6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer vom Typ N/P, kundenspezifisch

Der Herstellungsprozess von Siliziumkarbid-Epitaxiewafern erfolgt mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD). Im Folgenden sind die relevanten technischen Prinzipien und Vorbereitungsschritte aufgeführt:

Technisches Prinzip:

Chemische Gasphasenabscheidung: Unter Verwendung des Rohmaterialgases in der Gasphase wird es unter bestimmten Reaktionsbedingungen zersetzt und auf dem Substrat abgeschieden, um den gewünschten Dünnfilm zu bilden.

Gasphasenreaktion: Durch Pyrolyse oder Crackreaktion werden verschiedene Ausgangsgase in der Gasphase in der Reaktionskammer chemisch verändert.

Schritte des Vorbereitungsprozesses:

Substratbehandlung: Das Substrat wird einer Oberflächenreinigung und Vorbehandlung unterzogen, um die Qualität und Kristallinität des epitaktischen Wafers sicherzustellen.

Debuggen der Reaktionskammer: Passen Sie Temperatur, Druck und Durchflussrate der Reaktionskammer sowie andere Parameter an, um die Stabilität und Kontrolle der Reaktionsbedingungen sicherzustellen.

Rohstoffzufuhr: Zufuhr der erforderlichen gasförmigen Rohstoffe in die Reaktionskammer, Mischen und Regelung der Durchflussrate nach Bedarf.

Reaktionsprozess: Durch Erhitzen der Reaktionskammer wird der gasförmige Ausgangsstoff in der Kammer einer chemischen Reaktion unterzogen, bei der die gewünschte Ablagerung, d. h. ein Siliziumkarbidfilm, entsteht.

Abkühlen und Entladen: Am Ende der Reaktion wird die Temperatur schrittweise gesenkt, um die Ablagerungen in der Reaktionskammer abzukühlen und zu verfestigen.

Tempern und Nachbearbeiten epitaktischer Wafer: Der abgeschiedene epitaktische Wafer wird getempert und nachbearbeitet, um seine elektrischen und optischen Eigenschaften zu verbessern.

Die spezifischen Schritte und Bedingungen des Herstellungsprozesses von Siliziumkarbid-Epitaxiewafern können je nach Ausrüstung und Anforderungen variieren. Das Obige stellt nur einen allgemeinen Prozessablauf und ein Prinzip dar. Der spezifische Vorgang muss entsprechend der tatsächlichen Situation angepasst und optimiert werden.