InGaAs-Epitaxie-Wafer-Substrat-PD-Array-Photodetektor-Arrays können für LiDAR verwendet werden.
Zu den wichtigsten Merkmalen der InGaAs-Laser-Epitaxieschicht gehören
1. Gitteranpassung: Eine gute Gitteranpassung kann zwischen der InGaAs-Epitaxieschicht und dem InP- oder GaAs-Substrat erreicht werden, wodurch die Defektdichte der Epitaxieschicht reduziert und die Leistung des Bauelements verbessert wird.
2. Einstellbare Bandlücke: Die Bandlücke des InGaAs-Materials kann durch Anpassen des Verhältnisses der Komponenten In und Ga erreicht werden, wodurch InGaAs-Epitaxieschichten ein breites Anwendungsspektrum in optoelektronischen Bauelementen aufweisen.
3. Hohe Lichtempfindlichkeit: InGaAs-Epitaxieschichten besitzen eine hohe Lichtempfindlichkeit, was ihnen im Bereich der photoelektrischen Detektion, der optischen Kommunikation und anderen Anwendungen einzigartige Vorteile verschafft.
4. Hohe Temperaturstabilität: Die InGaAs/InP-Epitaxiestruktur weist eine ausgezeichnete hohe Temperaturstabilität auf und kann auch bei hohen Temperaturen eine stabile Leistung des Bauelements gewährleisten.
Zu den Hauptanwendungen von InGaAs-Laser-Epitaxietabletten gehören:
1. Optoelektronische Bauelemente: Aus InGaAs-Epitaxietabletten können Fotodioden, Fotodetektoren und andere optoelektronische Bauelemente hergestellt werden, die ein breites Anwendungsspektrum in der optischen Kommunikation, der Nachtsicht und anderen Bereichen aufweisen.
2. Laser: InGaAs-Epitaxieschichten können auch zur Herstellung von Lasern verwendet werden, insbesondere von Langwellenlasern, die eine wichtige Rolle in der optischen Faserkommunikation, der industriellen Verarbeitung und anderen Bereichen spielen.
3. Solarzellen: InGaAs-Materialien verfügen über einen großen Bandlücken-Einstellbereich, der die von thermischen Photovoltaikzellen geforderten Bandlückenanforderungen erfüllt. Daher besitzen InGaAs-Epitaxieschichten auch ein gewisses Anwendungspotenzial im Bereich der Solarzellen.
4. Medizinische Bildgebung: In medizinischen Bildgebungsgeräten (wie CT, MRT usw.) zur Detektion und Bildgebung.
5. Sensornetzwerk: Bei der Umweltüberwachung und Gasdetektion können mehrere Parameter gleichzeitig überwacht werden.
6. Industrieautomation: wird in Bildverarbeitungssystemen eingesetzt, um den Zustand und die Qualität von Objekten in der Produktionslinie zu überwachen.
Zukünftig werden sich die Materialeigenschaften von InGaAs-Epitaxiesubstraten weiter verbessern, darunter die Steigerung der photoelektrischen Umwandlungseffizienz und die Reduzierung des Rauschpegels. Dies wird zu einer breiteren Anwendung von InGaAs-Epitaxiesubstraten in optoelektronischen Bauelementen und zu einer noch besseren Leistung führen. Gleichzeitig wird der Herstellungsprozess kontinuierlich optimiert, um Kosten zu senken und die Effizienz zu steigern und so den Bedürfnissen eines breiteren Marktes gerecht zu werden.
Im Allgemeinen nimmt das InGaAs-Epitaxiesubstrat aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften und breiten Anwendungsmöglichkeiten eine wichtige Stellung im Bereich der Halbleitermaterialien ein.
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