GaN-Epitaxie-Wafer
-
GaN auf Glas, 4 Zoll: Anpassbare Glasoptionen, einschließlich JGS1, JGS2, BF33 und gewöhnlichem Quarz
-
Galliumnitrid auf Silizium-Wafer 4 Zoll 6 Zoll Maßgeschneiderte Si-Substratausrichtung, Widerstand und N-Typ/P-Typ-Optionen
-
Kundenspezifische GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer (100 mm, 150 mm) – Mehrere SiC-Substratoptionen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
-
GaN-auf-Diamant-Wafer 4 Zoll 6 Zoll Gesamtepi-Dicke (Mikron) 0,6 ~ 2,5 oder kundenspezifisch für Hochfrequenzanwendungen