GaAs-Laser-Epitaxie-Wafer, 4 Zoll, 6 Zoll, VCSEL, vertikale Kavität, Oberflächenemission, Laserwellenlänge 940 nm, Einzelverbindung

Kurze Beschreibung:

Gigabit-Ethernet-Laser-Arrays mit kundenspezifischem Design für hochgleichmäßige 6-Zoll-Wafer, 850/940 nm optische Zentralwellenlänge, oxidbegrenzte oder protonenimplantierte VCSEL-Digitaldatenverbindungskommunikation, elektrische und optische Eigenschaften der Lasermaus, geringe Temperaturempfindlichkeit. Der VCSEL-940 Single Junction ist ein oberflächenemittierender Laser mit vertikaler Kavität (VCSEL) mit einer Emissionswellenlänge von typischerweise etwa 940 Nanometern. Solche Laser bestehen typischerweise aus einem einzelnen Quantentopf und können effizient Licht emittieren. Durch die Wellenlänge von 940 Nanometern liegt er im Infrarotspektrum und ist für zahlreiche Anwendungen geeignet. Verglichen mit anderen Lasertypen weisen VCSELs eine höhere elektrooptische Umwandlungseffizienz auf. Das VCSEL-Gehäuse ist relativ klein und leicht zu integrieren. Durch seine breite Anwendung spielt der VCSEL-940 eine wichtige Rolle in der modernen Technologie.

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Die Hauptmerkmale der GaAs-Laser-Epitaxiefolie sind

1. Einzelübergangsstruktur: Dieser Laser besteht normalerweise aus einem einzelnen Quantentopf, der eine effiziente Lichtemission ermöglicht.
2. Wellenlänge: Durch die Wellenlänge von 940 nm liegt es im infraroten Spektralbereich und ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet.
3. Hohe Effizienz: Im Vergleich zu anderen Lasertypen verfügt VCSEL über eine hohe elektrooptische Umwandlungseffizienz.
4. Kompaktheit: Das VCSEL-Paket ist relativ klein und einfach zu integrieren.

5. Niedriger Schwellenstrom und hohe Effizienz: Vergrabene Heterostrukturlaser weisen eine extrem niedrige Laser-Schwellenstromdichte (z. B. 4 mA/cm²) und eine hohe externe differentielle Quanteneffizienz (z. B. 36 %) auf, wobei die lineare Ausgangsleistung 15 mW übersteigt.
6. Wellenleitermodusstabilität: Der vergrabene Heterostrukturlaser hat den Vorteil der Wellenleitermodusstabilität aufgrund seines brechungsindexgeführten Wellenleitermechanismus und der schmalen aktiven Streifenbreite (ca. 2 μm).
7. Hervorragende photoelektrische Umwandlungseffizienz: Durch die Optimierung des epitaktischen Wachstumsprozesses können eine hohe interne Quanteneffizienz und photoelektrische Umwandlungseffizienz erreicht werden, um den internen Verlust zu reduzieren.
8. Hohe Zuverlässigkeit und Lebensdauer: Durch hochwertige Epitaxiewachstumstechnologie können Epitaxieschichten mit gutem Oberflächenbild und geringer Defektdichte hergestellt werden, wodurch die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des Produkts verbessert wird.
9. Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen: GAAS-basierte Epitaxiefolien für Laserdioden werden häufig in der Glasfaserkommunikation, in industriellen Anwendungen, bei Infrarot- und Fotodetektoren und in anderen Bereichen eingesetzt.

Die wichtigsten Anwendungsmöglichkeiten von GaAs-Laser-Epitaxiefolien umfassen

1. Optische Kommunikation und Datenkommunikation: GaAs-Epitaxialwafer werden im Bereich der optischen Kommunikation häufig verwendet, insbesondere in optischen Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen, zur Herstellung optoelektronischer Geräte wie Laser und Detektoren.

2. Industrielle Anwendungen: GaAs-Laser-Epitaxieplatten finden auch in industriellen Anwendungen wichtige Verwendung, beispielsweise in der Laserverarbeitung, Messung und Sensorik.

3. Unterhaltungselektronik: In der Unterhaltungselektronik werden GaAs-Epitaxie-Wafer zur Herstellung von VCSELs (Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers) verwendet, die in Smartphones und anderen Unterhaltungselektronikgeräten weit verbreitet sind.

4. HF-Anwendungen: GaAs-Materialien bieten im HF-Bereich erhebliche Vorteile und werden zur Herstellung leistungsstarker HF-Geräte verwendet.

5. Quantenpunktlaser: GAAS-basierte Quantenpunktlaser werden häufig in der Kommunikation, Medizin und im Militär eingesetzt, insbesondere im optischen Kommunikationsband von 1,31 µm.

6. Passiver Q-Switch: Der GaAs-Absorber wird für diodengepumpte Festkörperlaser mit passivem Q-Switch verwendet, der für die Mikrobearbeitung, Entfernungsmessung und Mikrochirurgie geeignet ist.

Diese Anwendungen demonstrieren das Potenzial von GaAs-Laser-Epitaxie-Wafern in einem breiten Spektrum von Hightech-Anwendungen.

XKH bietet GaAs-Epitaxiewafer mit unterschiedlichen Strukturen und Dicken an, die auf Kundenanforderungen zugeschnitten sind und ein breites Anwendungsspektrum wie VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G-Basisstationen usw. abdecken. Die Produkte von XKH werden mit modernen MOCVD-Anlagen hergestellt, um hohe Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. In Bezug auf die Logistik verfügen wir über ein breites Spektrum an internationalen Bezugskanälen, können die Anzahl der Bestellungen flexibel bearbeiten und bieten Mehrwertdienste wie Dünnung, Segmentierung usw. an. Effiziente Lieferprozesse gewährleisten eine pünktliche Lieferung und erfüllen die Kundenanforderungen an Qualität und Lieferzeiten. Nach der Ankunft erhalten Kunden umfassenden technischen Support und Kundendienst, um eine reibungslose Inbetriebnahme des Produkts zu gewährleisten.