Goldbeschichtete Silizium-Wafer 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Dicke der Goldschicht: 50 nm (± 5 nm) oder individuell anpassbar Beschichtungsfilm Au, 99,999 % Reinheit

Kurze Beschreibung:

Unsere goldbeschichteten Silizium-Wafer sind für den Einsatz in fortschrittlichen Halbleiter- und Optoelektronikanwendungen konzipiert. Erhältlich in den Durchmessern 2, 4 und 6 Zoll, sind diese Wafer mit einer Schicht aus hochreinem Gold (Au) beschichtet. Die Standarddicke der Goldschicht beträgt 50 nm (± 5 nm), optional ist jedoch eine individuelle Dicke nach Kundenwunsch möglich. Mit 99,999 % reinem Gold bieten diese Wafer optimale elektrische und thermische Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen.
Die goldbeschichteten Silizium-Wafer bieten hervorragende elektrische Leitfähigkeit, exzellente Korrosionsbeständigkeit und verbesserte Wärmeableitung und sind daher für verschiedene kritische Anwendungen unverzichtbar, darunter Halbleiterverpackungen, LED-Herstellung und Optoelektronik. Diese Wafer erfüllen strenge Qualitätsstandards und gewährleisten langfristige Leistung und Zuverlässigkeit in komplexen Halbleiterprozessen.


Produktdetail

Produkt Tags

Hauptmerkmale

Besonderheit

Beschreibung

Waferdurchmesser Erhältlich in2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll
Dicke der Goldschicht 50 nm (± 5 nm)oder an spezifische Anforderungen anpassbar
Goldreinheit 99,999 % Au(hohe Reinheit für außergewöhnliche Leistung)
Beschichtungsverfahren GalvanisierenoderVakuumabscheidungfür eine gleichmäßige Schicht
Oberflächenbeschaffenheit Glatte und fehlerfreie Oberfläche, unerlässlich für Präzisionsarbeiten
Wärmeleitfähigkeit Hohe Wärmeleitfähigkeit, die ein effektives Wärmemanagement gewährleistet
Elektrische Leitfähigkeit Hervorragende elektrische Leitfähigkeit, geeignet für Hochleistungsgeräte
Korrosionsbeständigkeit Hervorragende Oxidationsbeständigkeit, ideal für raue Umgebungen

Warum Goldbeschichtungen in der Halbleiterindustrie unverzichtbar sind

Elektrische Leitfähigkeit
Gold ist eines der besten Materialien fürelektrische Leitung, die niederohmige Pfade für elektrischen Strom bieten. Dies macht goldbeschichtete Wafer ideal fürZusammenschaltungInMikrochips, wodurch eine effiziente und stabile Signalübertragung in Halbleiterbauelementen gewährleistet wird.

Korrosionsbeständigkeit
Einer der Hauptgründe für die Wahl von Gold als Beschichtung ist seineKorrosionsbeständigkeitGold läuft nicht an und korrodiert auch nicht mit der Zeit, selbst wenn es Luft, Feuchtigkeit oder aggressiven Chemikalien ausgesetzt ist. Dies gewährleistet langlebige elektrische Verbindungen undStabilitätin Halbleiterbauelementen, die verschiedenen Umweltfaktoren ausgesetzt sind.

Wärmemanagement
Derhohe Wärmeleitfähigkeitvon Gold hilft, Wärme effektiv abzuleiten, wodurch goldbeschichtete Wafer ideal für Geräte sind, die erhebliche Wärme erzeugen, wie zum BeispielHochleistungs-LEDsUndMikroprozessoren. Ein ordnungsgemäßes Wärmemanagement verringert das Risiko eines Geräteausfalls und sorgt für eine konstante Leistung unter Last.

Mechanische Festigkeit
Die Goldschicht verleiht der Waferoberfläche zusätzliche mechanische Festigkeit, was dazu beiträgt,Handhabung, Transport, UndVerarbeitung. Es stellt sicher, dass der Wafer während verschiedener Phasen der Halbleiterherstellung intakt bleibt, insbesondere bei empfindlichen Bond- und Verpackungsprozessen.

Eigenschaften nach der Beschichtung

Glatte Oberflächenqualität
Die Goldbeschichtung sorgt für eine glatte und gleichmäßige Oberfläche, die entscheidend ist fürPräzisionsanwendungenwieHalbleiterverpackungen. Jegliche Defekte oder Unregelmäßigkeiten auf der Oberfläche können die Leistung des Endprodukts negativ beeinflussen, weshalb eine hochwertige Beschichtung unerlässlich ist.

Verbesserte Bond- und Löteigenschaften
Goldbeschichtete Siliziumwafer bieten überlegeneBindungUndLötenEigenschaften, die sie ideal für den Einsatz inDrahtbondenUndFlip-Chip-BondingProzesse. Dadurch entstehen zuverlässige elektrische Verbindungen zwischen Halbleiterbauelementen und Substraten.

Haltbarkeit und Langlebigkeit
Die Goldbeschichtung bietet zusätzlichen Schutz gegenOxidationUndAbrieb, wodurch dieLebensdauerdes Wafers. Dies ist besonders vorteilhaft für Geräte, die unter extremen Bedingungen betrieben werden müssen oder eine lange Lebensdauer haben.

Erhöhte Zuverlässigkeit
Durch die Verbesserung der thermischen und elektrischen Leistung sorgt die Goldschicht dafür, dass der Wafer und das Endgerät eine höhere Leistung erbringenZuverlässigkeitDies führt zuhöhere ErträgeUndbessere Geräteleistung, was für die Massenproduktion von Halbleitern von entscheidender Bedeutung ist.

