InGaAs-Epitaxie-Wafersubstrat-PD-Array-Fotodetektor-Arrays können für LiDAR verwendet werden
Zu den Hauptmerkmalen der InGaAs-Laser-Epitaxiefolie gehören
1. Gitteranpassung: Zwischen der epitaktischen InGaAs-Schicht und dem InP- oder GaAs-Substrat kann eine gute Gitteranpassung erreicht werden, wodurch die Defektdichte der epitaktischen Schicht verringert und die Leistung des Geräts verbessert wird.
2. Einstellbare Bandlücke: Die Bandlücke des InGaAs-Materials kann durch Anpassen des Anteils der Komponenten In und Ga erreicht werden, wodurch InGaAs-Epitaxieplatten ein breites Spektrum an Anwendungsaussichten in optoelektronischen Geräten bieten.
3. Hohe Lichtempfindlichkeit: Der epitaktische InGaAs-Film weist eine hohe Lichtempfindlichkeit auf, was ihm im Bereich der fotoelektrischen Erkennung, der optischen Kommunikation und anderen Bereichen einzigartige Vorteile verschafft.
4. Hohe Temperaturstabilität: Die epitaktische InGaAs/InP-Struktur weist eine ausgezeichnete Hochtemperaturstabilität auf und kann bei hohen Temperaturen eine stabile Geräteleistung aufrechterhalten.
Zu den Hauptanwendungen von InGaAs-Laser-Epitaxietabletten gehören
1. Optoelektronische Geräte: InGaAs-Epitaxietabletten können zur Herstellung von Fotodioden, Fotodetektoren und anderen optoelektronischen Geräten verwendet werden, die ein breites Anwendungsspektrum in der optischen Kommunikation, Nachtsicht und anderen Bereichen haben.
2. Laser: InGaAs-Epitaxieplatten können auch zur Herstellung von Lasern verwendet werden, insbesondere von Langwellenlasern, die in der Glasfaserkommunikation, der industriellen Verarbeitung und anderen Bereichen eine wichtige Rolle spielen.
3. Solarzellen: InGaAs-Material verfügt über einen großen Bandlücken-Einstellbereich, der die Bandlückenanforderungen thermischer Photovoltaikzellen erfüllen kann. Daher verfügt die epitaktische InGaAs-Schicht auch über ein gewisses Anwendungspotenzial im Bereich der Solarzellen.
4. Medizinische Bildgebung: In medizinischen Bildgebungsgeräten (wie CT, MRT usw.) zur Erkennung und Bildgebung.
5. Sensornetzwerk: Bei der Umweltüberwachung und Gaserkennung können mehrere Parameter gleichzeitig überwacht werden.
6. Industrielle Automatisierung: Wird in Bildverarbeitungssystemen verwendet, um den Status und die Qualität von Objekten in der Produktionslinie zu überwachen.
Die Materialeigenschaften des epitaktischen InGaAs-Substrats werden sich in Zukunft weiter verbessern, darunter die Verbesserung der photoelektrischen Umwandlungseffizienz und die Reduzierung des Rauschpegels. Dadurch wird das epitaktische InGaAs-Substrat in optoelektronischen Geräten breiter eingesetzt und seine Leistung verbessert. Gleichzeitig wird der Herstellungsprozess kontinuierlich optimiert, um Kosten zu senken und die Effizienz zu verbessern und so den Anforderungen des größeren Marktes gerecht zu werden.
Im Allgemeinen nimmt das epitaktische InGaAs-Substrat aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften und breiten Anwendungsaussichten eine wichtige Position im Bereich der Halbleitermaterialien ein.
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