6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer N/P-Typ akzeptieren kundenspezifische Anpassungen

6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer vom N/P-Typ akzeptieren kundenspezifische Sonderbilder

Kurzbeschreibung:

Wir bieten 4-, 6- und 8-Zoll-Siliziumkarbid-Epitaxiewafer- und Epitaxiegießereidienstleistungen sowie die Produktion (600 V bis 3300 V) von Leistungsgeräten einschließlich SBD, JBS, PiN, MOSFET, JFET, BJT, GTO, IGBT usw. an.

Wir können 4-Zoll- und 6-Zoll-SiC-Epitaxiewafer für die Herstellung von Leistungsgeräten bereitstellen, einschließlich SBD JBS PiN MOSFET JFET BJT GTO und IGBT von 600 V bis 3300 V

Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetails

Produkt-Tags

Der Herstellungsprozess von Siliziumkarbid-Epitaxiewafern ist ein Verfahren, bei dem die chemische Gasphasenabscheidung (CVD)-Technologie zum Einsatz kommt. Im Folgenden sind die relevanten technischen Prinzipien und Vorbereitungsprozessschritte aufgeführt:

Technisches Prinzip:

Chemische Gasphasenabscheidung: Unter Verwendung des Rohmaterialgases in der Gasphase wird es unter bestimmten Reaktionsbedingungen zersetzt und auf dem Substrat abgeschieden, um den gewünschten dünnen Film zu bilden.

Gasphasenreaktion: Durch Pyrolyse oder Crackreaktion werden verschiedene Rohstoffgase in der Gasphase in der Reaktionskammer chemisch verändert.

Schritte des Vorbereitungsprozesses:

Substratbehandlung: Das Substrat wird einer Oberflächenreinigung und Vorbehandlung unterzogen, um die Qualität und Kristallinität des epitaktischen Wafers sicherzustellen.

Fehlerbehebung in der Reaktionskammer: Passen Sie Temperatur, Druck und Durchflussrate der Reaktionskammer sowie andere Parameter an, um die Stabilität und Kontrolle der Reaktionsbedingungen sicherzustellen.

Rohstoffzufuhr: Führen Sie die erforderlichen Gasrohstoffe in die Reaktionskammer ein, mischen Sie sie und steuern Sie die Durchflussrate nach Bedarf.

Reaktionsprozess: Durch Erhitzen der Reaktionskammer wird das gasförmige Ausgangsmaterial in der Kammer einer chemischen Reaktion unterzogen, um die gewünschte Ablagerung, dh einen Siliziumkarbidfilm, zu erzeugen.

Abkühlen und Entladen: Am Ende der Reaktion wird die Temperatur schrittweise gesenkt, um die Ablagerungen in der Reaktionskammer abzukühlen und zu verfestigen.

Glühen und Nachbearbeiten des epitaktischen Wafers: Der abgelagerte epitaktische Wafer wird getempert und nachbearbeitet, um seine elektrischen und optischen Eigenschaften zu verbessern.

Die spezifischen Schritte und Bedingungen des Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafer-Vorbereitungsprozesses können je nach spezifischer Ausrüstung und Anforderungen variieren. Das Obige ist nur ein allgemeiner Prozessablauf und ein allgemeines Prinzip. Der spezifische Betrieb muss entsprechend der tatsächlichen Situation angepasst und optimiert werden.