150 mm 6 Zoll 0,7 mm 0,5 mm Saphir-Wafer-Substratträger C-Plane SSP/DSP
Anwendungen
Zu den Anwendungen für 6-Zoll-Saphir-Wafer gehören:
1. LED-Herstellung: Saphir-Wafer können als Substrat für LED-Chips verwendet werden, und ihre Härte und Wärmeleitfähigkeit können die Stabilität und Lebensdauer von LED-Chips verbessern.
2. Laserherstellung: Saphir-Wafer können auch als Substrat für Laser verwendet werden, um die Leistung des Lasers zu verbessern und die Lebensdauer zu verlängern.
3. Halbleiterherstellung: Saphir-Wafer werden häufig bei der Herstellung elektronischer und optoelektronischer Geräte verwendet, einschließlich optischer Synthese, Solarzellen, elektronischer Hochfrequenzgeräte usw.
4. Andere Anwendungen: Saphir-Wafer können auch zur Herstellung von Touchscreens, optischen Geräten, Dünnschicht-Solarzellen und anderen Hightech-Produkten verwendet werden.
Spezifikation
| Material | Hochreiner Al2O3-Einkristall, Saphir-Wafer. |
| Dimension | 150 mm +/- 0,05 mm, 6 Zoll |
| Dicke | 1300 +/- 25 um |
| Orientierung | C-Ebene (0001) aus M-Ebene (1-100) 0,2 +/- 0,05 Grad |
| Primäre flache Ausrichtung | Eine Ebene +/- 1 Grad |
| Primäre flache Länge | 47,5 mm +/- 1 mm |
| Gesamtdickenvariation (TTV) | <20 um |
| Bogen | <25 um |
| Kette | <25 um |
| Wärmeausdehnungskoeffizient | 6,66 x 10-6 / °C parallel zur C-Achse, 5 x 10-6 /°C senkrecht zur C-Achse |
| Durchschlagsfestigkeit | 4,8 x 105 V/cm |
| Dielektrizitätskonstante | 11,5 (1 MHz) entlang der C-Achse, 9,3 (1 MHz) senkrecht zur C-Achse |
| Dielektrischer Verlustfaktor (auch bekannt als Verlustfaktor) | weniger als 1 x 10-4 |
| Wärmeleitfähigkeit | 40 W/(mK) bei 20℃ |
| Polieren | einseitig poliert (SSP) oder doppelseitig poliert (DSP) Ra < 0,5 nm (mittels AFM). Die Rückseite des SSP-Wafers wurde auf Ra = 0,8 – 1,2 µm feingeschliffen. |
| Transmission | 88 % +/-1 % bei 460 nm |
Detailliertes Diagramm
