GaAs-Laser-Epitaxie-Wafer, 4 Zoll, 6 Zoll, VCSEL, vertikale Kavität, Oberflächenemission, Laserwellenlänge 940 nm, Einzelübergang
Die Hauptmerkmale der GaAs-Laser-Epitaxiefolie sind
1. Einzelübergangsstruktur: Dieser Laser besteht normalerweise aus einem einzelnen Quantentopf, der eine effiziente Lichtemission ermöglichen kann.
2. Wellenlänge: Durch die Wellenlänge von 940 nm liegt es im infraroten Spektralbereich und ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet.
3. Hohe Effizienz: Im Vergleich zu anderen Lasertypen verfügt VCSEL über eine hohe elektrooptische Umwandlungseffizienz.
4. Kompaktheit: Das VCSEL-Paket ist relativ klein und einfach zu integrieren.
5. Niedriger Schwellenstrom und hohe Effizienz: Vergrabene Heterostrukturlaser weisen eine extrem niedrige Laserschwellenstromdichte (z. B. 4 mA/cm²) und eine hohe externe differentielle Quanteneffizienz (z. B. 36 %) auf, wobei die lineare Ausgangsleistung 15 mW übersteigt.
6. Wellenleitermodusstabilität: Der vergrabene Heterostrukturlaser hat den Vorteil der Wellenleitermodusstabilität aufgrund seines brechungsindexgeführten Wellenleitermechanismus und der schmalen aktiven Streifenbreite (ca. 2 μm).
7. Hervorragende photoelektrische Umwandlungseffizienz: Durch die Optimierung des epitaktischen Wachstumsprozesses können eine hohe interne Quanteneffizienz und photoelektrische Umwandlungseffizienz erreicht werden, um den internen Verlust zu reduzieren.
8. Hohe Zuverlässigkeit und Lebensdauer: Durch die hochwertige Epitaxiewachstumstechnologie können Epitaxieplatten mit gutem Oberflächenbild und geringer Defektdichte hergestellt werden, wodurch die Produktzuverlässigkeit und Lebensdauer verbessert werden.
9. Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen: GAAS-basierte Epitaxiefolien für Laserdioden werden häufig in der Glasfaserkommunikation, in industriellen Anwendungen, bei Infrarot- und Fotodetektoren und in anderen Bereichen eingesetzt.
Die wichtigsten Anwendungsmöglichkeiten von GaAs-Laser-Epitaxieplatten umfassen
1. Optische Kommunikation und Datenkommunikation: GaAs-Epitaxialwafer werden im Bereich der optischen Kommunikation häufig verwendet, insbesondere in optischen Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen, zur Herstellung optoelektronischer Geräte wie Laser und Detektoren.
2. Industrielle Anwendungen: GaAs-Laser-Epitaxieplatten finden auch in industriellen Anwendungen wichtige Verwendung, beispielsweise in der Laserverarbeitung, Messung und Sensorik.
3. Unterhaltungselektronik: In der Unterhaltungselektronik werden GaAs-Epitaxiewafer zur Herstellung von VCsels (Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers) verwendet, die in Smartphones und anderen Unterhaltungselektronikgeräten weit verbreitet sind.
4. HF-Anwendungen: GaAs-Materialien bieten im HF-Bereich erhebliche Vorteile und werden zur Herstellung leistungsstarker HF-Geräte verwendet.
5. Quantenpunktlaser: GAAS-basierte Quantenpunktlaser werden häufig in der Kommunikation, Medizin und im Militär eingesetzt, insbesondere im optischen Kommunikationsband von 1,31 µm.
6. Passiver Q-Switch: Der GaAs-Absorber wird für diodengepumpte Festkörperlaser mit passivem Q-Switch verwendet, der für die Mikrobearbeitung, Entfernungsmessung und Mikrochirurgie geeignet ist.
Diese Anwendungen demonstrieren das Potenzial von GaAs-Laser-Epitaxie-Wafern in einem breiten Spektrum von Hightech-Anwendungen.
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