Goldbeschichtete Siliziumwafer 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldschichtdicke: 50 nm (± 5 nm) oder kundenspezifisch, Beschichtungsfilm: Au, 99,999 % Reinheit

Kurzbeschreibung:

Unsere goldbeschichteten Siliziumwafer sind für den Einsatz in anspruchsvollen Halbleiter- und optoelektronischen Anwendungen konzipiert. Erhältlich in Durchmessern von 2, 4 und 6 Zoll, sind diese Wafer mit einer Schicht aus hochreinem Gold (Au) beschichtet. Die Standarddicke der Goldschicht beträgt 50 nm (±5 nm), wobei kundenspezifische Schichtdicken möglich sind. Dank des Goldes mit einer Reinheit von 99,999 % bieten diese Wafer optimale elektrische und thermische Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen.
Die goldbeschichteten Siliziumwafer bieten eine überragende elektrische Leitfähigkeit, exzellente Korrosionsbeständigkeit und verbesserte Wärmeableitung und sind daher in verschiedenen kritischen Anwendungen, wie der Halbleitergehäusefertigung, der LED-Herstellung und der Optoelektronik, unverzichtbar. Diese Wafer erfüllen strenge Qualitätsstandards und gewährleisten so langfristige Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit in komplexen Halbleiterprozessen.


Merkmale

Hauptmerkmale

Besonderheit

Beschreibung

Waferdurchmesser Verfügbar in2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll
Goldschichtdicke 50 nm (±5 nm)oder anpassbar an spezifische Anforderungen
Goldreinheit 99,999 % Au(Hohe Reinheit für außergewöhnliche Leistung)
Beschichtungsverfahren GalvanisierungoderVakuumbeschichtungfür eine gleichmäßige Schicht
Oberflächenbeschaffenheit Glatte und fehlerfreie Oberfläche, unerlässlich für präzises Arbeiten
Wärmeleitfähigkeit Hohe Wärmeleitfähigkeit gewährleistet effektives Wärmemanagement
Elektrische Leitfähigkeit Hervorragende elektrische Leitfähigkeit, geeignet für Hochleistungsgeräte
Korrosionsbeständigkeit Ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit, ideal für raue Umgebungen

Warum Goldbeschichtungen in der Halbleiterindustrie unerlässlich sind

Elektrische Leitfähigkeit
Gold ist eines der besten Materialien fürelektrische LeitfähigkeitDadurch bieten sie niederohmige Pfade für elektrischen Strom. Dies macht goldbeschichtete Wafer ideal fürZusammenschaltungInMikrochips, um eine effiziente und stabile Signalübertragung in Halbleiterbauelementen zu gewährleisten.

Korrosionsbeständigkeit
Einer der Hauptgründe für die Wahl von Gold als Beschichtungsmittel ist seineKorrosionsbeständigkeitGold läuft nicht an und korrodiert nicht mit der Zeit, selbst bei Kontakt mit Luft, Feuchtigkeit oder aggressiven Chemikalien. Dies gewährleistet langlebige elektrische Verbindungen undStabilitätin Halbleiterbauelementen, die verschiedenen Umwelteinflüssen ausgesetzt sind.

Wärmemanagement
Derhohe WärmeleitfähigkeitDie Goldbeschichtung trägt zur effektiven Wärmeableitung bei, wodurch goldbeschichtete Wafer ideal für Geräte geeignet sind, die erhebliche Wärme erzeugen, wie zum BeispielHochleistungs-LEDsUndMikroprozessorenDurch ein adäquates Wärmemanagement wird das Risiko eines Geräteausfalls verringert und eine gleichbleibende Leistung unter Last gewährleistet.

Mechanische Festigkeit
Die Goldschicht verleiht der Waferoberfläche zusätzliche mechanische Festigkeit, was dabei hilftHandhabung, Transport, UndVerarbeitungDadurch wird sichergestellt, dass der Wafer während verschiedener Phasen der Halbleiterfertigung intakt bleibt, insbesondere bei heiklen Verbindungs- und Verpackungsprozessen.

Eigenschaften nach der Beschichtung

Glatte Oberflächenqualität
Die Goldbeschichtung gewährleistet eine glatte und gleichmäßige Oberfläche, was von entscheidender Bedeutung ist fürPräzisionsanwendungenwieHalbleitergehäuseJegliche Defekte oder Unregelmäßigkeiten an der Oberfläche können die Leistung des Endprodukts negativ beeinflussen, weshalb eine hochwertige Beschichtung unerlässlich ist.

Verbesserte Verbindungs- und Löt-Eigenschaften
Goldbeschichtete Siliziumwafer bieten überlegeneBindungUndLötenEigenschaften, die sie ideal für den Einsatz machen inDrahtbondenUndFlip-Chip-BondingProzesse. Dies führt zu zuverlässigen elektrischen Verbindungen zwischen Halbleiterbauteilen und Substraten.

Haltbarkeit und Langlebigkeit
Die Goldbeschichtung bietet eine zusätzliche Schutzschicht gegenOxidationUndAbrieb, die Erweiterung derLebensdauerdes Wafers. Dies ist besonders vorteilhaft für Geräte, die unter extremen Bedingungen funktionieren müssen oder eine lange Lebensdauer haben.

Erhöhte Zuverlässigkeit
Durch die Verbesserung der thermischen und elektrischen Eigenschaften gewährleistet die Goldschicht eine höhere Leistungsfähigkeit des Wafers und des fertigen Bauelements.ZuverlässigkeitDies führt zuhöhere ErträgeUndbessere Geräteleistungwas für die Halbleiterfertigung in großen Stückzahlen von entscheidender Bedeutung ist.

