GaAs-Hochleistungs-Epitaxie-Wafersubstrat, Galliumarsenid-Wafer, Leistungslaserwellenlänge 905 nm für die medizinische Laserbehandlung
Zu den Hauptmerkmalen der GaAs-Laser-Epitaxiefolie gehören:
1. Hohe Elektronenbeweglichkeit: Galliumarsenid weist eine hohe Elektronenbeweglichkeit auf, wodurch sich GaAs-Laser-Epitaxie-Wafer gut für den Einsatz in Hochfrequenzgeräten und elektronischen Hochgeschwindigkeitsgeräten eignen.
2. Lumineszenz mit direktem Bandlückenübergang: Als Material mit direktem Bandlückenübergang kann Galliumarsenid in optoelektronischen Geräten elektrische Energie effizient in Lichtenergie umwandeln und eignet sich daher ideal für die Herstellung von Lasern.
3. Wellenlänge: GaAs 905-Laser arbeiten typischerweise bei 905 nm, wodurch sie für viele Anwendungen geeignet sind, einschließlich der Biomedizin.
4. Hohe Effizienz: Mit hoher photoelektrischer Umwandlungseffizienz kann es elektrische Energie effektiv in Laserleistung umwandeln.
5. Hohe Leistungsabgabe: Es kann eine hohe Leistungsabgabe erreichen und eignet sich für Anwendungsszenarien, die eine starke Lichtquelle erfordern.
6. Gute Wärmeleistung: GaAs-Material hat eine gute Wärmeleitfähigkeit, was dazu beiträgt, die Betriebstemperatur des Lasers zu senken und die Stabilität zu verbessern.
7. Breite Abstimmbarkeit: Die Ausgangsleistung kann durch Ändern des Antriebsstroms angepasst werden, um sie an unterschiedliche Anwendungsanforderungen anzupassen.
Zu den Hauptanwendungen von GaAs-Laser-Epitaxietabletten gehören:
1. Glasfaserkommunikation: GaAs-Laser-Epitaxieplatten können zur Herstellung von Lasern in der Glasfaserkommunikation verwendet werden, um eine schnelle und weitreichende optische Signalübertragung zu erreichen.
2. Industrielle Anwendungen: Im industriellen Bereich können GaAs-Laser-Epitaxieplatten für die Laserentfernungsmessung, Lasermarkierung und andere Anwendungen verwendet werden.
3. VCSEL: Oberflächenemittierende Laser mit vertikaler Kavität (VCSEL) sind ein wichtiges Anwendungsgebiet für GaAs-Laser-Epitaxiefolien, die in der optischen Kommunikation, optischen Speicherung und optischen Sensorik weit verbreitet sind.
4. Infrarot und Punktfeld: GaAs-Laser-Epitaxieplatten können auch zur Herstellung von Infrarotlasern, Punktgeneratoren und anderen Geräten verwendet werden und spielen eine wichtige Rolle bei der Infraroterkennung, Lichtanzeige und anderen Bereichen.
Die Herstellung von GaAs-Laser-Epitaxieplatten erfolgt hauptsächlich mithilfe von Epitaxieverfahren, darunter metallorganische Gasphasenabscheidung (MOCVD), Molekularstrahlepitaxie (MBE) und andere Verfahren. Mit diesen Verfahren lassen sich Dicke, Zusammensetzung und Kristallstruktur der Epitaxieschicht präzise steuern, um hochwertige GaAs-Laser-Epitaxieplatten zu erhalten.
XKH bietet kundenspezifische GaAs-Epitaxiefolien in unterschiedlichen Strukturen und Dicken an und deckt damit ein breites Anwendungsspektrum in den Bereichen optische Kommunikation, VCSEL, Infrarot und Lichtpunktstrahlung ab. Die Produkte von XKH werden mit modernen MOCVD-Anlagen hergestellt, um hohe Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Logistikseitig verfügt XKH über ein breites Spektrum an internationalen Bezugskanälen, die flexibel auf die Auftragslage reagieren und Mehrwertleistungen wie Verfeinerung und Unterteilung anbieten können. Effiziente Lieferprozesse gewährleisten eine pünktliche Lieferung und erfüllen die Kundenanforderungen hinsichtlich Qualität und Lieferzeiten. Kunden erhalten nach Erhalt umfassenden technischen Support und Kundendienst, um eine reibungslose Inbetriebnahme des Produkts zu gewährleisten.
Detailliertes Diagramm
