AlN-auf-NPSS-Wafer: Hochleistungs-Aluminiumnitridschicht auf unpoliertem Saphirsubstrat für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und HF-Anwendungen

Kurze Beschreibung:

Der AlN-auf-NPSS-Wafer kombiniert eine Hochleistungs-Aluminiumnitridschicht (AlN) mit einem unpolierten Saphirsubstrat (NPSS) und bietet so eine ideale Lösung für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen (RF). Die einzigartige Kombination aus der außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit und den elektrischen Eigenschaften von AlN sowie der hervorragenden mechanischen Festigkeit des Substrats macht diesen Wafer zur bevorzugten Wahl für anspruchsvolle Anwendungen wie Leistungselektronik, Hochfrequenzgeräte und optische Komponenten. Dank seiner hervorragenden Wärmeableitung, geringen Verluste und Kompatibilität mit Hochtemperaturumgebungen ermöglicht dieser Wafer die Entwicklung von Geräten der nächsten Generation mit überlegener Leistung.

Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Produkt Tags

Merkmale

Hochleistungs-AlN-Schicht: Aluminiumnitrid (AlN) ist bekannt für seinehohe Wärmeleitfähigkeit(~200 W/m·K),große Bandlücke, Undhohe Durchbruchspannungund ist somit ein ideales Material fürhohe Leistung, Hochfrequenz, UndHochtemperaturAnwendungen.

Unpoliertes Saphirsubstrat (NPSS): Der ungeschliffene Saphir sorgt für einekostengünstig, mechanisch robustDie Basis gewährleistet eine stabile Grundlage für epitaktisches Wachstum ohne aufwändiges Oberflächenpolieren. Die hervorragenden mechanischen Eigenschaften des NPSS machen es auch in anspruchsvollen Umgebungen langlebig.

Hohe thermische Stabilität: Der AlN-auf-NPSS-Wafer hält extremen Temperaturschwankungen stand und eignet sich daher für den Einsatz inLeistungselektronik, Automobilsysteme, LEDs, Undoptische Anwendungendie eine stabile Leistung unter Hochtemperaturbedingungen erfordern.

Elektrische Isolierung: AlN verfügt über hervorragende elektrische Isoliereigenschaften und ist daher ideal für Anwendungen, bei denengalvanische Trennungist kritisch, einschließlichHF-GeräteUndMikrowellenelektronik.

Überlegene Wärmeableitung: Mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit sorgt die AlN-Schicht für eine effektive Wärmeableitung, die für die Aufrechterhaltung der Leistung und Langlebigkeit von Geräten, die mit hoher Leistung und Frequenz betrieben werden, unerlässlich ist.

Technische Parameter

Parameter	Spezifikation
Waferdurchmesser	2 Zoll, 4 Zoll (Sondergrößen erhältlich)
Substrattyp	Unpoliertes Saphirsubstrat (NPSS)
AlN-Schichtdicke	2µm bis 10µm (anpassbar)
Substratdicke	430µm ± 25µm (für 2 Zoll), 500µm ± 25µm (für 4 Zoll)
Wärmeleitfähigkeit	200 W/m·K
Elektrischer Widerstand	Hohe Isolierung, geeignet für HF-Anwendungen
Oberflächenrauheit	Ra ≤ 0,5µm (für AlN-Schicht)
Materialreinheit	Hochreines AlN (99,9 %)
Farbe	Weiß/Off-White (AlN-Schicht mit hellem NPSS-Substrat)
Waferverzug	< 30µm (typisch)
Doping-Typ	Undotiert (kann individuell angepasst werden)

Anwendungen

DerAlN-auf-NPSS-Waferist für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen in verschiedenen Branchen konzipiert:

Hochleistungselektronik: Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die isolierenden Eigenschaften der AlN-Schicht machen sie zu einem idealen Material fürLeistungstransistoren, Gleichrichter, UndLeistungs-ICsverwendet inAutomobilindustrie, Industrie, Underneuerbare EnergienSysteme.

Hochfrequenzkomponenten (RF): Die hervorragenden elektrischen Isoliereigenschaften von AlN, gepaart mit seinem geringen Verlust, ermöglichen die Herstellung vonHF-Transistoren, HEMTs (High-Electron-Mobility-Transistoren)und andereMikrowellenkomponentendie bei hohen Frequenzen und Leistungspegeln effizient arbeiten.

Optische Geräte: AlN-auf-NPSS-Wafer werden verwendet inLaserdioden, LEDs, UndFotodetektoren, wobei diehohe WärmeleitfähigkeitUndmechanische Robustheitsind für die Aufrechterhaltung der Leistung über eine längere Lebensdauer unerlässlich.

Hochtemperatursensoren: Die Fähigkeit des Wafers, extremer Hitze standzuhalten, macht ihn geeignet fürTemperatursensorenUndUmweltüberwachungin Branchen wieLuft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, UndÖl und Gas.

Halbleiterverpackungen: Verwendet in WärmeverteilerUndWärmemanagementschichtenin Verpackungssystemen, um die Zuverlässigkeit und Effizienz von Halbleitern zu gewährleisten.

Fragen und Antworten

F: Was ist der Hauptvorteil von AlN-auf-NPSS-Wafern gegenüber herkömmlichen Materialien wie Silizium?

A: Der Hauptvorteil ist AlNshohe Wärmeleitfähigkeit, wodurch es die Wärme effizient ableitet und sich ideal fürhohe LeistungUndHochfrequenzanwendungenwo Wärmemanagement kritisch ist. Darüber hinaus hat AlN einegroße Bandlückeund ausgezeichnetelektrische Isolierung, wodurch es sich hervorragend für den Einsatz inRFUndMikrowellengeräteim Vergleich zu herkömmlichem Silizium.

F: Kann die AlN-Schicht auf NPSS-Wafern angepasst werden?

A: Ja, die Dicke der AlN-Schicht kann individuell angepasst werden (von 2 µm bis 10 µm oder mehr), um den spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung gerecht zu werden. Wir bieten auch individuelle Anpassungen hinsichtlich des Dotierungstyps (N-Typ oder P-Typ) und zusätzlicher Schichten für spezielle Funktionen an.

F: Was ist die typische Anwendung für diesen Wafer in der Automobilindustrie?

A: In der Automobilindustrie werden AlN-auf-NPSS-Wafer häufig verwendet inLeistungselektronik, LED-Beleuchtungssysteme, UndTemperatursensorenSie bieten ein hervorragendes Wärmemanagement und eine elektrische Isolierung, die für hocheffiziente Systeme, die unter unterschiedlichen Temperaturbedingungen betrieben werden, von entscheidender Bedeutung ist.