AlN-auf-NPSS-Wafer: Hochleistungsfähige Aluminiumnitridschicht auf unpoliertem Saphirsubstrat für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und HF-Anwendungen

Kurzbeschreibung:

Der AlN-auf-NPSS-Wafer kombiniert eine leistungsstarke Aluminiumnitrid-Schicht (AlN) mit einem unpolierten Saphirsubstrat (NPSS) und bietet damit eine ideale Lösung für Hochtemperatur-, Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen. Die einzigartige Kombination aus der außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit und den elektrischen Eigenschaften von AlN sowie der hervorragenden mechanischen Festigkeit des Substrats macht diesen Wafer zur bevorzugten Wahl für anspruchsvolle Anwendungen wie Leistungselektronik, Hochfrequenzbauelemente und optische Komponenten. Dank exzellenter Wärmeableitung, geringer Verluste und Kompatibilität mit Hochtemperaturumgebungen ermöglicht dieser Wafer die Entwicklung von Bauelementen der nächsten Generation mit überragender Leistung.

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Merkmale

Hochleistungsfähige AlN-SchichtAluminiumnitrid (AlN) ist bekannt für seinehohe Wärmeleitfähigkeit(~200 W/m·K),breite Bandbreite, Undhohe Durchschlagsspannung, was es zu einem idealen Material macht fürhohe Leistung, Hochfrequenz, Undhohe TemperaturAnwendungen.

Nicht poliertes Saphirsubstrat (NPSS)Der unpolierte Saphir bietet einekostengünstig, mechanisch robustDie Basis gewährleistet eine stabile Grundlage für das epitaktische Wachstum ohne aufwendiges Oberflächenpolieren. Dank seiner hervorragenden mechanischen Eigenschaften ist das NPSS auch unter anspruchsvollen Bedingungen beständig.

Hohe thermische StabilitätDie AlN-auf-NPSS-Wafer-Beschichtung ist beständig gegen extreme Temperaturschwankungen und eignet sich daher für den Einsatz inLeistungselektronik, Automobilsysteme, LEDs, Undoptische Anwendungendie eine stabile Leistung unter Hochtemperaturbedingungen erfordern.

Elektrische IsolierungAlN besitzt hervorragende elektrische Isolationseigenschaften und eignet sich daher perfekt für Anwendungen, bei denenelektrische Trennungist von entscheidender Bedeutung, einschließlichHF-GeräteUndMikrowellenelektronik.

Überlegene WärmeableitungDank seiner hohen Wärmeleitfähigkeit gewährleistet die AlN-Schicht eine effektive Wärmeableitung, was für die Aufrechterhaltung der Leistungsfähigkeit und Lebensdauer von Geräten, die unter hoher Leistung und Frequenz arbeiten, unerlässlich ist.

Technische Parameter

Parameter	Spezifikation
Waferdurchmesser	2 Zoll, 4 Zoll (Sondergrößen auf Anfrage)
Substrattyp	Nicht poliertes Saphirsubstrat (NPSS)
AlN-Schichtdicke	2 µm bis 10 µm (anpassbar)
Substratdicke	430 µm ± 25 µm (für 2 Zoll), 500 µm ± 25 µm (für 4 Zoll)
Wärmeleitfähigkeit	200 W/m·K
Elektrischer Widerstand	Hohe Isolationsfähigkeit, geeignet für HF-Anwendungen
Oberflächenrauheit	Ra ≤ 0,5µm (für die AlN-Schicht)
Materialreinheit	Hochreines AlN (99,9 %)
Farbe	Weiß/Gebrochenes Weiß (AlN-Schicht auf hellfarbigem NPSS-Substrat)
Wafer Warp	< 30µm (typisch)
Dopingart	Undotiert (kann angepasst werden)

Anwendungen

DerAlN-auf-NPSS-Waferist für eine breite Palette von Hochleistungsanwendungen in verschiedenen Branchen konzipiert:

HochleistungselektronikDie hohe Wärmeleitfähigkeit und die isolierenden Eigenschaften der AlN-Schicht machen sie zu einem idealen Material fürLeistungstransistoren, Gleichrichter, UndLeistungs-ICsverwendet inAutomobil, Industrie, Underneuerbare EnergieSysteme.

Hochfrequenzkomponenten (HF-Komponenten)Die hervorragenden elektrischen Isolationseigenschaften von AlN in Verbindung mit seinen geringen Verlusten ermöglichen die Herstellung vonHF-Transistoren, HEMTs (Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit)und andereMikrowellenkomponentendie bei hohen Frequenzen und Leistungspegeln effizient arbeiten.

Optische GeräteAlN-auf-NPSS-Wafern werden verwendet inLaserdioden, LEDs, UndFotodetektoren, wo diehohe WärmeleitfähigkeitUndmechanische Robustheitsind unerlässlich für die Aufrechterhaltung der Leistungsfähigkeit über eine lange Lebensdauer.

HochtemperatursensorenDie Fähigkeit des Wafers, extremer Hitze standzuhalten, macht ihn geeignet fürTemperatursensorenUndUmweltüberwachungin Branchen wieLuft- und Raumfahrt, Automobil, UndÖl und Gas.

Halbleitergehäuse: Wird verwendet in WärmeverteilerUndWärmemanagementschichtenin Verpackungssystemen, um die Zuverlässigkeit und Effizienz von Halbleitern zu gewährleisten.

Fragen und Antworten

F: Was ist der Hauptvorteil von AlN-auf-NPSS-Wafern gegenüber herkömmlichen Materialien wie Silizium?

A: Der Hauptvorteil liegt in AlNshohe Wärmeleitfähigkeit, wodurch es Wärme effizient ableiten kann und sich daher ideal eignet fürhohe LeistungUndHochfrequenzanwendungenwo Wärmemanagement von entscheidender Bedeutung ist. Darüber hinaus hat AlN einebreite Bandbreiteund ausgezeichnetelektrische Isolierungwodurch es sich hervorragend für den Einsatz in eignetRFUndMikrowellengeräteim Vergleich zu herkömmlichem Silizium.

F: Lässt sich die AlN-Schicht auf NPSS-Wafern kundenspezifisch anpassen?

A: Ja, die AlN-Schicht kann hinsichtlich ihrer Dicke (von 2 µm bis 10 µm oder mehr) an die spezifischen Anforderungen Ihrer Anwendung angepasst werden. Wir bieten außerdem die Möglichkeit, die Dotierung (N- oder P-Typ) und zusätzliche Schichten für spezielle Funktionen anzupassen.

F: Was ist ein typischer Anwendungsbereich für diesen Wafer in der Automobilindustrie?

A: In der Automobilindustrie werden AlN-auf-NPSS-Wafer häufig verwendet inLeistungselektronik, LED-Beleuchtungssysteme, UndTemperatursensorenSie bieten ein überlegenes Wärmemanagement und eine hervorragende elektrische Isolierung, was für hocheffiziente Systeme, die unter variierenden Temperaturbedingungen arbeiten, unerlässlich ist.