Epitaxiale Schicht
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200 mm 8 Zoll GaN auf Saphir Epi-Schicht-Wafer-Substrat
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Hochleistungsfähiges heterogenes Substrat für HF-Akustikbauelemente (LNOSiC)
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GaN auf Glas 4 Zoll: Anpassbare Glasoptionen einschließlich JGS1, JGS2, BF33 und normalem Quarz
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AlN-auf-NPSS-Wafer: Hochleistungsfähige Aluminiumnitridschicht auf unpoliertem Saphirsubstrat für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und HF-Anwendungen
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Kundenspezifische GaN-auf-SiC-Epitaxiewafer (100 mm, 150 mm) – Mehrere SiC-Substratoptionen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)
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GaN-auf-Diamant-Wafer, 4 Zoll, 6 Zoll, Gesamtdicke der Epitaxieschicht (µm) 0,6 ~ 2,5 oder kundenspezifisch für Hochfrequenzanwendungen
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Hochleistungs-Epitaxie-Wafer aus GaAs (Galliumarsenid) für Laserbehandlungen mit einer Wellenlänge von 905 nm.
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InGaAs-Epitaxie-Wafer-Substrat-PD-Array-Photodetektor-Arrays können für LiDAR verwendet werden.
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2-Zoll-, 3-Zoll- und 4-Zoll-InP-Epitaxie-Wafer-Substrat für APD-Lichtdetektoren für Glasfaserkommunikation oder LiDAR
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6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer, Typ N/P, kundenspezifische Anpassung möglich
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4-Zoll-SiC-Epi-Wafer für MOS oder SBD
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Silizium-auf-Isolator-Substrat (SOI-Wafer) mit drei Schichten für Mikroelektronik und Hochfrequenztechnik