HPSI-SiC-Wafer-Durchmesser: 3 Zoll, Dicke: 350 µm ± 25 µm für Leistungselektronik

Kurzbeschreibung:

Der HPSI-SiC-Wafer (High-Purity Silicon Carbide) mit einem Durchmesser von 3 Zoll und einer Dicke von 350 µm ± 25 µm ist speziell für Leistungselektronikanwendungen konzipiert, die Hochleistungssubstrate erfordern. Dieser SiC-Wafer bietet hervorragende Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchbruchspannung und Effizienz bei hohen Betriebstemperaturen und ist damit eine ideale Wahl für die wachsende Nachfrage nach energieeffizienten und robusten leistungselektronischen Geräten. SiC-Wafer eignen sich besonders für Hochspannungs-, Hochstrom- und Hochfrequenzanwendungen, bei denen herkömmliche Siliziumsubstrate den betrieblichen Anforderungen nicht genügen.
Unser HPSI-SiC-Wafer, der mit den neuesten branchenführenden Techniken hergestellt wird, ist in mehreren Qualitäten erhältlich, die jeweils auf spezifische Fertigungsanforderungen zugeschnitten sind. Der Wafer weist eine hervorragende strukturelle Integrität, elektrische Eigenschaften und Oberflächenqualität auf und stellt sicher, dass er in anspruchsvollen Anwendungen, einschließlich Leistungshalbleitern, Elektrofahrzeugen (EVs), erneuerbaren Energiesystemen und industrieller Energieumwandlung, zuverlässige Leistung liefern kann.

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Produktdetails

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Anwendung

HPSI-SiC-Wafer werden in einer Vielzahl von Anwendungen der Leistungselektronik eingesetzt, darunter:

Leistungshalbleiter:SiC-Wafer werden üblicherweise bei der Herstellung von Leistungsdioden, Transistoren (MOSFETs, IGBTs) und Thyristoren verwendet. Diese Halbleiter werden häufig in Stromumwandlungsanwendungen eingesetzt, die eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern, beispielsweise in industriellen Motorantrieben, Netzteilen und Wechselrichtern für erneuerbare Energiesysteme.
Elektrofahrzeuge (EVs):In Antriebssträngen von Elektrofahrzeugen sorgen SiC-basierte Leistungsgeräte für schnellere Schaltgeschwindigkeiten, höhere Energieeffizienz und geringere Wärmeverluste. SiC-Komponenten eignen sich ideal für Anwendungen in Batteriemanagementsystemen (BMS), Ladeinfrastruktur und On-Board-Ladegeräten (OBCs), bei denen es auf die Minimierung des Gewichts und die Maximierung der Energieumwandlungseffizienz ankommt.

Erneuerbare Energiesysteme:SiC-Wafer werden zunehmend in Solarwechselrichtern, Windkraftanlagen und Energiespeichersystemen eingesetzt, wo es auf hohe Effizienz und Robustheit ankommt. SiC-basierte Komponenten ermöglichen eine höhere Leistungsdichte und verbesserte Leistung in diesen Anwendungen und verbessern die Gesamteffizienz der Energieumwandlung.

Industrielle Leistungselektronik:In industriellen Hochleistungsanwendungen wie Motorantrieben, Robotik und Großstromversorgungen ermöglicht der Einsatz von SiC-Wafern eine verbesserte Leistung in Bezug auf Effizienz, Zuverlässigkeit und Wärmemanagement. SiC-Geräte können mit hohen Schaltfrequenzen und hohen Temperaturen umgehen und eignen sich daher für anspruchsvolle Umgebungen.

Telekommunikations- und Datenzentren:SiC wird in Stromversorgungen für Telekommunikationsgeräte und Rechenzentren verwendet, wo hohe Zuverlässigkeit und effiziente Stromumwandlung von entscheidender Bedeutung sind. SiC-basierte Leistungsgeräte ermöglichen eine höhere Effizienz bei kleineren Größen, was sich in einem geringeren Stromverbrauch und einer besseren Kühleffizienz in großen Infrastrukturen niederschlägt.

Die hohe Durchbruchspannung, der niedrige Einschaltwiderstand und die hervorragende Wärmeleitfähigkeit von SiC-Wafern machen sie zum idealen Substrat für diese fortschrittlichen Anwendungen und ermöglichen die Entwicklung energieeffizienter Leistungselektronik der nächsten Generation.

Eigenschaften

Eigentum	Wert
Waferdurchmesser	3 Zoll (76,2 mm)
Waferdicke	350 µm ± 25 µm
Waferausrichtung	<0001> auf der Achse ± 0,5°
Mikrorohrdichte (MPD)	≤ 1 cm⁻²
Elektrischer Widerstand	≥ 1E7 Ω·cm
Dotierstoff	Undotiert
Primäre flache Ausrichtung	{11-20} ± 5,0°
Primäre flache Länge	32,5 mm ± 3,0 mm
Sekundäre flache Länge	18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundäre flache Ausrichtung	Si-Seite nach oben: 90° im Uhrzeigersinn von der Primärfläche ± 5,0°
Kantenausschluss	3 mm
LTV/TTV/Bogen/Warp	3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm
Oberflächenrauheit	C-Fläche: Poliert, Si-Fläche: CMP
Risse (überprüft mit hochintensivem Licht)	Keiner
Sechskantplatten (überprüft mit hochintensivem Licht)	Keiner
Polytype-Bereiche (überprüft mit hochintensivem Licht)	Kumulierte Fläche 5 %
Kratzer (überprüft mit hochintensivem Licht)	≤ 5 Kratzer, Gesamtlänge ≤ 150 mm
Kantenabplatzer	Nicht zulässig ≥ 0,5 mm Breite und Tiefe
Oberflächenverunreinigung (überprüft durch hochintensives Licht)	Keiner

Hauptvorteile

Hohe Wärmeleitfähigkeit:SiC-Wafer sind für ihre außergewöhnliche Fähigkeit zur Wärmeableitung bekannt, die es Leistungsgeräten ermöglicht, mit höherer Effizienz zu arbeiten und höhere Ströme ohne Überhitzung zu verarbeiten. Diese Funktion ist in der Leistungselektronik von entscheidender Bedeutung, wo das Wärmemanagement eine große Herausforderung darstellt.
Hohe Durchbruchspannung:Die große Bandlücke von SiC ermöglicht es Geräten, höhere Spannungspegel zu tolerieren, was sie ideal für Hochspannungsanwendungen wie Stromnetze, Elektrofahrzeuge und Industriemaschinen macht.
Hohe Effizienz:Die Kombination aus hohen Schaltfrequenzen und niedrigem Einschaltwiderstand führt zu Geräten mit geringerem Energieverlust, was die Gesamteffizienz der Stromumwandlung verbessert und den Bedarf an komplexen Kühlsystemen verringert.
Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen:SiC kann bei hohen Temperaturen (bis zu 600 °C) betrieben werden und eignet sich daher für den Einsatz in Umgebungen, in denen herkömmliche Geräte auf Siliziumbasis ansonsten beschädigt würden.
Energieeinsparungen:SiC-Leistungsgeräte verbessern die Energieumwandlungseffizienz, was für die Reduzierung des Stromverbrauchs von entscheidender Bedeutung ist, insbesondere in großen Systemen wie industriellen Stromrichtern, Elektrofahrzeugen und der Infrastruktur für erneuerbare Energien.