150 mm 6 Zoll 0,7 mm 0,5 mm Saphir-Wafer-Substratträger C-Plane SSP/DSP

Kurzbeschreibung:

Alle oben genannten Beschreibungen sind korrekte Beschreibungen von Saphirkristallen. Aufgrund der hervorragenden Leistung von Saphirglas wird es häufig in technischen High-End-Bereichen eingesetzt. Mit der rasanten Entwicklung der LED-Industrie steigt auch die Nachfrage nach Saphirkristallmaterialien.

Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetails

Produkt-Tags

Anwendungen

Zu den Anwendungen für 6-Zoll-Saphirwafer gehören:

1. LED-Herstellung: Saphirwafer können als Substrat für LED-Chips verwendet werden und ihre Härte und Wärmeleitfähigkeit können die Stabilität und Lebensdauer von LED-Chips verbessern.

2. Laserherstellung: Saphirwafer können auch als Substrat für Laser verwendet werden, um die Leistung des Lasers zu verbessern und die Lebensdauer zu verlängern.

3. Halbleiterherstellung: Saphirwafer werden häufig bei der Herstellung elektronischer und optoelektronischer Geräte verwendet, einschließlich optischer Synthese, Solarzellen, elektronischer Hochfrequenzgeräte usw.

4. Andere Anwendungen: Saphirwafer können auch zur Herstellung von Touchscreens, optischen Geräten, Dünnschichtsolarzellen und anderen High-Tech-Produkten verwendet werden.

Spezifikation

Material	Hochreiner, einkristalliner Al2O3-Saphirwafer.
Dimension	150 mm +/- 0,05 mm, 6 Zoll
Dicke	1300 +/- 25 um
Orientierung	C-Ebene (0001) von M-Ebene (1-100) 0,2 +/- 0,05 Grad
Primäre flache Ausrichtung	Eine Ebene +/- 1 Grad
Primäre flache Länge	47,5 mm +/- 1 mm
Gesamtdickenvariation (TTV)	<20 um
Bogen	<25 um
Kette	<25 um
Wärmeausdehnungskoeffizient	6,66 x 10-6 / °C parallel zur C-Achse, 5 x 10-6 /°C senkrecht zur C-Achse
Spannungsfestigkeit	4,8 x 105 V/cm
Dielektrizitätskonstante	11,5 (1 MHz) entlang der C-Achse, 9,3 (1 MHz) senkrecht zur C-Achse
Tangens des dielektrischen Verlusts (auch Verlustfaktor genannt)	weniger als 1 x 10-4
Wärmeleitfähigkeit	40 W/(mK) bei 20℃
Polieren	einseitig poliert (SSP) oder doppelseitig poliert (DSP) Ra < 0,5 nm (nach AFM). Die Rückseite des SSP-Wafers wurde auf Ra = 0,8 – 1,2 µm feingeschliffen.
Transmission	88 % +/-1 % bei 460 nm