen, die flexibel auf die Auftragslage reagieren und Mehrwertleistungen wie Veredelung und Segmentierung anbieten können. Effiziente Lieferprozesse gewährleisten eine pünktliche Lieferung und erfüllen die Kundenanforderungen hinsichtlich Qualität und Lieferzeiten.