Galliumnitrid (GaN), epitaktisch auf Saphir-Wafer 4 Zoll und 6 Zoll für MEMS gewachsen

Kurze Beschreibung:

Galliumnitrid (GaN) auf Saphir-Wafern bietet unübertroffene Leistung für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen und ist damit das ideale Material für HF-Frontend-Module (Radiofrequenz) der nächsten Generation, LED-Leuchten und andere Halbleitergeräte.GaNDie überlegenen elektrischen Eigenschaften von GaN, einschließlich einer hohen Bandlücke, ermöglichen den Betrieb bei höheren Durchbruchspannungen und Temperaturen als herkömmliche Bauelemente auf Siliziumbasis. Die zunehmende Verwendung von GaN gegenüber Silizium treibt den Fortschritt in der Elektronik voran, die leichte, leistungsstarke und effiziente Materialien erfordert.

Senden Sie uns eine E-Mail

Merkmale

Eigenschaften von GaN auf Saphir-Wafern

●Hohe Effizienz:Geräte auf GaN-Basis liefern fünfmal mehr Leistung als Geräte auf Siliziumbasis und verbessern die Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen, einschließlich HF-Verstärkung und Optoelektronik.
●Große Bandlücke:Die große Bandlücke von GaN ermöglicht eine hohe Effizienz bei erhöhten Temperaturen und macht es ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.
●Haltbarkeit:Die Fähigkeit von GaN, extremen Bedingungen (hohen Temperaturen und Strahlung) standzuhalten, gewährleistet eine lang anhaltende Leistung in rauen Umgebungen.
●Kleine Größe:GaN ermöglicht im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitermaterialien die Herstellung kompakterer und leichterer Geräte und ermöglicht so kleinere und leistungsfähigere Elektronik.

Abstrakt

Galliumnitrid (GaN) entwickelt sich zum Halbleiter der Wahl für anspruchsvolle Anwendungen mit hohen Leistungs- und Effizienzanforderungen, wie etwa HF-Frontend-Module, Hochgeschwindigkeitskommunikationssysteme und LED-Beleuchtung. Auf Saphirsubstraten gezüchtete GaN-Epitaxie-Wafer bieten eine Kombination aus hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher Durchbruchspannung und breitem Frequenzgang – entscheidend für optimale Leistung in drahtlosen Kommunikationsgeräten, Radargeräten und Störsendern. Diese Wafer sind in den Durchmessern 4 und 6 Zoll sowie mit unterschiedlichen GaN-Dicken erhältlich, um unterschiedlichen technischen Anforderungen gerecht zu werden. Die einzigartigen Eigenschaften von GaN machen es zu einem idealen Kandidaten für die Zukunft der Leistungselektronik.

Produktparameter

Produkteigenschaft	Spezifikation
Waferdurchmesser	50 mm, 100 mm, 50,8 mm
Substrat	Saphir
GaN-Schichtdicke	0,5 μm - 10 μm
GaN-Typ/Dotierung	N-Typ (P-Typ auf Anfrage erhältlich)
GaN-Kristallorientierung	<0001>
Poliertyp	Einseitig poliert (SSP), beidseitig poliert (DSP)
Al2O3-Dicke	430 μm - 650 μm
TTV (Gesamtdickenvariation)	≤ 10 μm
Bogen	≤ 10 μm
Kette	≤ 10 μm
Oberfläche	Nutzbare Oberfläche > 90 %

Fragen und Antworten

F1: Was sind die wichtigsten Vorteile der Verwendung von GaN gegenüber herkömmlichen Halbleitern auf Siliziumbasis?

A1: GaN bietet gegenüber Silizium mehrere wesentliche Vorteile, darunter eine größere Bandlücke, die höhere Durchbruchspannungen und einen effizienten Betrieb bei höheren Temperaturen ermöglicht. Dies macht GaN ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen wie HF-Module, Leistungsverstärker und LEDs. Die Fähigkeit von GaN, höhere Leistungsdichten zu verarbeiten, ermöglicht zudem kleinere und effizientere Geräte im Vergleich zu siliziumbasierten Alternativen.

F2: Kann GaN auf Saphir-Wafern in MEMS-Anwendungen (Mikroelektromechanische Systeme) verwendet werden?

A2: Ja, GaN auf Saphir-Wafern eignet sich für MEMS-Anwendungen, insbesondere wenn hohe Leistung, Temperaturstabilität und geringes Rauschen erforderlich sind. Die Haltbarkeit und Effizienz des Materials in Hochfrequenzumgebungen machen es ideal für MEMS-Geräte, die in der drahtlosen Kommunikation, Sensorik und Radarsystemen eingesetzt werden.

F3: Welche potenziellen Anwendungen gibt es für GaN in der drahtlosen Kommunikation?

A3: GaN wird häufig in HF-Frontend-Modulen für die drahtlose Kommunikation verwendet, darunter 5G-Infrastruktur, Radarsysteme und Störsender. Seine hohe Leistungsdichte und Wärmeleitfähigkeit machen es ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte und ermöglichen im Vergleich zu siliziumbasierten Lösungen eine bessere Leistung und kleinere Formfaktoren.

F4: Wie sind die Lieferzeiten und Mindestbestellmengen für GaN auf Saphir-Wafern?

A4Lieferzeiten und Mindestbestellmengen variieren je nach Wafergröße, GaN-Dicke und spezifischen Kundenanforderungen. Bitte kontaktieren Sie uns direkt für detaillierte Preise und Verfügbarkeit basierend auf Ihren Spezifikationen.

F5: Kann ich eine benutzerdefinierte GaN-Schichtdicke oder Dotierungsgrade erhalten?

A5: Ja, wir bieten individuelle Anpassungen der GaN-Dicke und des Dotierungsgrades an spezifische Anwendungsanforderungen an. Teilen Sie uns Ihre gewünschten Spezifikationen mit, und wir erstellen Ihnen eine maßgeschneiderte Lösung.