6 Zoll GaN-auf-Saphir

Kurzbeschreibung:

150 mm 6 Zoll GaN auf Silizium/Saphir/SiC Epi-Schicht-Wafer Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer

Der 6-Zoll-Saphirsubstratwafer ist ein hochwertiges Halbleitermaterial, das aus Schichten aus Galliumnitrid (GaN) besteht, die auf einem Saphirsubstrat gewachsen sind. Das Material verfügt über hervorragende elektronische Transporteigenschaften und eignet sich ideal für die Herstellung von Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen.

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Produktdetails

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150 mm 6 Zoll GaN auf Silizium/Saphir/SiC Epi-Schicht-Wafer Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer

Herstellungsmethode: Der Herstellungsprozess umfasst das Aufwachsen von GaN-Schichten auf einem Saphirsubstrat mithilfe fortschrittlicher Techniken wie metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder Molekularstrahlepitaxie (MBE). Der Abscheidungsprozess wird unter kontrollierten Bedingungen durchgeführt, um eine hohe Kristallqualität und einen gleichmäßigen Film zu gewährleisten.

6-Zoll-GaN-auf-Saphir-Anwendungen: 6-Zoll-Saphirsubstratchips werden häufig in der Mikrowellenkommunikation, in Radarsystemen, in der drahtlosen Technologie und in der Optoelektronik eingesetzt.

Einige häufige Anwendungen umfassen

1. HF-Leistungsverstärker

2. LED-Beleuchtungsindustrie

3. Kommunikationsgeräte für drahtlose Netzwerke

4. Elektronische Geräte in Umgebungen mit hohen Temperaturen

5. Optoelektronische Geräte

Produktspezifikationen

- Größe: Der Substratdurchmesser beträgt 6 Zoll (ca. 150 mm).

- Oberflächenqualität: Die Oberfläche wurde fein poliert, um eine hervorragende Spiegelqualität zu gewährleisten.

- Dicke: Die Dicke der GaN-Schicht kann je nach spezifischen Anforderungen angepasst werden.

- Verpackung: Das Substrat ist sorgfältig mit antistatischen Materialien verpackt, um Schäden während des Transports zu vermeiden.

- Positionierungskanten: Das Substrat verfügt über spezielle Positionierungskanten, die die Ausrichtung und Bedienung während der Gerätevorbereitung erleichtern.

- Weitere Parameter: Spezifische Parameter wie Dicke, spezifischer Widerstand und Dotierungskonzentration können je nach Kundenwunsch angepasst werden.

Aufgrund ihrer hervorragenden Materialeigenschaften und vielfältigen Einsatzmöglichkeiten sind 6-Zoll-Saphir-Substratwafer eine zuverlässige Wahl für die Entwicklung von Hochleistungshalbleiterbauelementen in verschiedenen Branchen.

Substrat	6 Zoll 1 mm <111> p-Typ-Si	6 Zoll 1 mm <111> p-Typ-Si
Epi ThickAvg	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2 %	<2 %
Bogen	+/-45 um	+/-45 um
Knacken	<5mm	<5mm
Vertikale BV	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35 %	25-35 %
HEMT ThickAvg	20–30 nm	20–30 nm
Insitu SiN-Kappe	5–60 nm	5–60 nm
2DEG-Konz.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilität	~2000cm²/Vs (<2 %)	~2000cm²/Vs (<2 %)
Rsh	<330 Ohm/Quadrat (<2 %)	<330 Ohm/Quadrat (<2 %)