6 Zoll – 8 Zoll LN-auf-Si-Verbundsubstrat Dicke 0,3 – 50 μm Si/SiC/Saphir von Materialien

6 Zoll – 8 Zoll LN-auf-Si-Verbundsubstrat, Dicke 0,3 – 50 μm, Si/SiC/Saphir der Materialien, Ausgewähltes Bild

Kurze Beschreibung:

Das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat ist ein Hochleistungsmaterial, das einkristalline Lithiumniobat-Dünnschichten (LN) mit Siliziumsubstraten (Si) in Dicken von 0,3 bis 50 μm integriert. Es ist für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiter und optoelektronischer Bauelemente konzipiert. Durch den Einsatz fortschrittlicher Bond- oder Epitaxieverfahren gewährleistet dieses Substrat eine hohe Kristallqualität der LN-Dünnschicht und nutzt gleichzeitig die große Wafergröße (6 bis 8 Zoll) des Siliziumsubstrats, um die Produktionseffizienz und Kosteneffizienz zu steigern.
Im Vergleich zu herkömmlichen LN-Massivmaterialien bietet das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat eine hervorragende thermische Anpassung und mechanische Stabilität und eignet sich daher für die großflächige Wafer-Level-Verarbeitung. Zusätzlich können alternative Basismaterialien wie SiC oder Saphir ausgewählt werden, um spezifische Anwendungsanforderungen zu erfüllen, darunter Hochfrequenz-HF-Geräte, integrierte Photonik und MEMS-Sensoren.

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Produktdetail

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Technische Parameter

0,3–50 μm LN/LT auf Isolatoren
Oberschicht
Durchmesser	6-8 Zoll
Orientierung	X, Z, Y-42 usw.
Materialien	LT, LN
Dicke	0,3–50 μm
Substrat (kundenspezifisch)
Material	Si, SiC, Saphir, Spinell, Quarz

Hauptmerkmale

Das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat zeichnet sich durch seine einzigartigen Materialeigenschaften und einstellbaren Parameter aus und ermöglicht so eine breite Anwendbarkeit in der Halbleiter- und Optoelektronikindustrie:

1. Kompatibilität mit großen Wafern: Die Wafergröße von 6 bis 8 Zoll gewährleistet eine nahtlose Integration in vorhandene Halbleiterfertigungslinien (z. B. CMOS-Prozesse), wodurch die Produktionskosten gesenkt und die Massenproduktion ermöglicht wird.

2. Hohe kristalline Qualität: Optimierte Epitaxie- oder Bonding-Techniken gewährleisten eine geringe Defektdichte im LN-Dünnfilm, wodurch dieser ideal für Hochleistungs-Optikmodulatoren, Oberflächenwellenfilter (SAW) und andere Präzisionsgeräte geeignet ist.

3. Einstellbare Dicke (0,3–50 μm): Ultradünne LN-Schichten (<1 μm) eignen sich für integrierte photonische Chips, während dickere Schichten (10–50 μm) Hochleistungs-HF-Geräte oder piezoelektrische Sensoren unterstützen.

4. Mehrere Substratoptionen: Zusätzlich zu Si können SiC (hohe Wärmeleitfähigkeit) oder Saphir (hohe Isolierung) als Basismaterialien ausgewählt werden, um den Anforderungen von Hochfrequenz-, Hochtemperatur- oder Hochleistungsanwendungen gerecht zu werden.

5. Thermische und mechanische Stabilität: Das Siliziumsubstrat bietet eine robuste mechanische Unterstützung, minimiert Verformungen oder Risse während der Verarbeitung und verbessert die Geräteausbeute.

Diese Eigenschaften positionieren das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat als bevorzugtes Material für Spitzentechnologien wie 5G-Kommunikation, LiDAR und Quantenoptik.

Hauptanwendungen

Das 6 bis 8 Zoll große LN-auf-Si-Verbundsubstrat wird aufgrund seiner außergewöhnlichen elektrooptischen, piezoelektrischen und akustischen Eigenschaften in der Hightech-Industrie häufig eingesetzt:

1. Optische Kommunikation und integrierte Photonik: Ermöglicht schnelle elektrooptische Modulatoren, Wellenleiter und photonische integrierte Schaltkreise (PICs) und erfüllt so die Bandbreitenanforderungen von Rechenzentren und Glasfasernetzen.

2,5G/6G-HF-Geräte: Der hohe piezoelektrische Koeffizient von LN macht es ideal für Oberflächenwellenfilter (SAW) und Volumenwellenfilter (BAW) und verbessert die Signalverarbeitung in 5G-Basisstationen und Mobilgeräten.

3. MEMS und Sensoren: Der piezoelektrische Effekt von LN-auf-Si ermöglicht hochempfindliche Beschleunigungsmesser, Biosensoren und Ultraschallwandler für medizinische und industrielle Anwendungen.

4. Quantentechnologien: Als nichtlineares optisches Material werden LN-Dünnschichten in Quantenlichtquellen (z. B. verschränkten Photonenpaaren) und integrierten Quantenchips verwendet.

5. Laser und nichtlineare Optik: Ultradünne LN-Schichten ermöglichen eine effiziente Erzeugung der zweiten Harmonischen (SHG) und optisch parametrische Oszillation (OPO) für die Laserverarbeitung und spektroskopische Analyse.

Das standardisierte 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat ermöglicht die Herstellung dieser Geräte in großen Waferfabriken, was die Produktionskosten erheblich senkt.

Anpassung und Services

Wir bieten umfassenden technischen Support und Anpassungsdienste für das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat, um den vielfältigen Anforderungen von Forschung und Entwicklung sowie Produktion gerecht zu werden:

1. Kundenspezifische Fertigung: LN-Filmdicke (0,3–50 μm), Kristallausrichtung (X-Schnitt/Y-Schnitt) und Substratmaterial (Si/SiC/Saphir) können angepasst werden, um die Geräteleistung zu optimieren.

2. Verarbeitung auf Waferebene: Massenlieferung von 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafern, einschließlich Back-End-Services wie Zerteilen, Polieren und Beschichten, um sicherzustellen, dass die Substrate für die Geräteintegration bereit sind.

3. Technische Beratung und Prüfung: Materialcharakterisierung (z. B. XRD, AFM), elektrooptische Leistungsprüfung und Unterstützung bei der Gerätesimulation zur Beschleunigung der Designvalidierung.

Unsere Mission besteht darin, das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat als Kernmateriallösung für optoelektronische und Halbleiteranwendungen zu etablieren und durchgängige Unterstützung von der Forschung und Entwicklung bis zur Massenproduktion anzubieten.

Abschluss

Das 6- bis 8-Zoll-LN-auf-Si-Verbundsubstrat mit seiner großen Wafergröße, seiner überlegenen Materialqualität und seiner Vielseitigkeit treibt Fortschritte in der optischen Kommunikation, 5G-HF und Quantentechnologien voran. Ob für die Massenfertigung oder kundenspezifische Lösungen – wir liefern zuverlässige Substrate und ergänzende Dienstleistungen, um technologische Innovationen zu fördern.