Goldbeschichtete Siliziumwafer (Si-Wafer) 10 nm 50 nm 100 nm 500 nm Au Hervorragende Leitfähigkeit für LEDs

Goldbeschichteter Siliziumwafer (Si-Wafer) 10 nm 50 nm 100 nm 500 nm Au Hervorragende Leitfähigkeit für LEDs Abbildung

Kurzbeschreibung:

Unsere goldbeschichteten Siliziumwafer sind für anspruchsvolle Anwendungen in der Halbleiter- und Optoelektronik entwickelt. Diese Wafer sind in Durchmessern von 2, 4 und 6 Zoll erhältlich und mit einer dünnen Schicht hochreinen Goldes (Au) beschichtet. Die Goldschicht wird präzise mit einer Dicke von 50 nm (±5 nm) aufgetragen; kundenspezifische Schichtdicken sind auf Anfrage erhältlich. Dank des 99,999 % reinen Goldes bieten diese Wafer herausragende Eigenschaften in Bezug auf elektrische Leitfähigkeit, Wärmeableitung und mechanische Belastbarkeit.

Diese goldbeschichteten Wafer wurden für eine Vielzahl elektronischer Geräte entwickelt und gewährleisten eine stabile Leistung auch unter anspruchsvollen Bedingungen. Dadurch eignen sie sich ideal für die Halbleiterfertigung, die LED-Herstellung und die Optoelektronik. Ihre Oberflächenqualität, Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit sorgen für erhöhte Zuverlässigkeit und eine längere Lebensdauer der Bauelemente.

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Merkmale

Hauptmerkmale

Besonderheit	Beschreibung
Waferdurchmesser	Verfügbar in2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll
Goldschichtdicke	50 nm (±5 nm)oder individuell anpassbar an spezifische Bedürfnisse
Goldreinheit	99,999 % Au(Hohe Reinheit für optimale Leistung)
Beschichtungsverfahren	GalvanisierungoderVakuumbeschichtungfür eine gleichmäßige Beschichtung
Oberflächenbeschaffenheit	Glatte, fehlerfreie Oberfläche, unerlässlich für Präzisionsanwendungen
Wärmeleitfähigkeit	Hohe Wärmeleitfähigkeit für effektive Wärmeableitung
Elektrische Leitfähigkeit	Hervorragende elektrische Leitfähigkeit, ideal für Halbleiteranwendungen
Korrosionsbeständigkeit	Ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit, ideal für raue Umgebungen

Warum Goldbeschichtungen in der Halbleiterindustrie unerlässlich sind

Elektrische Leitfähigkeit
Gold ist für seine hervorragende elektrische Leitfähigkeit bekannt und eignet sich daher ideal für Anwendungen, die effiziente und stabile elektrische Verbindungen erfordern. In der Halbleiterfertigung sorgen goldbeschichtete Wafer für hochzuverlässige Verbindungen und reduzieren Signalverluste.

Korrosionsbeständigkeit
Im Gegensatz zu anderen Metallen oxidiert oder korrodiert Gold nicht und eignet sich daher hervorragend zum Schutz empfindlicher elektrischer Kontakte. In Halbleitergehäusen und Geräten, die rauen Umgebungsbedingungen ausgesetzt sind, gewährleistet die Korrosionsbeständigkeit von Gold, dass Verbindungen über lange Zeiträume intakt und funktionsfähig bleiben.

Wärmemanagement
Die Wärmeleitfähigkeit von Gold ist sehr hoch, wodurch sichergestellt wird, dass die goldbeschichtete Siliziumscheibe die vom Halbleiterbauelement erzeugte Wärme effektiv abführen kann. Dies ist entscheidend, um eine Überhitzung des Bauelements zu verhindern und eine optimale Leistung zu gewährleisten.

Mechanische Festigkeit und Haltbarkeit
Goldbeschichtungen erhöhen die mechanische Festigkeit von Siliziumwafern, verhindern Oberflächenbeschädigungen und verbessern die Haltbarkeit der Wafer bei der Verarbeitung, dem Transport und der Handhabung.

Eigenschaften nach der Beschichtung

Verbesserte Oberflächenqualität
Die goldbeschichtete Scheibe bietet eine glatte, gleichmäßige Oberfläche, die für entscheidend istHochpräzisionsanwendungenwie beispielsweise bei der Halbleiterfertigung, wo Oberflächenfehler die Leistung des Endprodukts beeinträchtigen können.

Überlegene Verbindungs- und Löt-Eigenschaften
DerGoldbeschichtungmacht den Siliziumwafer ideal fürDrahtbonden, Flip-Chip-Bonding, UndLötenin Halbleiterbauelementen, um sichere und stabile elektrische Verbindungen zu gewährleisten.

Langzeitstabilität
Goldbeschichtete Wafer bieten verbessertelangfristige StabilitätIn Halbleiteranwendungen schützt die Goldschicht den Wafer vor Oxidation und Beschädigung und gewährleistet so eine zuverlässige Funktion des Wafers über lange Zeiträume, auch unter extremen Bedingungen.

