vergoldete Siliziumscheibe (Si-Wafer) 10 nm 50 nm 100 nm 500 nm Au Ausgezeichnete Leitfähigkeit für LED

Vergoldete Siliziumscheibe (Si-Wafer) 10 nm 50 nm 100 nm 500 nm Au Hervorragende Leitfähigkeit für LED Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

Unsere goldbeschichteten Silizium-Wafer wurden für fortschrittliche Halbleiter- und Optoelektronikanwendungen entwickelt. Diese Wafer, erhältlich in den Durchmessern 2, 4 und 6 Zoll, sind mit einer dünnen Schicht hochreinen Goldes (Au) beschichtet. Die Goldschicht ist präzisionsbeschichtet und hat eine Dicke von 50 nm (± 5 nm). Individuelle Dicken sind jedoch auf Kundenwunsch möglich. Mit 99,999 % reinem Gold bieten diese Wafer außergewöhnliche Leistung hinsichtlich elektrischer Leitfähigkeit, Wärmeableitung und mechanischer Haltbarkeit.

Diese goldbeschichteten Wafer wurden für eine Vielzahl elektronischer Geräte entwickelt und gewährleisten eine stabile Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Sie eignen sich daher ideal für Halbleiterverpackungen, die LED-Herstellung und die Optoelektronik. Ihre Oberflächenqualität, Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit gewährleisten eine höhere Zuverlässigkeit und Langlebigkeit der Geräte.

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Produktdetail

Produkt Tags

Hauptmerkmale

Besonderheit	Beschreibung
Waferdurchmesser	Erhältlich in2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll
Dicke der Goldschicht	50 nm (± 5 nm)oder für spezielle Anforderungen anpassbar
Goldreinheit	99,999 % Au(hohe Reinheit für optimale Leistung)
Beschichtungsverfahren	GalvanisierenoderVakuumabscheidungfür gleichmäßige Beschichtung
Oberflächenbeschaffenheit	Glatte, fehlerfreie Oberfläche, unerlässlich für Präzisionsanwendungen
Wärmeleitfähigkeit	Hohe Wärmeleitfähigkeit für effektive Wärmeableitung
Elektrische Leitfähigkeit	Hervorragende elektrische Leitfähigkeit, ideal für den Einsatz in Halbleitern
Korrosionsbeständigkeit	Hervorragende Oxidationsbeständigkeit, ideal für raue Umgebungen

Warum Goldbeschichtungen in der Halbleiterindustrie unverzichtbar sind

Elektrische Leitfähigkeit
Gold ist für seine hervorragende elektrische Leitfähigkeit bekannt und eignet sich daher ideal für Anwendungen, bei denen effiziente und stabile elektrische Verbindungen erforderlich sind. In der Halbleiterfertigung sorgen goldbeschichtete Wafer für hochzuverlässige Verbindungen und reduzieren die Signalverschlechterung.

Korrosionsbeständigkeit
Im Gegensatz zu anderen Metallen oxidiert oder korrodiert Gold im Laufe der Zeit nicht und eignet sich daher hervorragend zum Schutz empfindlicher elektrischer Kontakte. In Halbleitergehäusen und Geräten, die rauen Umweltbedingungen ausgesetzt sind, sorgt die Korrosionsbeständigkeit von Gold dafür, dass Verbindungen über lange Zeit intakt und funktionsfähig bleiben.

Wärmemanagement
Die Wärmeleitfähigkeit von Gold ist sehr hoch. Dadurch kann der goldbeschichtete Siliziumwafer die vom Halbleiterbauelement erzeugte Wärme effektiv ableiten. Dies ist entscheidend, um eine Überhitzung des Bauelements zu verhindern und eine optimale Leistung aufrechtzuerhalten.

Mechanische Festigkeit und Haltbarkeit
Goldbeschichtungen verleihen Silizium-Wafern mechanische Festigkeit, verhindern Oberflächenschäden und verbessern die Haltbarkeit des Wafers während der Verarbeitung, des Transports und der Handhabung.

Eigenschaften nach der Beschichtung

Verbesserte Oberflächenqualität
Der goldbeschichtete Wafer bietet eine glatte, gleichmäßige Oberfläche, die entscheidend ist fürhochpräzise Anwendungenwie bei der Halbleiterherstellung, wo Defekte auf der Oberfläche die Leistung des Endprodukts beeinträchtigen können.

Überlegene Klebe- und Löteigenschaften
DerGoldbeschichtungmacht den Siliziumwafer ideal fürDrahtbonden, Flip-Chip-Bonding, UndLötenin Halbleiterbauelementen und sorgt für sichere und stabile elektrische Verbindungen.

Langzeitstabilität
Goldbeschichtete Wafer bieten verbesserteLangzeitstabilitätin Halbleiteranwendungen. Die Goldschicht schützt den Wafer vor Oxidation und Beschädigung und gewährleistet so eine dauerhaft zuverlässige Leistung des Wafers, auch unter extremen Bedingungen.

