Kundenspezifische GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer (100 mm, 150 mm) – Mehrere SiC-Substratoptionen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Maßgeschneiderte GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer (100 mm, 150 mm) – Mehrere SiC-Substratoptionen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

Unsere maßgeschneiderten GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer bieten überlegene Leistung für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen durch die Kombination der außergewöhnlichen Eigenschaften von Galliumnitrid (GaN) mit der robusten Wärmeleitfähigkeit und mechanischen Festigkeit vonSiliziumkarbid (SiC)Diese Wafer sind in den Wafergrößen 100 mm und 150 mm erhältlich und basieren auf verschiedenen SiC-Substraten, darunter 4H-N-, HPSI- und 4H/6H-P-Typen, die auf die spezifischen Anforderungen von Leistungselektronik, HF-Verstärkern und anderen fortschrittlichen Halbleiterbauelementen zugeschnitten sind. Mit anpassbaren Epitaxieschichten und einzigartigen SiC-Substraten gewährleisten unsere Wafer hohe Effizienz, Wärmemanagement und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Industrieanwendungen.

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Produktdetail

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Merkmale

●Epitaktische Schichtdicke: Anpassbar von1,0 µmZu3,5 µm, optimiert für hohe Leistung und Frequenzleistung.

●SiC-Substratoptionen: Verfügbar mit verschiedenen SiC-Substraten, darunter:

4H-N: Hochwertiges, mit Stickstoff dotiertes 4H-SiC für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen.
HPSI: Hochreines halbisolierendes SiC für Anwendungen, die eine elektrische Isolierung erfordern.
4H/6H-P: Gemischtes 4H- und 6H-SiC für ein Gleichgewicht aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.

●Wafergrößen: Verfügbar in100 mmUnd150 mmDurchmesser für Vielseitigkeit bei der Skalierung und Integration von Geräten.

●Hohe Durchbruchspannung: Die GaN-auf-SiC-Technologie bietet eine hohe Durchbruchspannung und ermöglicht so eine robuste Leistung in Hochleistungsanwendungen.

●Hohe Wärmeleitfähigkeit: Die inhärente Wärmeleitfähigkeit von SiC (ca. 490 W/m·K) sorgt für eine hervorragende Wärmeableitung bei leistungsintensiven Anwendungen.

Technische Spezifikationen

Parameter	Wert
Waferdurchmesser	100 mm, 150 mm
Epitaktische Schichtdicke	1,0 µm – 3,5 µm (anpassbar)
SiC-Substrattypen	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
Wärmeleitfähigkeit von SiC	490 W/m·K
SiC-Widerstand	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: Halbisolierend,4H/6H-P: Gemischt 4H/6H
GaN-Schichtdicke	1,0 µm – 2,0 µm
GaN-Trägerkonzentration	10^18 cm^-3 bis 10^19 cm^-3 (anpassbar)
Waferoberflächenqualität	RMS-Rauheit: < 1 nm
Versetzungsdichte	< 1 x 10^6 cm^-2
Waffelschleife	< 50 µm
Wafer-Ebenheit	< 5 µm
Maximale Betriebstemperatur	400 °C (typisch für GaN-auf-SiC-Geräte)

Anwendungen

●Leistungselektronik:GaN-auf-SiC-Wafer bieten eine hohe Effizienz und Wärmeableitung und eignen sich daher ideal für Leistungsverstärker, Stromumwandlungsgeräte und Wechselrichterschaltungen, die in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und Industriemaschinen zum Einsatz kommen.
●HF-Leistungsverstärker:Die Kombination aus GaN und SiC eignet sich perfekt für Hochfrequenz-HF-Anwendungen mit hoher Leistung wie Telekommunikation, Satellitenkommunikation und Radarsysteme.
●Luft- und Raumfahrt und Verteidigung:Diese Wafer eignen sich für die Luft- und Raumfahrt sowie die Verteidigungstechnologie, die leistungsstarke Leistungselektronik und Kommunikationssysteme erfordert, die unter rauen Bedingungen funktionieren können.
●Automobilanwendungen:Ideal für Hochleistungs-Stromversorgungssysteme in Elektrofahrzeugen (EVs), Hybridfahrzeugen (HEVs) und Ladestationen, da es eine effiziente Stromumwandlung und -steuerung ermöglicht.
●Militär- und Radarsysteme:GaN-auf-SiC-Wafer werden in Radarsystemen aufgrund ihrer hohen Effizienz, Belastbarkeit und Wärmeleistung in anspruchsvollen Umgebungen verwendet.
●Mikrowellen- und Millimeterwellenanwendungen:Für Kommunikationssysteme der nächsten Generation, einschließlich 5G, bietet GaN-on-SiC optimale Leistung im Hochleistungsmikrowellen- und Millimeterwellenbereich.

