6 Zoll GaN-auf-Saphir
150 mm 6 Zoll GaN auf Silizium/Saphir/SiC Epi-Layer-Wafer Galliumnitrid-Epitaxie-Wafer
Der 6-Zoll-Saphirsubstrat-Wafer ist ein hochwertiges Halbleitermaterial, das aus Schichten von Galliumnitrid (GaN) besteht, die auf einem Saphirsubstrat gewachsen sind. Das Material verfügt über hervorragende elektronische Transporteigenschaften und eignet sich ideal für die Herstellung von Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen.
Herstellungsverfahren: Der Herstellungsprozess umfasst das Aufbringen von GaN-Schichten auf einem Saphirsubstrat mithilfe fortschrittlicher Techniken wie der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder der Molekularstrahlepitaxie (MBE). Der Abscheidungsprozess erfolgt unter kontrollierten Bedingungen, um eine hohe Kristallqualität und einen gleichmäßigen Film zu gewährleisten.
6-Zoll-GaN-auf-Saphir-Anwendungen: 6-Zoll-Chips mit Saphirsubstrat werden häufig in der Mikrowellenkommunikation, in Radarsystemen, der drahtlosen Technologie und der Optoelektronik verwendet.
Zu den gängigen Anwendungen gehören
1. HF-Leistungsverstärker
2. LED-Beleuchtungsindustrie
3. Drahtlose Netzwerkkommunikationsgeräte
4. Elektronische Geräte in Umgebungen mit hohen Temperaturen
5. Optoelektronische Geräte
Produktdetails
- Größe: Der Substratdurchmesser beträgt 6 Zoll (ca. 150 mm).
- Oberflächenqualität: Die Oberfläche wurde fein poliert, um eine hervorragende Spiegelqualität zu gewährleisten.
- Dicke: Die Dicke der GaN-Schicht kann entsprechend den spezifischen Anforderungen angepasst werden.
- Verpackung: Das Substrat wird sorgfältig mit antistatischen Materialien verpackt, um Schäden während des Transports zu vermeiden.
- Positionierungskanten: Das Substrat verfügt über spezielle Positionierungskanten, die die Ausrichtung und Bedienung während der Gerätevorbereitung erleichtern.
- Andere Parameter: Bestimmte Parameter wie Dünnheit, spezifischer Widerstand und Dotierungskonzentration können entsprechend den Kundenanforderungen angepasst werden.
Dank ihrer überlegenen Materialeigenschaften und vielfältigen Anwendungsmöglichkeiten sind 6-Zoll-Saphir-Substrat-Wafer eine zuverlässige Wahl für die Entwicklung leistungsstarker Halbleiterbauelemente in verschiedenen Branchen.
| Substrat | 6" 1mm <111> p-Typ Si | 6" 1mm <111> p-Typ Si |
| Epi ThickAvg | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2 % | <2 % |
| Bogen | +/-45µm | +/-45µm |
| Knacken | <5 mm | <5 mm |
| Vertikale BV | >1000 V | >1400 V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30 nm | 20-30 nm |
| In-situ-SiN-Kappe | 5-60 nm | 5-60 nm |
| 2DEG-Konz. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilität | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 Ohm/Quadrat (<2 %) | <330 Ohm/Quadrat (<2 %) |
Detailliertes Diagramm