Parameter

Eigentum

Wert

Waferdurchmesser 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll
Goldschichtdicke 50 nm (±5 nm) oder anpassbar
Goldreinheit 99,999 % Au
Beschichtungsverfahren Galvanisierung oder Vakuumbeschichtung
Oberflächenbeschaffenheit Glatt, fehlerfrei
Wärmeleitfähigkeit 315 W/m·K
Elektrische Leitfähigkeit 45,5 x 10⁶ S/m
Dichte von Gold 19,32 g/cm³
Schmelzpunkt von Gold 1064°C

Anwendungen von goldbeschichteten Siliziumwafern

Halbleitergehäuse
Goldbeschichtete Siliziumwafer sind unerlässlich fürIC-Gehäuseaufgrund ihrer ausgezeichnetenelektrische LeitfähigkeitUndmechanische FestigkeitDie Goldschicht gewährleistet zuverlässigeVerbindungenzwischen Halbleiterchips und Substraten, wodurch das Ausfallrisiko bei Hochleistungsanwendungen verringert wird.

LED-Fertigung
In LED-ProduktionGoldbeschichtete Wafer werden verwendet, um dieelektrische LeistungUndWärmemanagementder LED-Bauelemente. Die hohe Leitfähigkeit und die Wärmeableitungseigenschaften von Gold tragen zur Steigerung der Effizienz bei undLebensdauervon LEDs.

Optoelektronik
Goldbeschichtete Wafer sind für die Herstellung von entscheidender Bedeutung.optoelektronische BauelementewieLaserdioden, Fotodetektoren, UndLichtsensoren, wo hochwertige elektrische Verbindungen und ein effizientes Wärmemanagement für eine optimale Leistung erforderlich sind.

Photovoltaik-Anwendungen
Goldbeschichtete Siliziumwafer werden auch bei der Herstellung vonSolarzellen, wo sie dazu beitragenhöhere Effizienzdurch die Verbesserung sowohl derelektrische LeitfähigkeitUndKorrosionsbeständigkeitder Solarpaneele.

Mikroelektronik und MEMS
In MikroelektronikUndMEMS (Mikroelektromechanische Systeme), goldbeschichtete Wafer gewährleisten Stabilitätelektrische Anschlüsseund bieten Schutz vor Umwelteinflüssen, wodurch die Leistung undZuverlässigkeitder Geräte.

Häufig gestellte Fragen (FAQ)

Frage 1: Warum wird Gold zur Beschichtung von Siliziumwafern verwendet?

A1:Gold wird aufgrund seiner Eigenschaften verwendetüberlegene elektrische Leitfähigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Undthermische AbleitungseigenschaftenDiese sind entscheidend für die Gewährleistung stabiler elektrischer Verbindungen, effektiver Wärmeableitung und langfristiger Zuverlässigkeit in Halbleiteranwendungen.

Frage 2: Wie dick ist die Goldschicht standardmäßig?

A2:Die Standarddicke der Goldschicht beträgt50 nm (±5 nm)Allerdings können kundenspezifische Stärken an die jeweiligen Anwendungsanforderungen angepasst werden.

Frage 3: Sind die Wafer in verschiedenen Größen erhältlich?

A3:Ja, wir bieten an2 Zoll, 4 Zoll, Und6 ZollGoldbeschichtete Siliziumwafer. Kundenspezifische Wafergrößen sind auf Anfrage ebenfalls erhältlich.

Frage 4: Was sind die Hauptanwendungen von goldbeschichteten Siliziumwafern?

A4:Diese Wafer werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunterHalbleitergehäuse, LED-Fertigung, Optoelektronik, Solarzellen, UndMEMS, wo hochwertige elektrische Verbindungen und ein zuverlässiges Wärmemanagement unerlässlich sind.

Frage 5: Wie verbessert Gold die Leistung des Wafers?

A5:Gold verstärktelektrische Leitfähigkeitgewährleisteteffiziente Wärmeableitungund bietetKorrosionsbeständigkeit, die alle zur Qualität des Wafers beitragenZuverlässigkeitUndLeistungin Hochleistungs-Halbleiter- und optoelektronischen Bauelementen.

Frage 6: Wie wirkt sich die Goldbeschichtung auf die Lebensdauer des Geräts aus?

A6:Die Goldschicht bietet zusätzlichen Schutz gegenOxidationUndKorrosion, die Erweiterung derLebensdauerdes Wafers und des fertigen Bauelements durch die Sicherstellung stabiler elektrischer und thermischer Eigenschaften während der gesamten Betriebsdauer des Bauelements.

Abschluss

Unsere goldbeschichteten Siliziumwafer bieten eine fortschrittliche Lösung für Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen. Dank ihrer hochreinen Goldschicht zeichnen sich diese Wafer durch hervorragende elektrische Leitfähigkeit, Wärmeableitung und Korrosionsbeständigkeit aus und gewährleisten so eine dauerhafte und zuverlässige Leistung in verschiedenen kritischen Anwendungen. Ob in der Halbleitergehäusefertigung, der LED-Produktion oder bei Solarzellen – unsere goldbeschichteten Wafer liefern höchste Qualität und Leistung für Ihre anspruchsvollsten Prozesse.

Detailliertes Diagramm

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goldbeschichteter Siliziumwafer, goldplattierter Siliziumwafer03
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