Kundenspezifisches N-Typ-SiC-Saatsubstrat Dia153/155mm für Leistungselektronik

Benutzerdefiniertes N-Typ-SiC-Saatsubstrat mit 153/155 mm Durchmesser für Leistungselektronik. Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

Siliziumkarbid (SiC)-Saatsubstrate dienen als Basismaterial für Halbleiter der dritten Generation und zeichnen sich durch ihre außergewöhnlich hohe Wärmeleitfähigkeit, ihre überlegene Durchbruchfeldstärke und ihre hohe Elektronenbeweglichkeit aus. Diese Eigenschaften machen sie unverzichtbar für Leistungselektronik, HF-Geräte, Elektrofahrzeuge (EVs) und Anwendungen im Bereich erneuerbare Energien. XKH ist auf die Forschung, Entwicklung und Produktion hochwertiger SiC-Saatsubstrate spezialisiert und setzt dabei fortschrittliche Kristallwachstumsverfahren wie Physical Vapor Transport (PVT) und High-Temperature Chemical Vapor Deposition (HTCVD) ein, um branchenführende Kristallqualität zu gewährleisten.

Senden Sie uns eine E-Mail

Merkmale

Einführen

XKH bietet SiC-Seed-Substrate in den Größen 4, 6 und 8 Zoll mit anpassbarer N-Typ/P-Typ-Dotierung an. Sie erreichen Widerstände von 0,01–0,1 Ω·cm und Versetzungsdichten unter 500 cm⁻² und eignen sich daher ideal für die Herstellung von MOSFETs, Schottky-Barrieredioden (SBDs) und IGBTs. Unser vertikal integrierter Produktionsprozess umfasst Kristallwachstum, Wafer-Slicing, Polieren und Inspektion. Mit einer monatlichen Produktionskapazität von über 5.000 Wafern erfüllen wir die vielfältigen Anforderungen von Forschungseinrichtungen, Halbleiterherstellern und Unternehmen im Bereich erneuerbare Energien.

Darüber hinaus bieten wir kundenspezifische Lösungen, darunter:

Anpassung der Kristallorientierung (4H-SiC, 6H-SiC)

Spezielle Dotierung (Aluminium, Stickstoff, Bor usw.)

Ultraglattes Polieren (Ra < 0,5 nm)

XKH unterstützt die probenbasierte Verarbeitung, technische Beratung und Prototyping in kleinen Chargen, um optimierte SiC-Substratlösungen bereitzustellen.

Technische Parameter

Siliziumkarbid-Seed-Wafer
Polytypie	4H
Oberflächenorientierungsfehler	4° in Richtung <11-20>±0,5º
Spezifischer Widerstand	Anpassung
Durchmesser	205 ± 0,5 mm
Dicke	600 ± 50 μm
Rauheit	CMP, Ra ≤ 0,2 nm
Mikrorohrdichte	≤1 Stück/cm2
Kratzer	≤5, Gesamtlänge ≤2 * Durchmesser
Kantensplitter/Einkerbungen	Keiner
Frontale Lasermarkierung	Keiner
Kratzer	≤2, Gesamtlänge ≤ Durchmesser
Kantensplitter/Einkerbungen	Keiner
Polytypbereiche	Keiner
Rückseiten-Laserbeschriftung	1mm (von der Oberkante)
Rand	Fase
Verpackung	Multi-Wafer-Kassette

SiC-Saatsubstrate – Hauptmerkmale

1. Außergewöhnliche physikalische Eigenschaften

· Hohe Wärmeleitfähigkeit (~490 W/m·K), die Silizium (Si) und Galliumarsenid (GaAs) deutlich übertrifft und sich daher ideal für die Kühlung von Geräten mit hoher Leistungsdichte eignet.

· Durchbruchfeldstärke (~3 MV/cm), die einen stabilen Betrieb unter Hochspannungsbedingungen ermöglicht, entscheidend für EV-Wechselrichter und industrielle Leistungsmodule.

· Große Bandlücke (3,2 eV), die Leckströme bei hohen Temperaturen reduziert und die Gerätezuverlässigkeit verbessert.

2. Überlegene kristalline Qualität

· Die PVT + HTCVD-Hybridwachstumstechnologie minimiert Mikrorohrdefekte und hält die Versetzungsdichte unter 500 cm⁻².

· Waferbiegung/-verwerfung < 10 μm und Oberflächenrauheit Ra < 0,5 nm, wodurch die Kompatibilität mit hochpräzisen Lithografie- und Dünnschichtabscheidungsprozessen gewährleistet wird.

3. Vielfältige Dopingmöglichkeiten

·N-Typ (Stickstoffdotiert): Niedriger Widerstand (0,01–0,02 Ω·cm), optimiert für Hochfrequenz-HF-Geräte.

