6-8 Zoll LN-auf-Si-Verbundsubstrat, Dicke 0,3-50 μm, Si/SiC/Saphir-Materialien

Kurzbeschreibung:

Das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Kompositsubstrat ist ein Hochleistungsmaterial, das einkristalline Lithiumniobat-Dünnschichten (LN) mit Siliziumsubstraten (Si) integriert. Die Schichtdicken reichen von 0,3 μm bis 50 μm. Es ist für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiter- und optoelektronischer Bauelemente konzipiert. Durch den Einsatz moderner Bond- oder Epitaxieverfahren gewährleistet dieses Substrat eine hohe Kristallqualität der LN-Dünnschicht und nutzt gleichzeitig die große Wafergröße (6 bis 8 Zoll) des Siliziumsubstrats, um die Produktionseffizienz und Kosteneffektivität zu steigern.
Im Vergleich zu herkömmlichen LN-Massenmaterialien bietet das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Kompositsubstrat eine überlegene thermische Anpassung und mechanische Stabilität und eignet sich daher für die großflächige Wafer-Level-Verarbeitung. Darüber hinaus können alternative Basismaterialien wie SiC oder Saphir ausgewählt werden, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen, beispielsweise für Hochfrequenz-HF-Bauelemente, integrierte Photonik und MEMS-Sensoren.

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Merkmale

Technische Parameter

0,3–50 μm LN/LT auf Isolatoren
Oberschicht
Durchmesser	6-8 Zoll
Orientierung	X, Z, Y-42 usw.
Materialien	LT, LN
Dicke	0,3–50 μm
Substrat (kundenspezifisch)
Material	Si, SiC, Saphir, Spinell, Quarz

Hauptmerkmale

Das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat zeichnet sich durch seine einzigartigen Materialeigenschaften und einstellbaren Parameter aus und ermöglicht so eine breite Anwendbarkeit in der Halbleiter- und optoelektronischen Industrie:

1. Große Wafer-Kompatibilität: Die Wafergröße von 6 bis 8 Zoll gewährleistet eine nahtlose Integration in bestehende Halbleiterfertigungslinien (z. B. CMOS-Prozesse), wodurch die Produktionskosten gesenkt und die Massenproduktion ermöglicht werden.

2. Hohe Kristallqualität: Optimierte Epitaxie- oder Bondtechniken gewährleisten eine geringe Defektdichte im LN-Dünnfilm, wodurch dieser ideal für optische Hochleistungsmodulatoren, Oberflächenwellenfilter (SAW-Filter) und andere Präzisionsbauelemente geeignet ist.

3. Einstellbare Dicke (0,3–50 μm): Ultradünne LN-Schichten (<1 μm) eignen sich für integrierte photonische Chips, während dickere Schichten (10–50 μm) Hochleistungs-HF-Bauelemente oder piezoelektrische Sensoren unterstützen.

4. Mehrere Substratoptionen: Neben Si können auch SiC (hohe Wärmeleitfähigkeit) oder Saphir (hohe Isolationsfähigkeit) als Basismaterialien gewählt werden, um den Anforderungen von Hochfrequenz-, Hochtemperatur- oder Hochleistungsanwendungen gerecht zu werden.

5. Thermische und mechanische Stabilität: Das Siliziumsubstrat bietet eine robuste mechanische Unterstützung, minimiert Verformungen oder Risse während der Verarbeitung und verbessert die Geräteausbeute.

Diese Eigenschaften machen das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat zu einem bevorzugten Material für Spitzentechnologien wie 5G-Kommunikation, LiDAR und Quantenoptik.

Hauptanwendungen

Das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat findet aufgrund seiner außergewöhnlichen elektrooptischen, piezoelektrischen und akustischen Eigenschaften weite Verbreitung in Hightech-Industrien:

1. Optische Kommunikation und integrierte Photonik: Ermöglicht Hochgeschwindigkeits-elektrooptische Modulatoren, Wellenleiter und photonische integrierte Schaltungen (PICs) und erfüllt damit die Bandbreitenanforderungen von Rechenzentren und Glasfasernetzen.

2.5G/6G HF-Geräte: Der hohe piezoelektrische Koeffizient von LN macht es ideal für Oberflächenwellen- (SAW) und Volumenwellenfilter (BAW) und verbessert die Signalverarbeitung in 5G-Basisstationen und Mobilgeräten.

3.MEMS und Sensoren: Der piezoelektrische Effekt von LN-auf-Si ermöglicht die Herstellung hochempfindlicher Beschleunigungsmesser, Biosensoren und Ultraschallwandler für medizinische und industrielle Anwendungen.

4. Quantentechnologien: Als nichtlineares optisches Material werden LN-Dünnschichten in Quantenlichtquellen (z. B. verschränkte Photonenpaare) und integrierten Quantenchips eingesetzt.

5. Laser und nichtlineare Optik: Ultradünne LN-Schichten ermöglichen effiziente Geräte zur Erzeugung der zweiten Harmonischen (SHG) und zur optischen parametrischen Oszillation (OPO) für die Laserbearbeitung und spektroskopische Analyse.

Das standardisierte 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat ermöglicht die Herstellung dieser Bauelemente in großflächigen Waferfabriken, wodurch die Produktionskosten deutlich gesenkt werden.

Anpassung und Dienstleistungen

Wir bieten umfassenden technischen Support und Anpassungsdienstleistungen für das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat, um den vielfältigen Anforderungen in Forschung und Entwicklung sowie Produktion gerecht zu werden:

1. Kundenspezifische Fertigung: Die Dicke des LN-Films (0,3–50 μm), die Kristallorientierung (X-Schnitt/Y-Schnitt) und das Substratmaterial (Si/SiC/Saphir) können angepasst werden, um die Leistung des Bauelements zu optimieren.

2. Wafer-Level-Verarbeitung: Lieferung von 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafern in großen Mengen, einschließlich Back-End-Dienstleistungen wie Vereinzeln, Polieren und Beschichten, um sicherzustellen, dass die Substrate für die Geräteintegration bereit sind.

3. Technische Beratung und Prüfung: Materialcharakterisierung (z. B. XRD, AFM), elektrooptische Leistungsprüfung und Unterstützung bei der Gerätesimulation zur Beschleunigung der Designvalidierung.

Unsere Mission ist es, das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat als Kernmateriallösung für optoelektronische und Halbleiteranwendungen zu etablieren und dabei umfassende Unterstützung von der Forschung und Entwicklung bis zur Massenproduktion anzubieten.

Abschluss

Das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Kompositsubstrat mit seiner großen Wafergröße, überlegenen Materialqualität und Vielseitigkeit treibt Fortschritte in der optischen Kommunikation, 5G-RF und Quantentechnologien voran. Ob für die Serienfertigung oder kundenspezifische Lösungen – wir liefern zuverlässige Substrate und ergänzende Dienstleistungen, um technologische Innovationen zu ermöglichen.