Verbesserte Gerätezuverlässigkeit
Durch die Verringerung des Ausfallrisikos aufgrund von Korrosion oder Hitze tragen goldbeschichtete Siliziumwafer wesentlich dazu bei,ZuverlässigkeitUndLanglebigkeitvon Halbleiterbauelementen und -systemen.

Parameter

Eigentum	Wert
Waferdurchmesser	2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll
Goldschichtdicke	50 nm (±5 nm) oder anpassbar
Goldreinheit	99,999 % Au
Beschichtungsverfahren	Galvanisierung oder Vakuumbeschichtung
Oberflächenbeschaffenheit	Glatt, fehlerfrei
Wärmeleitfähigkeit	315 W/m·K
Elektrische Leitfähigkeit	45,5 x 10⁶ S/m
Dichte von Gold	19,32 g/cm³
Schmelzpunkt von Gold	1064°C

Anwendungen von goldbeschichteten Siliziumwafern

Halbleitergehäuse
Goldbeschichtete Wafer sind von entscheidender Bedeutung fürIC-Gehäusein fortschrittlichen Halbleiterbauelementen, die überlegene elektrische Verbindungen und eine verbesserte thermische Leistung bieten.

LED-Fertigung
In LED-ProduktionDie Goldschicht sorgt dafüreffektive WärmeableitungUndelektrische LeitfähigkeitDadurch wird eine bessere Leistung und längere Lebensdauer der Hochleistungs-LEDs gewährleistet.

Optoelektronik
Goldbeschichtete Wafer werden bei der Herstellung vonoptoelektronische Bauelemente, wie zum BeispielFotodetektoren, Laser, UndLichtsensoren, wo ein stabiles elektrisches und thermisches Management von entscheidender Bedeutung ist.

Photovoltaik-Anwendungen
Goldbeschichtete Wafer werden auch verwendet inSolarzellen, wo ihreKorrosionsbeständigkeitUndhohe LeitfähigkeitVerbesserung der Gesamteffizienz und Leistung des Geräts.

Mikroelektronik und MEMS
In MEMS (Mikroelektromechanische Systeme)und andereMikroelektronikGoldbeschichtete Wafer gewährleisten präzise elektrische Verbindungen und tragen zur langfristigen Stabilität und Zuverlässigkeit der Bauelemente bei.

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Frage 1: Warum verwendet man Gold zur Beschichtung von Siliziumwafern?

A1:Gold wird aufgrund seinerausgezeichnete elektrische Leitfähigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Undthermische EigenschaftenDiese sind entscheidend für Halbleiteranwendungen, die zuverlässige elektrische Verbindungen, effiziente Wärmeableitung und Langzeitstabilität erfordern.

Frage 2: Wie dick ist die Standard-Goldschicht?

A2:Die Standarddicke der Goldschicht beträgt50 nm (±5 nm)Aber je nach Anwendung können auch individuelle Stärken an die spezifischen Bedürfnisse angepasst werden.

Frage 3: Wie verbessert Gold die Leistung von Wafern?

A3:Die Goldschicht verstärktelektrische Leitfähigkeit, Wärmeableitung, UndKorrosionsbeständigkeitDiese Faktoren sind alle unerlässlich für die Verbesserung der Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit von Halbleiterbauelementen.

Frage 4: Können die Wafergrößen angepasst werden?

A4:Ja, wir bieten an2 Zoll, 4 Zoll, Und6 ZollStandardmäßig verwenden wir Standarddurchmesser, auf Anfrage liefern wir aber auch kundenspezifische Wafergrößen.

Frage 5: Welche Anwendungen profitieren von goldbeschichteten Wafern?

A5:Goldbeschichtete Wafer sind ideal fürHalbleitergehäuse, LED-Fertigung, Optoelektronik, MEMS, UndSolarzellen, neben anderen Präzisionsanwendungen, die eine hohe Leistung erfordern.

Frage 6: Was ist der Hauptvorteil der Verwendung von Gold für Bondverfahren in der Halbleiterfertigung?

A6:Golds ausgezeichneteLötbarkeitUndBindungseigenschaftenDadurch eignet es sich perfekt für die Herstellung zuverlässiger Verbindungen in Halbleiterbauelementen und gewährleistet langlebige elektrische Verbindungen mit minimalem Widerstand.

Abschluss

Unsere goldbeschichteten Siliziumwafer bieten eine Hochleistungslösung für die Halbleiter-, Optoelektronik- und Mikroelektronikindustrie. Dank ihrer 99,999 % reinen Goldbeschichtung zeichnen sich diese Wafer durch außergewöhnliche elektrische Leitfähigkeit, Wärmeableitung und Korrosionsbeständigkeit aus und gewährleisten so höchste Zuverlässigkeit und Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen – von LEDs und ICs bis hin zu Photovoltaik-Bauelementen. Ob zum Löten, Bonden oder für die Gehäusefertigung: Diese Wafer sind die ideale Wahl für Ihre hohen Präzisionsanforderungen.