8-Zoll-SiC-Wafer 4H-N-SiC-Substrat in Produktionsqualität

8-Zoll-SiC-Wafer in Produktionsqualität, 4H-N-SiC-Substrat. Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

8-Zoll-SiC-Substrate werden in elektronischen Hochleistungsgeräten wie Leistungs-MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), Schottky-Dioden und anderen Leistungshalbleitergeräten verwendet.

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Produktdetail

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Die folgende Tabelle zeigt die Spezifikationen unserer 8-Zoll-SiC-Wafer:

8-Zoll-N-Typ-SiC-DSP-Spezifikationen
Nummer	Artikel	Einheit	Produktion	Forschung	Dummy
1:Parameter
1.1	Polytyp	--	4H	4H	4H
1.2	Oberflächenorientierung	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2:Elektrischer Parameter
2.1	Dotierstoff	--	Stickstoff vom n-Typ	Stickstoff vom n-Typ	Stickstoff vom n-Typ
2.2	Widerstand	Ohm ·cm	0,015~0,025	0,01–0,03	NA
3:Mechanische Parameter
3.1	Durchmesser	mm	200 ± 0,2	200 ± 0,2	200 ± 0,2
3.2	Dicke	μm	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25
3.3	Kerbenausrichtung	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Kerbtiefe	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm*10mm)	≤5(10mm*10mm)	≤10(10mm*10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Bogen	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Kette	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4:Struktur
4.1	Mikrorohrdichte	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	Metallgehalt	Atome/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	TED	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5.Frontqualität
5.1	Vorderseite	--	Si	Si	Si
5.2	Oberflächenfinish	--	Si-Face-CMP	Si-Face-CMP	Si-Face-CMP
5.3	Partikel	Stück/Wafer	≤100 (Größe ≥ 0,3 μm)	NA	NA
5.4	kratzen	Stück/Wafer	≤5, Gesamtlänge≤200mm	NA	NA
5.5	Rand Absplitterungen/Beulen/Risse/Flecken/Verunreinigung	--	Keiner	Keiner	NA
5.6	Polytypiebereiche	--	Keiner	Fläche ≤10 %	Fläche ≤30 %
5.7	vordere Markierung	--	Keiner	Keiner	Keiner
6:Rückenqualität
6.1	hinterer Abschluss	--	C-Gesicht MP	C-Gesicht MP	C-Gesicht MP
6.2	kratzen	mm	NA	NA	NA
6.3	Rückenfehler am Rand Chips/Einkerbungen	--	Keiner	Keiner	NA
6.4	Rückenrauheit	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Rückenmarkierung	--	Einkerbung	Einkerbung	Einkerbung
7: Kante
7.1	Rand	--	Fase	Fase	Fase
8: Paket
8.1	Verpackung	--	Epi-ready mit Vakuum Verpackung	Epi-ready mit Vakuum Verpackung	Epi-ready mit Vakuum Verpackung
8.2	Verpackung	--	Multi-Wafer Kassettenverpackung	Multi-Wafer Kassettenverpackung	Multi-Wafer Kassettenverpackung