Verbesserte Gerätezuverlässigkeit
Durch die Reduzierung des Risikos von Ausfällen durch Korrosion oder Hitze tragen goldbeschichtete Siliziumwafer erheblich zurZuverlässigkeitUndLanglebigkeitvon Halbleiterbauelementen und -systemen.

Parameter

Eigentum	Wert
Waferdurchmesser	2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll
Dicke der Goldschicht	50 nm (± 5 nm) oder anpassbar
Goldreinheit	99,999 % Au
Beschichtungsverfahren	Galvanisieren oder Vakuumbeschichten
Oberflächenbeschaffenheit	Glatt, fehlerfrei
Wärmeleitfähigkeit	315 W/m·K
Elektrische Leitfähigkeit	45,5 x 10⁶ S/m
Dichte von Gold	19,32 g/cm³
Schmelzpunkt von Gold	1064 °C

Anwendungen von goldbeschichteten Silizium-Wafern

Halbleiterverpackungen
Goldbeschichtete Wafer sind entscheidend fürIC-Verpackungin fortschrittlichen Halbleiterbauelementen und bietet überlegene elektrische Verbindungen und verbesserte Wärmeleistung.

LED-Herstellung
In LED-Produktion, die Goldschicht sorgteffektive WärmeableitungUndelektrische Leitfähigkeit, wodurch eine bessere Leistung und Langlebigkeit für Hochleistungs-LEDs gewährleistet wird.

Optoelektronik
Goldbeschichtete Wafer werden zur Herstellung vonoptoelektronische Geräte, wie zum BeispielFotodetektoren, Laser, UndLichtsensoren, wo ein stabiles elektrisches und thermisches Management entscheidend ist.

Photovoltaik-Anwendungen
Goldbeschichtete Wafer werden auch verwendet inSolarzellen, wo ihreKorrosionsbeständigkeitUndhohe LeitfähigkeitVerbessern Sie die Gesamteffizienz und Leistung des Geräts.

Mikroelektronik und MEMS
In MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)und andereMikroelektronik, goldbeschichtete Wafer sorgen für präzise elektrische Verbindungen und tragen zur Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit der Geräte bei.

Häufig gestellte Fragen (Q&A)

F1: Warum wird zum Beschichten von Silizium-Wafern Gold verwendet?

A1:Gold wird aufgrund seinerausgezeichnete elektrische Leitfähigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Undthermische Eigenschaften, die für Halbleiteranwendungen von entscheidender Bedeutung sind, die zuverlässige elektrische Verbindungen, effiziente Wärmeableitung und Langlebigkeit erfordern.

F2: Was ist die Standarddicke der Goldschicht?

A2:Die Standarddicke der Goldschicht beträgt50 nm (± 5 nm), aber je nach Anwendung können benutzerdefinierte Dicken angepasst werden, um den spezifischen Anforderungen gerecht zu werden.

F3: Wie verbessert Gold die Waferleistung?

A3:Die Goldschicht verstärktelektrische Leitfähigkeit, Wärmeableitung, UndKorrosionsbeständigkeit, die alle für die Verbesserung der Zuverlässigkeit und Leistung von Halbleiterbauelementen von wesentlicher Bedeutung sind.

F4: Können die Wafergrößen angepasst werden?

A4:Ja, wir bieten2 Zoll, 4 Zoll, Und6 ZollDurchmesser als Standard, aber wir liefern auf Anfrage auch kundenspezifische Wafergrößen.

F5: Welche Anwendungen profitieren von goldbeschichteten Wafern?

A5:Goldbeschichtete Wafer sind ideal fürHalbleiterverpackungen, LED-Herstellung, Optoelektronik, MEMS, UndSolarzellen, neben anderen Präzisionsanwendungen, die eine hohe Leistung erfordern.

F6: Was ist der Hauptvorteil der Verwendung von Gold zum Bonden bei der Halbleiterherstellung?

A6:Gold ist ausgezeichnetLötbarkeitUndBindungseigenschaftenmachen es perfekt für die Herstellung zuverlässiger Verbindungen in Halbleitergeräten und gewährleisten langlebige elektrische Verbindungen mit minimalem Widerstand.

Abschluss

Unsere goldbeschichteten Silizium-Wafer bieten eine leistungsstarke Lösung für die Halbleiter-, Optoelektronik- und Mikroelektronikindustrie. Mit einer Beschichtung aus 99,999 % reinem Gold bieten diese Wafer außergewöhnliche elektrische Leitfähigkeit, Wärmeableitung und Korrosionsbeständigkeit. Dies gewährleistet verbesserte Zuverlässigkeit und Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, von LEDs und ICs bis hin zu Photovoltaikgeräten. Ob zum Löten, Bonden oder Verpacken – diese Wafer sind die ideale Wahl für Ihre hochpräzisen Anforderungen.