GaAs-Hochleistungs-Epitaxie-Wafersubstrat Galliumarsenid-Wafer-Leistungslaserwellenlänge 905 nm für die medizinische Laserbehandlung
Zu den Hauptmerkmalen der GaAs-Laserepitaxiefolie gehören:
1.Hohe Elektronenmobilität: Galliumarsenid verfügt über eine hohe Elektronenmobilität, wodurch GaAs-Laserepitaxiewafer gute Anwendungen in Hochfrequenzgeräten und elektronischen Hochgeschwindigkeitsgeräten ermöglichen.
2. Lumineszenz mit direktem Bandlückenübergang: Als Material mit direkter Bandlücke kann Galliumarsenid in optoelektronischen Geräten elektrische Energie effizient in Lichtenergie umwandeln, was es ideal für die Herstellung von Lasern macht.
3. Wellenlänge: GaAs 905-Laser arbeiten typischerweise bei 905 nm, wodurch sie für viele Anwendungen, einschließlich der Biomedizin, geeignet sind.
4.Hohe Effizienz: Mit hoher photoelektrischer Umwandlungseffizienz kann elektrische Energie effektiv in Laserleistung umgewandelt werden.
5.Hohe Ausgangsleistung: Es kann eine hohe Ausgangsleistung erzielen und eignet sich für Anwendungsszenarien, die eine starke Lichtquelle erfordern.
6.Gute thermische Leistung: GaAs-Material hat eine gute Wärmeleitfähigkeit, was dazu beiträgt, die Betriebstemperatur des Lasers zu senken und die Stabilität zu verbessern.
7. Breite Abstimmbarkeit: Die Ausgangsleistung kann durch Ändern des Antriebsstroms angepasst werden, um sie an unterschiedliche Anwendungsanforderungen anzupassen.
Zu den Hauptanwendungen von GaAs-Laserepitaxietabletten gehören:
1. Glasfaserkommunikation: GaAs-Laser-Epitaxiefolien können zur Herstellung von Lasern in der Glasfaserkommunikation verwendet werden, um eine optische Signalübertragung mit hoher Geschwindigkeit und über große Entfernungen zu erreichen.
2. Industrielle Anwendungen: Im industriellen Bereich können GaAs-Laserepitaxieplatten für Laserentfernungsmessungen, Lasermarkierungen und andere Anwendungen verwendet werden.
3. VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) ist ein wichtiges Anwendungsgebiet von GaAs-Laser-Epitaxieplatten, die in der optischen Kommunikation, optischen Speicherung und optischen Sensorik weit verbreitet sind.
4. Infrarot- und Punktfeld: GaAs-Laserepitaxieplatten können auch zur Herstellung von Infrarotlasern, Punktgeneratoren und anderen Geräten verwendet werden und spielen eine wichtige Rolle bei der Infraroterkennung, Lichtanzeige und anderen Bereichen.
Die Herstellung von GaAs-Laserepitaxieplatten hängt hauptsächlich von der Epitaxiewachstumstechnologie ab, einschließlich metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD), Molekularstrahlepitaxie (MBE) und anderen Methoden. Diese Techniken können die Dicke, Zusammensetzung und Kristallstruktur der Epitaxieschicht präzise steuern, um qualitativ hochwertige GaAs-Laserepitaxieschichten zu erhalten.
XKH bietet kundenspezifische Anpassungen von GaAs-Epitaxieplatten in verschiedenen Strukturen und Dicken an und deckt ein breites Anwendungsspektrum in den Bereichen optische Kommunikation, VCSEL, Infrarot und Lichtpunktfelder ab. Die Produkte von XKH werden mit fortschrittlicher MOCVD-Ausrüstung hergestellt, um hohe Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Im Hinblick auf die Logistik verfügt XKH über ein breites Spektrum an internationalen Quellkanälen, die die Anzahl der Bestellungen flexibel bewältigen und Mehrwertdienste wie Veredelung und Unterteilung anbieten können. Effiziente Lieferprozesse stellen eine pünktliche Lieferung sicher und erfüllen die Kundenanforderungen an Qualität und Lieferzeiten. Kunden können nach der Ankunft umfassenden technischen Support und Kundendienst erhalten, um sicherzustellen, dass das Produkt reibungslos in Betrieb genommen wird.