8-Zoll-SiC-Produktionswafer, 4H-N-SiC-Substrat
Die folgende Tabelle zeigt die Spezifikationen unserer 8-Zoll-SiC-Wafer:
| 8-Zoll-N-Typ-SiC-DSP-Spezifikationen | |||||
| Nummer | Artikel | Einheit | Produktion | Forschung | Dummy |
| 1:Parameter | |||||
| 1.1 | Polytyp | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | Oberflächenorientierung | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2: Elektrischer Parameter | |||||
| 2.1 | Dopant | -- | n-Typ-Stickstoff | n-Typ-Stickstoff | n-Typ-Stickstoff |
| 2.2 | spezifischer Widerstand | Ohm · cm | 0,015 bis 0,025 | 0,01 bis 0,03 | NA |
| 3:Mechanischer Parameter | |||||
| 3.1 | Durchmesser | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | Dicke | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Kerbenausrichtung | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Kerbtiefe | mm | 1–1,5 | 1–1,5 | 1–1,5 |
| 3,5 | LTV | μm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| 3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Bogen | μm | -25 bis 25 | -45 bis 45 | -65 bis 65 |
| 3.8 | Kette | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | AFM | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4: Struktur | |||||
| 4.1 | Mikrorohrdichte | Stück/cm² | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | Metallgehalt | Atome/cm² | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | TSD | Stück/cm² | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | BPD | Stück/cm² | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4,5 | TED | Stück/cm² | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Frontqualität | |||||
| 5.1 | Front | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | Oberflächenbeschaffenheit | -- | Si-Flächen-CMP | Si-Flächen-CMP | Si-Flächen-CMP |
| 5.3 | Teilchen | ea/wafer | ≤100 (Größe≥0,3μm) | NA | NA |
| 5.4 | kratzen | ea/wafer | ≤5, Gesamtlänge ≤200 mm | NA | NA |
| 5,5 | Rand Absplitterungen/Dellen/Risse/Flecken/Verunreinigungen | -- | Keiner | Keiner | NA |
| 5.6 | Polytypenbereiche | -- | Keiner | Fläche ≤10% | Fläche ≤30% |
| 5,7 | vordere Markierung | -- | Keiner | Keiner | Keiner |
| 6: Rückenqualität | |||||
| 6.1 | Rückseite | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | kratzen | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Rückseitenfehlerkante Absplitterungen/Einkerbungen | -- | Keiner | Keiner | NA |
| 6.4 | Rückseitenrauheit | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6,5 | Rückseitenmarkierung | -- | Kerbe | Kerbe | Kerbe |
| 7: Rand | |||||
| 7.1 | Rand | -- | Fase | Fase | Fase |
| 8:Paket | |||||
| 8.1 | Verpackung | -- | Epi-fähig mit Vakuum Verpackung | Epi-fähig mit Vakuum Verpackung | Epi-fähig mit Vakuum Verpackung |
| 8.2 | Verpackung | -- | Multi-Wafer Kassettenverpackung | Multi-Wafer Kassettenverpackung | Multi-Wafer Kassettenverpackung |
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