Indiumantimonid (InSb)-Wafer, N-Typ, P-Typ, Epi-fertig, undotiert, Te-dotiert oder Ge-dotiert, 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll Dicke

Kurzbeschreibung:

Indiumantimonid (InSb)-Wafer sind eine Schlüsselkomponente in leistungsstarken elektronischen und optoelektronischen Anwendungen. Diese Wafer sind in verschiedenen Ausführungen erhältlich, darunter n-dotiert, p-dotiert und undotiert, und können mit Elementen wie Tellur (Te) oder Germanium (Ge) dotiert werden. Aufgrund ihrer exzellenten Elektronenmobilität und geringen Bandlücke finden InSb-Wafer breite Anwendung in der Infrarotdetektion, in Hochgeschwindigkeitstransistoren, Quantenstrukturen und anderen Spezialanwendungen. Die Wafer sind in verschiedenen Durchmessern wie 2 Zoll, 3 Zoll und 4 Zoll mit präziser Dickenkontrolle und hochwertigen, polierten/geätzten Oberflächen verfügbar.

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Merkmale

Dopingmöglichkeiten:
1. Undotiert:Diese Wafer sind frei von Dotierstoffen und eignen sich daher ideal für spezielle Anwendungen wie das epitaktische Wachstum.
2. Te-dotiert (N-Typ):Die Dotierung mit Tellur (Te) wird häufig zur Herstellung von N-leitenden Wafern verwendet, die sich ideal für Anwendungen wie Infrarotdetektoren und Hochgeschwindigkeitselektronik eignen.
3.Ge-dotiert (P-Typ):Durch Dotierung mit Germanium (Ge) werden P-leitende Wafer hergestellt, die eine hohe Lochmobilität für fortschrittliche Halbleiteranwendungen bieten.

Größenoptionen:
1. Erhältlich in Durchmessern von 2 Zoll, 3 Zoll und 4 Zoll. Diese Wafer decken unterschiedliche technologische Anforderungen ab, von Forschung und Entwicklung bis hin zur Großserienfertigung.
2. Präzise Durchmessertoleranzen gewährleisten Konsistenz über alle Chargen hinweg, mit Durchmessern von 50,8±0,3 mm (für 2-Zoll-Wafer) und 76,2±0,3 mm (für 3-Zoll-Wafer).

Dickenkontrolle:
1. Die Wafer sind mit einer Dicke von 500±5μm für optimale Leistung in verschiedenen Anwendungen erhältlich.
2. Zusätzliche Messgrößen wie TTV (Gesamtdickenvariation), BOW und Warp werden sorgfältig kontrolliert, um eine hohe Gleichmäßigkeit und Qualität zu gewährleisten.

Oberflächenqualität:
1. Die Wafer verfügen über eine polierte/geätzte Oberfläche für verbesserte optische und elektrische Eigenschaften.
2. Diese Oberflächen eignen sich ideal für das epitaktische Wachstum und bieten eine glatte Basis für die Weiterverarbeitung in Hochleistungsbauelementen.

Epi-Ready:
1. Die InSb-Wafer sind epitaktisch vorbereitet, d. h. sie sind für Epitaxieprozesse vorbehandelt. Dadurch eignen sie sich ideal für Anwendungen in der Halbleiterfertigung, bei denen Epitaxieschichten auf dem Wafer aufgebracht werden müssen.

Anwendungen

1. Infrarotdetektoren:InSb-Wafer werden häufig in der Infrarotdetektion (IR) eingesetzt, insbesondere im mittleren Infrarotbereich (MWIR). Diese Wafer sind unerlässlich für Nachtsicht-, Wärmebild- und Infrarotspektroskopieanwendungen.

2. Hochgeschwindigkeitselektronik:Aufgrund ihrer hohen Elektronenbeweglichkeit werden InSb-Wafer in Hochgeschwindigkeitselektronikbauteilen wie Hochfrequenztransistoren, Quantentopfbauelementen und HEMT-Transistoren (High Electron Mobility Transistors) eingesetzt.

3. Quantenpunktbauelemente:Die geringe Bandlücke und die hervorragende Elektronenbeweglichkeit machen InSb-Wafer geeignet für den Einsatz in Quantenstrukturen. Diese Bauelemente sind Schlüsselkomponenten in Lasern, Detektoren und anderen optoelektronischen Systemen.

4. Spintronische Bauelemente:InSb wird auch in spintronischen Anwendungen erforscht, bei denen der Elektronenspin zur Informationsverarbeitung genutzt wird. Die geringe Spin-Bahn-Kopplung des Materials macht es ideal für diese Hochleistungsbauelemente.

5. Anwendungen der Terahertz-Strahlung (THz):InSb-basierte Bauelemente werden in Terahertz-Strahlungsanwendungen eingesetzt, darunter in der wissenschaftlichen Forschung, der Bildgebung und der Materialcharakterisierung. Sie ermöglichen fortschrittliche Technologien wie Terahertz-Spektroskopie und Terahertz-Bildgebungssysteme.

6. Thermoelektrische Geräte:Aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften ist InSb ein attraktives Material für thermoelektrische Anwendungen, bei denen Wärme effizient in Elektrizität umgewandelt werden kann, insbesondere in Nischenanwendungen wie der Raumfahrttechnik oder der Stromerzeugung in extremen Umgebungen.

Produktparameter

Parameter	2 Zoll	3 Zoll	4 Zoll
Durchmesser	50,8 ± 0,3 mm	76,2 ± 0,3 mm	-
Dicke	500±5μm	650±5μm	-
Oberfläche	Poliert/Geätzt	Poliert/Geätzt	Poliert/Geätzt
Dopingart	Undotiert, Te-dotiert (N), Ge-dotiert (P)	Undotiert, Te-dotiert (N), Ge-dotiert (P)	Undotiert, Te-dotiert (N), Ge-dotiert (P)
Orientierung	(100)	(100)	(100)
Paket	Einzel	Einzel	Einzel
Epi-Ready	Ja	Ja	Ja

Elektrische Parameter für Te-dotiertes (N-Typ):

Mobilität: 2000-5000 cm²/V·s
Widerstand: (1-1000) Ω·cm
EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekte/cm²

Elektrische Parameter für Ge-dotiertes (P-Typ):

Mobilität: 4000-8000 cm²/V·s
Widerstand: (0,5-5) Ω·cm
EPD (Defektdichte): ≤2000 Defekte/cm²

Abschluss

Indiumantimonid (InSb)-Wafer sind ein unverzichtbares Material für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen in der Elektronik, Optoelektronik und Infrarottechnik. Dank ihrer exzellenten Elektronenmobilität, der geringen Spin-Bahn-Kopplung und der vielfältigen Dotierungsmöglichkeiten (Te für N-Typ, Ge für P-Typ) eignen sich InSb-Wafer ideal für den Einsatz in Bauelementen wie Infrarotdetektoren, Hochgeschwindigkeitstransistoren, Quantenpunktbauelementen und Spintronik-Bauelementen.

Die Wafer sind in verschiedenen Größen (2 Zoll, 3 Zoll und 4 Zoll) erhältlich und zeichnen sich durch präzise Dickenkontrolle und epitaxiefertige Oberflächen aus. Dadurch erfüllen sie die hohen Anforderungen der modernen Halbleiterfertigung. Diese Wafer eignen sich ideal für Anwendungen in Bereichen wie Infrarotdetektion, Hochgeschwindigkeitselektronik und Terahertz-Strahlung und ermöglichen so fortschrittliche Technologien in Forschung, Industrie und Verteidigung.