Indium-Antimonid (InSb)-Wafer N-Typ P-Typ Epi-ready undotiert Te-dotiert oder Ge-dotiert 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Dicke Indium-Antimonid (InSb)-Wafer
Merkmale
Dopingmöglichkeiten:
1.Undotiert:Diese Wafer sind frei von jeglichen Dotierstoffen und daher ideal für spezielle Anwendungen wie das epitaktische Wachstum.
2.Te dotiert (N-Typ):Die Dotierung mit Tellur (Te) wird häufig zur Herstellung von N-Typ-Wafern verwendet, die sich ideal für Anwendungen wie Infrarotdetektoren und Hochgeschwindigkeitselektronik eignen.
3.Ge dotiert (P-Typ):Durch Dotierung mit Germanium (Ge) werden P-Typ-Wafer hergestellt, die eine hohe Löcherbeweglichkeit für fortschrittliche Halbleiteranwendungen bieten.
Größenoptionen:
1. Erhältlich in den Durchmessern 2, 3 und 4 Zoll. Diese Wafer erfüllen unterschiedliche technologische Anforderungen, von der Forschung und Entwicklung bis hin zur Massenproduktion.
2. Präzise Durchmessertoleranzen gewährleisten Konsistenz über alle Chargen hinweg, mit Durchmessern von 50,8 ± 0,3 mm (für 2-Zoll-Wafer) und 76,2 ± 0,3 mm (für 3-Zoll-Wafer).
Dickenkontrolle:
1. Die Wafer sind mit einer Dicke von 500 ± 5 μm für optimale Leistung in verschiedenen Anwendungen erhältlich.
2. Zusätzliche Messungen wie TTV (Total Thickness Variation), BOW und Warp werden sorgfältig kontrolliert, um eine hohe Gleichmäßigkeit und Qualität sicherzustellen.
Oberflächenqualität:
1. Die Wafer haben eine polierte/geätzte Oberfläche für eine verbesserte optische und elektrische Leistung.
2. Diese Oberflächen sind ideal für epitaktisches Wachstum und bieten eine glatte Basis für die weitere Verarbeitung in Hochleistungsgeräten.
Epi-Ready:
1. Die InSb-Wafer sind epitaktisch vorbereitet, d. h. sie sind für epitaktische Abscheidungsprozesse vorbehandelt. Dadurch eignen sie sich ideal für Anwendungen in der Halbleiterfertigung, bei denen epitaktische Schichten auf dem Wafer abgeschieden werden müssen.
Anwendungen
1. Infrarot-Detektoren:InSb-Wafer werden häufig in der Infrarot-Detektion (IR) eingesetzt, insbesondere im mittleren Infrarot-Wellenlängenbereich (MWIR). Diese Wafer sind für Anwendungen in den Bereichen Nachtsicht, Wärmebildgebung und Infrarotspektroskopie unverzichtbar.
2. Hochgeschwindigkeitselektronik:Aufgrund ihrer hohen Elektronenbeweglichkeit werden InSb-Wafer in elektronischen Hochgeschwindigkeitsgeräten wie Hochfrequenztransistoren, Quantentopfgeräten und Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs) verwendet.
3. Quantenbrunnen-Geräte:Aufgrund ihrer schmalen Bandlücke und der hervorragenden Elektronenbeweglichkeit eignen sich InSb-Wafer für den Einsatz in Quantentopfbauelementen. Diese Bauelemente sind Schlüsselkomponenten in Lasern, Detektoren und anderen optoelektronischen Systemen.
4. Spintronische Geräte:InSb wird auch in spintronischen Anwendungen erforscht, bei denen der Elektronenspin zur Informationsverarbeitung genutzt wird. Die geringe Spin-Bahn-Kopplung des Materials macht es ideal für diese Hochleistungsgeräte.
5. Terahertz (THz)-Strahlungsanwendungen:InSb-basierte Bauelemente werden in THz-Strahlungsanwendungen eingesetzt, unter anderem in der wissenschaftlichen Forschung, Bildgebung und Materialcharakterisierung. Sie ermöglichen fortschrittliche Technologien wie THz-Spektroskopie und THz-Bildgebungssysteme.
6. Thermoelektrische Geräte:Die einzigartigen Eigenschaften von InSb machen es zu einem attraktiven Material für thermoelektrische Anwendungen, wo es zur effizienten Umwandlung von Wärme in Elektrizität eingesetzt werden kann, insbesondere in Nischenanwendungen wie der Weltraumtechnologie oder der Stromerzeugung in extremen Umgebungen.
Produktparameter
| Parameter | 2 Zoll | 3 Zoll | 4 Zoll |
| Durchmesser | 50,8 ± 0,3 mm | 76,2 ± 0,3 mm | - |
| Dicke | 500 ± 5 μm | 650 ± 5 μm | - |
| Oberfläche | Poliert/Geätzt | Poliert/Geätzt | Poliert/Geätzt |
| Doping-Typ | Undotiert, Te-dotiert (N), Ge-dotiert (P) | Undotiert, Te-dotiert (N), Ge-dotiert (P) | Undotiert, Te-dotiert (N), Ge-dotiert (P) |
| Orientierung | (100) | (100) | (100) |
| Paket | Einzel | Einzel | Einzel |
| Epi-Ready | Ja | Ja | Ja |
Elektrische Parameter für Te-dotiert (N-Typ):
- Mobilität: 2000-5000 cm²/V·s
- Spezifischer Widerstand: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekte/cm²
Elektrische Parameter für Ge-dotiert (P-Typ):
- Mobilität: 4000-8000 cm²/V·s
- Spezifischer Widerstand: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekte/cm²
Abschluss
Indiumantimonid (InSb)-Wafer sind ein unverzichtbares Material für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen in den Bereichen Elektronik, Optoelektronik und Infrarottechnologie. Dank ihrer hervorragenden Elektronenbeweglichkeit, der geringen Spin-Bahn-Kopplung und einer Vielzahl von Dotierungsoptionen (Te für N-Typ, Ge für P-Typ) eignen sich InSb-Wafer ideal für den Einsatz in Geräten wie Infrarotdetektoren, Hochgeschwindigkeitstransistoren, Quantentopfbauelementen und Spintronik-Bauelementen.
Die Wafer sind in verschiedenen Größen (2 Zoll, 3 Zoll und 4 Zoll) erhältlich und verfügen über eine präzise Dickenkontrolle und epitaktische Oberflächen. So erfüllen sie die hohen Anforderungen der modernen Halbleiterfertigung. Sie eignen sich ideal für Anwendungen in Bereichen wie IR-Detektion, Hochgeschwindigkeitselektronik und THz-Strahlung und ermöglichen fortschrittliche Technologien in Forschung, Industrie und Verteidigung.
Detailliertes Diagramm