Fragen und Antworten

F1: Welche Vorteile bietet die Verwendung von SiC als Substrat für GaN?

A1:Siliziumkarbid (SiC) bietet im Vergleich zu herkömmlichen Substraten wie Silizium eine überlegene Wärmeleitfähigkeit, hohe Durchschlagsspannung und mechanische Festigkeit. Dadurch eignen sich GaN-auf-SiC-Wafer ideal für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperaturanwendungen. Das SiC-Substrat trägt zur Ableitung der von GaN-Bauelementen erzeugten Wärme bei und verbessert so Zuverlässigkeit und Leistung.

F2: Kann die Dicke der Epitaxieschicht für bestimmte Anwendungen angepasst werden?

A2:Ja, die epitaktische Schichtdicke kann innerhalb eines Bereichs von1,0 µm bis 3,5 µm, abhängig von den Leistungs- und Frequenzanforderungen Ihrer Anwendung. Wir können die Dicke der GaN-Schicht anpassen, um die Leistung für bestimmte Geräte wie Leistungsverstärker, HF-Systeme oder Hochfrequenzschaltungen zu optimieren.

F3: Was ist der Unterschied zwischen 4H-N-, HPSI- und 4H/6H-P-SiC-Substraten?

A3:

4H-N: Stickstoffdotiertes 4H-SiC wird häufig für Hochfrequenzanwendungen verwendet, die eine hohe elektronische Leistung erfordern.
HPSI: Hochreines, halbisolierendes SiC bietet elektrische Isolierung, ideal für Anwendungen, die eine minimale elektrische Leitfähigkeit erfordern.
4H/6H-P: Eine Mischung aus 4H- und 6H-SiC, die die Leistung ausgleicht und eine Kombination aus hoher Effizienz und Robustheit bietet, geeignet für verschiedene Leistungselektronikanwendungen.

F4: Sind diese GaN-auf-SiC-Wafer für Hochleistungsanwendungen wie Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energien geeignet?

A4:Ja, GaN-auf-SiC-Wafer eignen sich hervorragend für Hochleistungsanwendungen wie Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und Industriesysteme. Die hohe Durchbruchspannung, die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hohe Belastbarkeit von GaN-auf-SiC-Bauelementen ermöglichen deren effektive Leistung in anspruchsvollen Leistungsumwandlungs- und Steuerschaltungen.

F5: Wie hoch ist die typische Versetzungsdichte dieser Wafer?

A5:Die Versetzungsdichte dieser GaN-auf-SiC-Wafer beträgt typischerweise< 1 x 10^6 cm^-2, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum gewährleistet, Defekte minimiert und die Leistung und Zuverlässigkeit des Geräts verbessert werden.

F6: Kann ich eine bestimmte Wafergröße oder einen bestimmten SiC-Substrattyp anfordern?

A6:Ja, wir bieten kundenspezifische Wafergrößen (100 mm und 150 mm) und SiC-Substrattypen (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) an, um die spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung zu erfüllen. Kontaktieren Sie uns gerne für weitere Anpassungsmöglichkeiten und um Ihre Anforderungen zu besprechen.

F7: Wie verhalten sich GaN-auf-SiC-Wafer in extremen Umgebungen?

A7:GaN-auf-SiC-Wafer eignen sich aufgrund ihrer hohen thermischen Stabilität, hohen Belastbarkeit und hervorragenden Wärmeableitung ideal für extreme Umgebungen. Diese Wafer eignen sich hervorragend für hohe Temperaturen, hohe Leistungen und hohe Frequenzen, wie sie in der Luft- und Raumfahrt, der Verteidigung und in industriellen Anwendungen häufig vorkommen.

Abschluss

Unsere maßgeschneiderten GaN-auf-SiC-Epitaxie-Wafer vereinen die fortschrittlichen Eigenschaften von GaN und SiC und bieten so überlegene Leistung in Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen. Mit verschiedenen SiC-Substratoptionen und anpassbaren Epitaxieschichten eignen sich diese Wafer ideal für Branchen, die hohe Effizienz, Wärmemanagement und Zuverlässigkeit erfordern. Ob für Leistungselektronik, HF-Systeme oder Verteidigungsanwendungen – unsere GaN-auf-SiC-Wafer bieten die Leistung und Flexibilität, die Sie benötigen.