6-Zoll-SiC-Epitaxie-Wafer, Typ N/P, kundenspezifische Anpassung möglich

Die Herstellung von Siliziumkarbid-Epitaxiewafern erfolgt mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD). Im Folgenden werden die relevanten technischen Grundlagen und Herstellungsschritte erläutert:

Technisches Prinzip:

Chemische Gasphasenabscheidung: Dabei wird das Rohmaterialgas in der Gasphase unter spezifischen Reaktionsbedingungen zersetzt und auf dem Substrat abgeschieden, um den gewünschten Dünnfilm zu bilden.

Gasphasenreaktion: Durch Pyrolyse oder Crackreaktion werden verschiedene Rohstoffgase in der Gasphase in der Reaktionskammer chemisch verändert.

Schritte des Vorbereitungsprozesses:

Substratbehandlung: Das Substrat wird einer Oberflächenreinigung und Vorbehandlung unterzogen, um die Qualität und Kristallinität des Epitaxie-Wafers zu gewährleisten.

Fehlerbehebung in der Reaktionskammer: Temperatur, Druck und Durchflussrate der Reaktionskammer sowie weitere Parameter anpassen, um die Stabilität und Kontrolle der Reaktionsbedingungen zu gewährleisten.

Rohstoffzufuhr: Die benötigten gasförmigen Rohstoffe werden in die Reaktionskammer zugeführt, wobei die Durchflussrate nach Bedarf gemischt und geregelt wird.

Reaktionsprozess: Durch Erhitzen der Reaktionskammer durchläuft das gasförmige Ausgangsmaterial in der Kammer eine chemische Reaktion, um die gewünschte Ablagerung, d. h. einen Siliciumcarbidfilm, zu erzeugen.

Abkühlung und Entladung: Am Ende der Reaktion wird die Temperatur allmählich gesenkt, um die Ablagerungen in der Reaktionskammer abzukühlen und zu verfestigen.

Epitaxiales Wafer-Tempern und Nachbearbeitung: Der abgeschiedene epitaxiale Wafer wird getempert und nachbearbeitet, um seine elektrischen und optischen Eigenschaften zu verbessern.

Die einzelnen Schritte und Bedingungen des Herstellungsprozesses von Siliziumkarbid-Epitaxiewafern können je nach Ausrüstung und Anforderungen variieren. Die obige Beschreibung stellt lediglich einen allgemeinen Prozessablauf und ein allgemeines Prinzip dar; die konkrete Durchführung muss an die jeweiligen Gegebenheiten angepasst und optimiert werden.