Parameter

Eigentum

Wert

Waferdurchmesser 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll
Dicke der Goldschicht 50 nm (± 5 nm) oder anpassbar
Goldreinheit 99,999 % Au
Beschichtungsverfahren Galvanisieren oder Vakuumbeschichten
Oberflächenbeschaffenheit Glatt, fehlerfrei
Wärmeleitfähigkeit 315 W/m·K
Elektrische Leitfähigkeit 45,5 x 10⁶ S/m
Dichte von Gold 19,32 g/cm³
Schmelzpunkt von Gold 1064 °C

Anwendungen von goldbeschichteten Silizium-Wafern

Halbleiterverpackungen
Goldbeschichtete Siliziumwafer sind unerlässlich fürIC-Verpackungaufgrund ihrer hervorragendenelektrische LeitfähigkeitUndmechanische FestigkeitDie Goldschicht sorgt für zuverlässigeVerbindungenzwischen Halbleiterchips und Substraten, wodurch das Ausfallrisiko bei Hochleistungsanwendungen verringert wird.

LED-Herstellung
In LED-Produktionwerden goldbeschichtete Wafer verwendet, um dieelektrische LeistungUndWärmemanagementder LED-Geräte. Die hohe Leitfähigkeit und die Wärmeableitungseigenschaften von Gold tragen zur Steigerung der Effizienz undLebensdauervon LEDs.

Optoelektronik
Goldbeschichtete Wafer sind entscheidend für die Herstellung vonoptoelektronische GerätewieLaserdioden, Fotodetektoren, UndLichtsensoren, wo hochwertige elektrische Verbindungen und effizientes Wärmemanagement für optimale Leistung erforderlich sind.

Photovoltaik-Anwendungen
Goldbeschichtete Siliziumwafer werden auch bei der Herstellung vonSolarzellen, wo sie dazu beitragen,höhere Effizienzdurch die Verbesserung sowohl derelektrische LeitfähigkeitUndKorrosionsbeständigkeitder Solarmodule.

Mikroelektronik und MEMS
In MikroelektronikUndMEMS (Mikroelektromechanische Systeme), goldbeschichtete Wafer sorgen für stabileElektrische Anschlüsseund bieten Schutz vor Umwelteinflüssen, verbessern die Leistung undZuverlässigkeitder Geräte.

Häufig gestellte Fragen (Q&A)

F1: Warum wird Gold zum Beschichten von Silizium-Wafern verwendet?

A1:Gold wird verwendet aufgrund seinerhervorragende elektrische Leitfähigkeit, Korrosionsbeständigkeit, UndWärmeableitungseigenschaften, die für die Gewährleistung stabiler elektrischer Verbindungen, eines effektiven Wärmemanagements und einer langfristigen Zuverlässigkeit in Halbleiteranwendungen von entscheidender Bedeutung sind.

F2: Was ist die Standarddicke der Goldschicht?

A2:Die Standarddicke der Goldschicht beträgt50 nm (± 5 nm)Es können jedoch auch kundenspezifische Dicken angepasst werden, um den spezifischen Anwendungsanforderungen gerecht zu werden.

F3: Sind die Wafer in verschiedenen Größen erhältlich?

A3:Ja, wir bieten2 Zoll, 4 Zoll, Und6 Zollgoldbeschichtete Siliziumwafer. Auf Anfrage sind auch kundenspezifische Wafergrößen erhältlich.

F4: Was sind die Hauptanwendungen von goldbeschichteten Silizium-Wafern?

A4:Diese Wafer werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunterHalbleiterverpackungen, LED-Herstellung, Optoelektronik, Solarzellen, UndMEMS, wo hochwertige elektrische Verbindungen und zuverlässiges Wärmemanagement unerlässlich sind.

F5: Wie verbessert Gold die Leistung des Wafers?

A5:Gold verstärktelektrische Leitfähigkeit, sorgt dafüreffiziente Wärmeableitungund bietetKorrosionsbeständigkeit, die alle zur Wafer-ZuverlässigkeitUndLeistungin Hochleistungshalbleiter- und optoelektronischen Geräten.

F6: Welchen Einfluss hat die Goldbeschichtung auf die Lebensdauer des Geräts?

A6:Die Goldschicht bietet zusätzlichen Schutz vorOxidationUndKorrosion, wodurch dieLebensdauerdes Wafers und des endgültigen Geräts, indem stabile elektrische und thermische Eigenschaften während der gesamten Betriebslebensdauer des Geräts sichergestellt werden.

Abschluss

Unsere goldbeschichteten Siliziumwafer bieten eine fortschrittliche Lösung für Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen. Dank ihrer hochreinen Goldschicht bieten diese Wafer hervorragende elektrische Leitfähigkeit, Wärmeableitung und Korrosionsbeständigkeit und gewährleisten so eine langlebige und zuverlässige Leistung in verschiedenen kritischen Anwendungen. Ob Halbleiterverpackung, LED-Produktion oder Solarzellen – unsere goldbeschichteten Wafer liefern höchste Qualität und Leistung für Ihre anspruchsvollsten Prozesse.

Detailliertes Diagramm

vergoldete Siliziumscheibe vergoldete Siliziumscheibe waf02
vergoldete Siliziumscheibe vergoldete Siliziumscheibe waf03
vergoldete Siliziumscheibe vergoldete Siliziumscheibe waf06
goldbeschichteter Siliziumwafer vergoldetes Silizium waf07

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