Hochleistungs-Epitaxie-Wafer aus GaAs (Galliumarsenid) für Laserbehandlungen mit einer Wellenlänge von 905 nm.
Zu den wichtigsten Merkmalen der GaAs-Laser-Epitaxieschicht gehören:
1. Hohe Elektronenbeweglichkeit: Galliumarsenid besitzt eine hohe Elektronenbeweglichkeit, wodurch GaAs-Laser-Epitaxie-Wafer gute Anwendungsmöglichkeiten in Hochfrequenz- und Hochgeschwindigkeitselektronik bieten.
2. Lumineszenz durch direkten Bandübergang: Als Material mit direktem Bandabstand kann Galliumarsenid elektrische Energie in optoelektronischen Bauelementen effizient in Lichtenergie umwandeln und ist daher ideal für die Herstellung von Lasern geeignet.
3. Wellenlänge: GaAs 905 Laser arbeiten typischerweise bei 905 nm, wodurch sie sich für viele Anwendungen, einschließlich der Biomedizin, eignen.
4. Hohe Effizienz: Dank des hohen photoelektrischen Umwandlungswirkungsgrades kann elektrische Energie effektiv in Laserleistung umgewandelt werden.
5. Hohe Ausgangsleistung: Es kann eine hohe Ausgangsleistung erzielen und eignet sich für Anwendungsszenarien, die eine starke Lichtquelle erfordern.
6. Gute Wärmeleistung: GaAs-Material besitzt eine gute Wärmeleitfähigkeit, was dazu beiträgt, die Betriebstemperatur des Lasers zu senken und die Stabilität zu verbessern.
7. Breite Einstellbarkeit: Die Ausgangsleistung kann durch Ändern des Treiberstroms an unterschiedliche Anwendungsanforderungen angepasst werden.
Zu den Hauptanwendungen von GaAs-Laser-Epitaxietabletten gehören:
1. Optische Faserkommunikation: GaAs-Laser-Epitaxieschichten können zur Herstellung von Lasern in der optischen Faserkommunikation verwendet werden, um eine optische Signalübertragung mit hoher Geschwindigkeit und über große Entfernungen zu erreichen.
2. Industrielle Anwendungen: Im industriellen Bereich können GaAs-Laserepitaxieschichten für Laserentfernungsmessung, Lasermarkierung und andere Anwendungen eingesetzt werden.
3. VCSEL: Vertikale Oberflächenemissionslaser (VCSEL) sind ein wichtiges Anwendungsgebiet von GaAs-Laserepitaxiefolien und werden in der optischen Kommunikation, der optischen Datenspeicherung und der optischen Sensorik weit verbreitet eingesetzt.
4. Infrarot und Spotfeld: GaAs-Laser-Epitaxieschichten können auch zur Herstellung von Infrarotlasern, Spotgeneratoren und anderen Geräten verwendet werden und spielen eine wichtige Rolle bei der Infrarotdetektion, der Lichtdarstellung und anderen Bereichen.
Die Herstellung von GaAs-Laserepitaxieschichten hängt im Wesentlichen von der Epitaxietechnologie ab, darunter metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD), Molekularstrahlepitaxie (MBE) und andere Verfahren. Mit diesen Techniken lassen sich Dicke, Zusammensetzung und Kristallstruktur der Epitaxieschicht präzise steuern, um hochwertige GaAs-Laserepitaxieschichten zu erhalten.
XKH bietet kundenspezifische GaAs-Epitaxieschichten in verschiedenen Strukturen und Dicken für ein breites Anwendungsspektrum in der optischen Kommunikation, bei VCSELs, Infrarot- und Lichtfleckfeldern. Die Produkte von XKH werden mit modernsten MOCVD-Anlagen gefertigt, um höchste Leistung und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Dank eines breiten internationalen Netzwerks an Lieferanten kann XKH flexibel auf große Bestellmengen reagieren und Mehrwertdienste wie Veredelung und Unterteilung anbieten. Effiziente Lieferprozesse garantieren termingerechte Lieferungen und erfüllen die Anforderungen der Kunden hinsichtlich Qualität und Lieferzeit. Nach Erhalt der Produkte erhalten Kunden umfassenden technischen Support und Kundendienst, um eine reibungslose Inbetriebnahme zu gewährleisten.
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