AlN auf FSS 2 Zoll 4 Zoll NPSS/FSS AlN-Vorlage für den Halbleiterbereich

Kurze Beschreibung:

Die AlN-Wafer auf FSS-Wafern (Flexible Substrate) bieten eine einzigartige Kombination aus der außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, mechanischen Festigkeit und elektrischen Isolationseigenschaften von Aluminiumnitrid (AlN) gepaart mit der Flexibilität eines Hochleistungssubstrats. Diese 2- und 4-Zoll-Wafer wurden speziell für fortschrittliche Halbleiteranwendungen entwickelt, insbesondere dort, wo Wärmemanagement und Geräteflexibilität entscheidend sind. Mit der Option auf NPSS- (Non-Polished Substrate) und FSS- (Flexible Substrate) Basis eignen sich diese AlN-Vorlagen ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik, HF-Geräten und flexiblen elektronischen Systemen, wo hohe Wärmeleitfähigkeit und flexible Integration entscheidend zur Verbesserung von Geräteleistung und -zuverlässigkeit beitragen.

Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Produkt Tags

Eigenschaften

Materialzusammensetzung:
Aluminiumnitrid (AlN) – Weiße, leistungsstarke Keramikschicht mit hervorragender Wärmeleitfähigkeit (typischerweise 200–300 W/m·K), guter elektrischer Isolierung und hoher mechanischer Festigkeit.
Flexibles Substrat (FSS) – Flexible Polymerfolien (wie Polyimid, PET usw.), die Haltbarkeit und Biegsamkeit bieten, ohne die Funktionalität der AlN-Schicht zu beeinträchtigen.

Verfügbare Wafergrößen:
2 Zoll (50,8 mm)
4 Zoll (100 mm)

Dicke:
AlN-Schicht: 100–2000 nm
FSS-Substratdicke: 50 µm – 500 µm (je nach Bedarf anpassbar)

Optionen für die Oberflächenbeschaffenheit:
NPSS (unpoliertes Substrat) – Unpolierte Substratoberfläche, geeignet für bestimmte Anwendungen, die rauere Oberflächenprofile für eine bessere Haftung oder Integration erfordern.
FSS (Flexibles Substrat) – Polierte oder unpolierte flexible Folie, mit der Option für glatte oder strukturierte Oberflächen, je nach den spezifischen Anwendungsanforderungen.

Elektrische Eigenschaften:
Isolierend – Die elektrischen Isoliereigenschaften von AlN machen es ideal für Hochspannungs- und Leistungshalbleiteranwendungen.
Dielektrizitätskonstante: ~9,5
Wärmeleitfähigkeit: 200–300 W/m·K (abhängig von der jeweiligen AlN-Qualität und -Dicke)

Mechanische Eigenschaften:
Flexibilität: AlN wird auf einem flexiblen Substrat (FSS) abgelagert, das Biegung und Flexibilität ermöglicht.
Oberflächenhärte: AlN ist äußerst langlebig und widersteht physischen Schäden unter normalen Betriebsbedingungen.

Anwendungen

Hochleistungsgeräte: Ideal für Leistungselektronik, die eine hohe Wärmeableitung erfordert, wie z. B. Stromrichter, HF-Verstärker und Hochleistungs-LED-Module.

HF- und Mikrowellenkomponenten: Geeignet für Komponenten wie Antennen, Filter und Resonatoren, bei denen sowohl Wärmeleitfähigkeit als auch mechanische Flexibilität erforderlich sind.

Flexible Elektronik: Perfekt für Anwendungen, bei denen sich Geräte an nicht-ebene Oberflächen anpassen müssen oder ein leichtes, flexibles Design erfordern (z. B. Wearables, flexible Sensoren).

Halbleiterverpackungen: Wird als Substrat in Halbleitergehäusen verwendet und bietet Wärmeableitung bei Anwendungen, bei denen viel Wärme erzeugt wird.

LEDs und Optoelektronik: Für Geräte, die einen Hochtemperaturbetrieb mit robuster Wärmeableitung erfordern.

Parametertabelle

Eigentum	Wert oder Bereich
Wafergröße	2 Zoll (50,8 mm), 4 Zoll (100 mm)
AlN-Schichtdicke	100 nm – 2000 nm
FSS-Substratdicke	50µm – 500µm (anpassbar)
Wärmeleitfähigkeit	200 – 300 W/m·K
Elektrische Eigenschaften	Isolierend (Dielektrizitätskonstante: ~9,5)
Oberflächenbeschaffenheit	Poliert oder unpoliert
Substrattyp	NPSS (unpoliertes Substrat), FSS (flexibles Substrat)
Mechanische Flexibilität	Hohe Flexibilität, ideal für flexible Elektronik
Farbe	Weiß bis Cremeweiß (je nach Untergrund)

Anwendungen

●Leistungselektronik:Die Kombination aus hoher Wärmeleitfähigkeit und Flexibilität macht diese Wafer perfekt für Leistungsgeräte wie Stromrichter, Transistoren und Spannungsregler, die eine effiziente Wärmeableitung erfordern.
●HF-/Mikrowellengeräte:Aufgrund der überlegenen thermischen Eigenschaften und der geringen elektrischen Leitfähigkeit von AlN werden diese Wafer in HF-Komponenten wie Verstärkern, Oszillatoren und Antennen verwendet.
●Flexible Elektronik:Die Flexibilität der FSS-Schicht in Kombination mit dem hervorragenden Wärmemanagement von AlN macht es zur idealen Wahl für tragbare Elektronik und Sensoren.
●Halbleiterverpackung:Wird für Hochleistungs-Halbleiterverpackungen verwendet, bei denen eine effektive Wärmeableitung und Zuverlässigkeit entscheidend sind.
●LED- und optoelektronische Anwendungen:Aluminiumnitrid ist ein hervorragendes Material für LED-Verpackungen und andere optoelektronische Geräte, die eine hohe Hitzebeständigkeit erfordern.

Q&A (Häufig gestellte Fragen)

F1: Welche Vorteile bietet die Verwendung von AlN auf FSS-Wafern?

A1: AlN auf FSS-Wafern kombiniert die hohe Wärmeleitfähigkeit und die elektrischen Isolationseigenschaften von AlN mit der mechanischen Flexibilität eines Polymersubstrats. Dies ermöglicht eine verbesserte Wärmeableitung in flexiblen elektronischen Systemen und erhält gleichzeitig die Geräteintegrität unter Biege- und Dehnungsbedingungen.

F2: Welche Größen sind für AlN auf FSS-Wafer verfügbar?

A2: Wir bieten2 ZollUnd4 ZollWafergrößen. Sondergrößen können auf Anfrage besprochen werden, um Ihren spezifischen Anwendungsanforderungen gerecht zu werden.

F3: Kann ich die Dicke der AlN-Schicht anpassen?

A3: Ja, dieAlN-Schichtdickekann individuell angepasst werden, mit typischen Bereichen von100 nm bis 2000 nmabhängig von Ihren Anwendungsanforderungen.