· P-Typ (Aluminium-dotiert): Ideal für Leistungs-MOSFETs und IGBTs, verbessert die Trägermobilität.

· Halbisolierendes SiC (Vanadium-dotiert): Widerstand > 10⁵ Ω·cm, maßgeschneidert für 5G-HF-Frontend-Module.

4. Umweltstabilität

· Hohe Temperaturbeständigkeit (> 1600 °C) und Strahlungshärte, geeignet für die Luft- und Raumfahrt, Nuklearanlagen und andere extreme Umgebungen.

SiC-Saatsubstrate – Hauptanwendungen

1. Leistungselektronik

· Elektrofahrzeuge (EVs): Wird in Bordladegeräten (OBC) und Wechselrichtern verwendet, um die Effizienz zu verbessern und den Bedarf an Wärmemanagement zu senken.

· Industrielle Stromversorgungssysteme: Verbessert Photovoltaik-Wechselrichter und intelligente Stromnetze und erreicht einen Wirkungsgrad von über 99 % bei der Stromumwandlung.

2. HF-Geräte

· 5G-Basisstationen: Halbisolierende SiC-Substrate ermöglichen GaN-auf-SiC-HF-Leistungsverstärker und unterstützen die Übertragung von Hochfrequenzsignalen mit hoher Leistung.

Satellitenkommunikation: Aufgrund der geringen Verluste ist es für Millimeterwellengeräte geeignet.

3. Erneuerbare Energien und Energiespeicherung

· Solarenergie: SiC-MOSFETs steigern die DC-AC-Umwandlungseffizienz und senken gleichzeitig die Systemkosten.

· Energiespeichersysteme (ESS): Optimiert bidirektionale Konverter und verlängert die Batterielebensdauer.

4. Verteidigung und Luft- und Raumfahrt

· Radarsysteme: Hochleistungs-SiC-Geräte werden in AESA-Radaren (Active Electronically Scanned Array) verwendet.

· Energiemanagement für Raumfahrzeuge: Strahlungsresistente SiC-Substrate sind für Weltraummissionen von entscheidender Bedeutung.

5. Forschung und neue Technologien

· Quantencomputing: Hochreines SiC ermöglicht die Spin-Qubit-Forschung.

· Hochtemperatursensoren: Einsatz bei der Ölförderung und der Überwachung von Kernreaktoren.

SiC-Saatsubstrate - XKH Services

1. Vorteile der Lieferkette

· Vertikal integrierte Fertigung: Vollständige Kontrolle vom hochreinen SiC-Pulver bis zum fertigen Wafer, wodurch Lieferzeiten von 4–6 Wochen für Standardprodukte gewährleistet werden.

· Kostenwettbewerbsfähigkeit: Skaleneffekte ermöglichen 15–20 % niedrigere Preise als die Konkurrenz, mit Unterstützung für langfristige Vereinbarungen (LTAs).

2. Anpassungsdienste

· Kristallorientierung: 4H-SiC (Standard) oder 6H-SiC (Spezialanwendungen).

· Dotierungsoptimierung: Maßgeschneiderte N-Typ/P-Typ/halbisolierende Eigenschaften.

· Erweitertes Polieren: CMP-Polieren und Epi-Ready-Oberflächenbehandlung (Ra < 0,3 nm).

3. Technischer Support

· Kostenlose Probenprüfung: Beinhaltet XRD-, AFM- und Hall-Effekt-Messberichte.

· Unterstützung bei der Gerätesimulation: Unterstützt epitaktisches Wachstum und die Optimierung des Gerätedesigns.

4. Schnelle Reaktion

· Prototyping in kleinen Stückzahlen: Mindestbestellmenge 10 Wafer, Lieferung innerhalb von 3 Wochen.

· Globale Logistik: Partnerschaften mit DHL und FedEx für die Lieferung von Tür zu Tür.

5. Qualitätssicherung

· Vollständige Prozessinspektion: Umfasst Röntgentopographie (XRT) und Defektdichteanalyse.

· Internationale Zertifizierungen: Entspricht den Standards IATF 16949 (Automobilqualität) und AEC-Q101.

Abschluss

Die SiC-Seed-Substrate von XKH zeichnen sich durch kristalline Qualität, Lieferkettenstabilität und Flexibilität bei der Anpassung aus und kommen in den Bereichen Leistungselektronik, 5G-Kommunikation, erneuerbare Energien und Verteidigungstechnologien zum Einsatz. Wir entwickeln die 8-Zoll-SiC-Massenproduktionstechnologie kontinuierlich weiter, um die Halbleiterindustrie der dritten Generation voranzutreiben.

Vorherige: SiC-Keramikplatte/-schale für 4-Zoll-6-Zoll-Waferhalter für ICP

Nächste: Kundenspezifische SiC-Impfkristallsubstrate, Durchmesser 205/203/208, Typ 4H-N, für optische Kommunikation