6 Zoll – 8 Zoll LN-auf-Si-Verbundsubstrat, Dicke 0,3 – 50 μm, Si/SiC/Saphir-Materialien

6 Zoll – 8 Zoll LN-auf-Si-Verbundsubstrat, Dicke 0,3–50 μm, Si/SiC/Saphir der Materialien, Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

Das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat ist ein Hochleistungsmaterial, das einkristalline Lithiumniobat-Dünnschichten (LN) mit Siliziumsubstraten (Si) in Dicken von 0,3 bis 50 μm integriert. Es ist für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiter und optoelektronischer Geräte konzipiert. Durch den Einsatz fortschrittlicher Bond- oder Epitaxieverfahren gewährleistet dieses Substrat eine hohe Kristallqualität der LN-Dünnschicht und nutzt gleichzeitig die große Wafergröße (6 bis 8 Zoll) des Siliziumsubstrats, um die Produktionseffizienz und Kosteneffizienz zu steigern.
Im Vergleich zu herkömmlichen LN-Massivmaterialien bietet das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat eine überlegene thermische Anpassung und mechanische Stabilität und eignet sich daher für die großflächige Verarbeitung auf Waferebene. Zusätzlich können alternative Basismaterialien wie SiC oder Saphir ausgewählt werden, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen, darunter Hochfrequenz-HF-Geräte, integrierte Photonik und MEMS-Sensoren.

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Merkmale

Technische Parameter

0,3–50 μm LN/LT auf Isolatoren
Oberschicht
Durchmesser	6-8 Zoll
Orientierung	X, Z, Y-42 usw.
Materialien	LT, LN
Dicke	0,3–50 μm
Substrat (kundenspezifisch)
Material	Si, SiC, Saphir, Spinell, Quarz

Hauptmerkmale

Das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat zeichnet sich durch seine einzigartigen Materialeigenschaften und einstellbaren Parameter aus und ermöglicht so eine breite Anwendbarkeit in der Halbleiter- und Optoelektronikindustrie:

1.Kompatibilität mit großen Wafern: Die Wafergröße von 6 bis 8 Zoll gewährleistet eine nahtlose Integration in vorhandene Halbleiterfertigungslinien (z. B. CMOS-Prozesse), wodurch die Produktionskosten gesenkt und die Massenproduktion ermöglicht wird.

2. Hohe kristalline Qualität: Optimierte Epitaxie- oder Bonding-Techniken gewährleisten eine geringe Defektdichte im LN-Dünnfilm, wodurch dieser ideal für Hochleistungs-Optikmodulatoren, Oberflächenwellenfilter (SAW) und andere Präzisionsgeräte geeignet ist.

3. Einstellbare Dicke (0,3–50 μm): Ultradünne LN-Schichten (<1 μm) eignen sich für integrierte photonische Chips, während dickere Schichten (10–50 μm) Hochleistungs-HF-Geräte oder piezoelektrische Sensoren unterstützen.

4. Mehrere Substratoptionen: Zusätzlich zu Si können SiC (hohe Wärmeleitfähigkeit) oder Saphir (hohe Isolierung) als Basismaterialien ausgewählt werden, um den Anforderungen von Hochfrequenz-, Hochtemperatur- oder Hochleistungsanwendungen gerecht zu werden.

5. Thermische und mechanische Stabilität: Das Siliziumsubstrat bietet eine robuste mechanische Unterstützung, minimiert Verformungen oder Risse während der Verarbeitung und verbessert die Geräteausbeute.

Diese Eigenschaften machen das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat zu einem bevorzugten Material für Spitzentechnologien wie 5G-Kommunikation, LiDAR und Quantenoptik.

Hauptanwendungen

Das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat wird aufgrund seiner außergewöhnlichen elektrooptischen, piezoelektrischen und akustischen Eigenschaften in der Hightech-Industrie häufig eingesetzt:

1. Optische Kommunikation und integrierte Photonik: Ermöglicht Hochgeschwindigkeits-Elektrooptikmodulatoren, Wellenleiter und photonische integrierte Schaltkreise (PICs) und erfüllt so die Bandbreitenanforderungen von Rechenzentren und Glasfasernetzen.

2,5G/6G-HF-Geräte: Der hohe piezoelektrische Koeffizient von LN macht es ideal für Oberflächenwellenfilter (SAW) und Volumenwellenfilter (BAW) und verbessert die Signalverarbeitung in 5G-Basisstationen und Mobilgeräten.

3. MEMS und Sensoren: Der piezoelektrische Effekt von LN-auf-Si ermöglicht hochempfindliche Beschleunigungsmesser, Biosensoren und Ultraschallwandler für medizinische und industrielle Anwendungen.

4. Quantentechnologien: Als nichtlineares optisches Material werden LN-Dünnfilme in Quantenlichtquellen (z. B. verschränkten Photonenpaaren) und integrierten Quantenchips verwendet.

5. Laser und nichtlineare Optik: Ultradünne LN-Schichten ermöglichen effiziente Geräte zur Erzeugung der zweiten Harmonischen (SHG) und zur optischen parametrischen Oszillation (OPO) für die Laserverarbeitung und spektroskopische Analyse.

Das standardisierte 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat ermöglicht die Herstellung dieser Geräte in großen Waferfabriken, was die Produktionskosten erheblich senkt.

Anpassung und Services

Wir bieten umfassenden technischen Support und Anpassungsdienste für das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat, um den vielfältigen Anforderungen von Forschung und Entwicklung sowie Produktion gerecht zu werden:

1. Kundenspezifische Fertigung: LN-Filmdicke (0,3–50 μm), Kristallorientierung (X-Schnitt/Y-Schnitt) und Substratmaterial (Si/SiC/Saphir) können angepasst werden, um die Geräteleistung zu optimieren.

2. Wafer-Level-Verarbeitung: Massenlieferung von 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafern, einschließlich Back-End-Services wie Zerteilen, Polieren und Beschichten, um sicherzustellen, dass die Substrate für die Geräteintegration bereit sind.

3. Technische Beratung und Prüfung: Materialcharakterisierung (z. B. XRD, AFM), elektrooptische Leistungsprüfung und Unterstützung bei der Gerätesimulation zur Beschleunigung der Designvalidierung.

Unsere Mission besteht darin, das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat als Kernmateriallösung für optoelektronische und Halbleiteranwendungen zu etablieren und dabei eine durchgängige Unterstützung von der Forschung und Entwicklung bis zur Massenproduktion anzubieten.

Abschluss

Das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat mit seiner großen Wafergröße, der überlegenen Materialqualität und seiner Vielseitigkeit treibt Fortschritte in der optischen Kommunikation, 5G-HF und Quantentechnologien voran. Ob für die Massenfertigung oder kundenspezifische Lösungen – wir liefern zuverlässige Substrate und ergänzende Dienstleistungen, um technologische Innovationen zu ermöglichen.