GaAs-Laser-Epitaxie-Wafer, 4 Zoll, 6 Zoll, VCSEL, vertikaler Hohlraum, Oberflächenemissionslaser, Wellenlänge 940 nm, Einzelverbindung

Kurzbeschreibung:

Vom Kunden spezifiziertes Design, Gigabit-Ethernet-Laser-Arrays für 6-Zoll-Wafer mit hoher Gleichmäßigkeit, 850/940 nm mittlere optische Wellenlänge, oxidbegrenzte oder protonenimplantierte VCSEL-Kommunikation über digitale Datenverbindungen, elektrische und optische Eigenschaften der Lasermaus, geringe Temperaturempfindlichkeit. Der VCSEL-940 Single Junction ist ein oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Hohlraum (VCSEL) mit einer Emissionswellenlänge von typischerweise etwa 940 Nanometern. Solche Laser bestehen typischerweise aus einem einzelnen Quantentopf und sind in der Lage, eine effiziente Lichtemission bereitzustellen. Die Wellenlänge von 940 Nanometern liegt im Infrarotspektrum und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Im Vergleich zu anderen Lasertypen weisen VCsels eine höhere elektrooptische Umwandlungseffizienz auf. Das VCSEL-Paket ist relativ klein und einfach zu integrieren. Die breite Anwendung des VCSEL-940 hat dazu geführt, dass er eine wichtige Rolle in der modernen Technologie spielt.

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Produktdetails

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Zu den Hauptmerkmalen der GaAs-Laserepitaxiefolie gehören:

1. Single-Junction-Struktur: Dieser Laser besteht normalerweise aus einem einzelnen Quantentopf, der eine effiziente Lichtemission ermöglichen kann.
2. Wellenlänge: Die Wellenlänge von 940 nm liegt im Infrarot-Spektrumbereich und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen.
3. Hohe Effizienz: Im Vergleich zu anderen Lasertypen weist VCSEL eine hohe elektrooptische Umwandlungseffizienz auf.
4. Kompaktheit: Das VCSEL-Paket ist relativ klein und einfach zu integrieren.

5. Niedriger Schwellenstrom und hohe Effizienz: Vergrabene Heterostrukturlaser weisen eine extrem niedrige Laserschwellenstromdichte (z. B. 4 mA/cm²) und eine hohe externe Differenzquanteneffizienz (z. B. 36 %) auf, wobei die lineare Ausgangsleistung 15 mW übersteigt.
6. Stabilität des Wellenleitermodus: Der vergrabene Heterostrukturlaser hat aufgrund seines brechungsindexgeführten Wellenleitermechanismus und der schmalen aktiven Streifenbreite (ca. 2 μm) den Vorteil der Stabilität des Wellenleitermodus.
7. Ausgezeichnete photoelektrische Umwandlungseffizienz: Durch die Optimierung des epitaktischen Wachstumsprozesses können eine hohe interne Quanteneffizienz und eine hohe photoelektrische Umwandlungseffizienz erreicht werden, um interne Verluste zu reduzieren.
8. Hohe Zuverlässigkeit und Lebensdauer: Mit einer hochwertigen Epitaxie-Wachstumstechnologie können Epitaxieplatten mit gutem Oberflächenaussehen und geringer Defektdichte hergestellt werden, wodurch die Produktzuverlässigkeit und -lebensdauer verbessert werden.
9. Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen: GAAS-basierte Laserdioden-Epitaxiefolien werden häufig in der Glasfaserkommunikation, industriellen Anwendungen, Infrarot- und Fotodetektoren und anderen Bereichen eingesetzt.

Zu den Hauptanwendungsmöglichkeiten von GaAs-Laserepitaxieplatten gehören:

1. Optische Kommunikation und Datenkommunikation: GaAs-Epitaxiewafer werden häufig im Bereich der optischen Kommunikation, insbesondere in optischen Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen, zur Herstellung optoelektronischer Geräte wie Laser und Detektoren verwendet.

2. Industrielle Anwendungen: GaAs-Laserepitaxiefolien finden auch wichtige Anwendungen in industriellen Anwendungen wie Laserbearbeitung, Messung und Sensorik.

3. Unterhaltungselektronik: In der Unterhaltungselektronik werden epitaktische GaAs-Wafer zur Herstellung von VCsels (oberflächenemittierenden Lasern mit vertikalem Hohlraum) verwendet, die in Smartphones und anderer Unterhaltungselektronik weit verbreitet sind.

4. HF-Anwendungen: GaAs-Materialien bieten erhebliche Vorteile im HF-Bereich und werden zur Herstellung leistungsstarker HF-Geräte verwendet.

5. Quantenpunktlaser: GAAS-basierte Quantenpunktlaser werden häufig in den Bereichen Kommunikation, Medizin und Militär eingesetzt, insbesondere im optischen Kommunikationsband von 1,31 µm.

6. Passiver Güteschalter: Der GaAs-Absorber wird für diodengepumpte Festkörperlaser mit passivem Güteschalter verwendet, der für Mikrobearbeitung, Entfernungsmessung und Mikrochirurgie geeignet ist.

Diese Anwendungen demonstrieren das Potenzial von GaAs-Laserepitaxiewafern in einer Vielzahl von High-Tech-Anwendungen.

XKH bietet GaAs-Epitaxiewafer mit unterschiedlichen Strukturen und Dicken an, die auf die Kundenanforderungen zugeschnitten sind und ein breites Anwendungsspektrum wie VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G-Basisstationen usw. abdecken Zuverlässigkeit. Im Bereich Logistik verfügen wir über ein breites Spektrum an internationalen Beschaffungskanälen, können flexibel mit der Anzahl der Bestellungen umgehen und bieten Mehrwertdienste wie Durchforstung, Segmentierung usw. an. Effiziente Lieferprozesse gewährleisten eine pünktliche Lieferung und erfüllen die Anforderungen der Kunden Qualität und Lieferzeiten. Nach der Ankunft können Kunden umfassenden technischen Support und Kundendienst erhalten, um sicherzustellen, dass das Produkt reibungslos in Betrieb genommen wird.