Galliumnitrid (GaN), epitaktisch auf Saphir-Wafer 4 Zoll und 6 Zoll für MEMS gewachsen

Kurze Beschreibung:

Galliumnitrid (GaN) auf Saphir-Wafer bietet unübertroffene Leistung für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen und ist damit das ideale Material für HF-Frontend-Module (Radiofrequenz) der nächsten Generation, LED-Leuchten und andere Halbleitergeräte.GaNDie überlegenen elektrischen Eigenschaften von GaN, einschließlich der hohen Bandlücke, ermöglichen den Betrieb bei höheren Durchbruchspannungen und Temperaturen als herkömmliche siliziumbasierte Bauelemente. Die zunehmende Verwendung von GaN gegenüber Silizium treibt die Entwicklung in der Elektronik voran, die leichte, leistungsstarke und effiziente Materialien erfordert.

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Produktdetail

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Eigenschaften von GaN auf Saphir-Wafern

●Hohe Effizienz:Geräte auf GaN-Basis liefern fünfmal mehr Leistung als Geräte auf Siliziumbasis und verbessern die Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen, einschließlich HF-Verstärkung und Optoelektronik.
●Große Bandlücke:Die große Bandlücke von GaN ermöglicht eine hohe Effizienz bei erhöhten Temperaturen und macht es ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen.
●Haltbarkeit:Die Fähigkeit von GaN, extremen Bedingungen (hohen Temperaturen und Strahlung) standzuhalten, gewährleistet eine lang anhaltende Leistung in rauen Umgebungen.
●Kleine Größe:GaN ermöglicht im Vergleich zu herkömmlichen Halbleitermaterialien die Herstellung kompakterer und leichterer Geräte und ermöglicht so kleinere und leistungsfähigere elektronische Geräte.

Abstrakt

Galliumnitrid (GaN) entwickelt sich zum bevorzugten Halbleiter für fortschrittliche Anwendungen, die hohe Leistung und Effizienz erfordern, wie beispielsweise HF-Frontend-Module, Hochgeschwindigkeitskommunikationssysteme und LED-Beleuchtung. Auf Saphirsubstraten gezüchtete GaN-Epitaxie-Wafer bieten eine Kombination aus hoher Wärmeleitfähigkeit, hoher Durchbruchspannung und breitem Frequenzgang, die für optimale Leistung in drahtlosen Kommunikationsgeräten, Radaren und Störsendern entscheidend sind. Diese Wafer sind in den Durchmessern 4 und 6 Zoll erhältlich, mit unterschiedlichen GaN-Dicken, um unterschiedlichen technischen Anforderungen gerecht zu werden. Die einzigartigen Eigenschaften von GaN machen es zu einem idealen Kandidaten für die Zukunft der Leistungselektronik.

Produktparameter

Produkteigenschaft	Spezifikation
Waferdurchmesser	50 mm, 100 mm, 50,8 mm
Substrat	Saphir
GaN-Schichtdicke	0,5 μm - 10 μm
GaN-Typ/Dotierung	N-Typ (P-Typ auf Anfrage erhältlich)
GaN-Kristallorientierung	<0001>
Poliertyp	Einseitig poliert (SSP), doppelseitig poliert (DSP)
Al2O3-Dicke	430 μm - 650 μm
TTV (Gesamtdickenvariation)	≤ 10 μm
Bogen	≤ 10 μm
Kette	≤ 10 μm
Oberfläche	Nutzbare Oberfläche > 90 %

Fragen und Antworten

F1: Was sind die Hauptvorteile der Verwendung von GaN gegenüber herkömmlichen Halbleitern auf Siliziumbasis?

A1: GaN bietet gegenüber Silizium mehrere wesentliche Vorteile, darunter eine größere Bandlücke, die höhere Durchbruchspannungen und einen effizienten Betrieb bei höheren Temperaturen ermöglicht. Dies macht GaN ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen wie HF-Module, Leistungsverstärker und LEDs. Die Fähigkeit von GaN, höhere Leistungsdichten zu bewältigen, ermöglicht zudem kleinere und effizientere Geräte im Vergleich zu siliziumbasierten Alternativen.

F2: Kann GaN auf Saphir-Wafer in MEMS-Anwendungen (Mikroelektromechanische Systeme) verwendet werden?

A2Ja, GaN auf Saphir-Wafern eignet sich für MEMS-Anwendungen, insbesondere wenn hohe Leistung, Temperaturstabilität und geringes Rauschen erforderlich sind. Die Langlebigkeit und Effizienz des Materials in Hochfrequenzumgebungen machen es ideal für MEMS-Geräte in der drahtlosen Kommunikation, Sensorik und Radarsystemen.

F3: Welche potenziellen Anwendungen gibt es für GaN in der drahtlosen Kommunikation?

A3: GaN wird häufig in HF-Frontend-Modulen für die drahtlose Kommunikation eingesetzt, darunter 5G-Infrastruktur, Radarsysteme und Störsender. Seine hohe Leistungsdichte und Wärmeleitfähigkeit machen es ideal für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte und ermöglichen im Vergleich zu siliziumbasierten Lösungen eine bessere Leistung und kleinere Formfaktoren.

F4: Wie sind die Lieferzeiten und Mindestbestellmengen für GaN auf Saphir-Wafer?

A4Lieferzeiten und Mindestbestellmengen variieren je nach Wafergröße, GaN-Dicke und spezifischen Kundenanforderungen. Bitte kontaktieren Sie uns direkt für detaillierte Preise und Verfügbarkeit basierend auf Ihren Spezifikationen.

F5: Kann ich eine benutzerdefinierte GaN-Schichtdicke oder Dotierungsgrade erhalten?

A5Ja, wir bieten individuelle Anpassungen der GaN-Dicke und des Dotierungsgrades an spezifische Anwendungsanforderungen an. Teilen Sie uns Ihre gewünschten Spezifikationen mit, und wir erstellen Ihnen eine maßgeschneiderte Lösung.