6 Zoll Siliziumkarbid 4H-SiC halbisolierender Ingot, Dummy-Qualität
Eigenschaften
1. Physikalische und strukturelle Eigenschaften
●Materialart: Siliziumkarbid (SiC)
●Polytyp: 4H-SiC, hexagonale Kristallstruktur
●Durchmesser: 6 Zoll (150 mm)
●Dicke: Konfigurierbar (typischerweise 5-15 mm für Dummy-Qualität)
●Kristallorientierung:
oPrimär: [0001] (C-Ebene)
oSekundäre Optionen: Off-Axis 4° für optimiertes epitaktisches Wachstum
●Primäre flache Orientierung: (10-10) ± 5°
●Sekundäre Planarorientierung: 90° gegen den Uhrzeigersinn von der primären Planarorientierung ± 5°
2. Elektrische Eigenschaften
●Widerstand:
oHalbisolierend (>106^66 Ω·cm), ideal zur Minimierung parasitärer Kapazitäten.
●Dopingart:
oUnbeabsichtigt dotiert, was zu einem hohen elektrischen Widerstand und Stabilität unter verschiedenen Betriebsbedingungen führt.
3. Thermische Eigenschaften
●Wärmeleitfähigkeit: 3,5-4,9 W/cm·K, ermöglicht effektive Wärmeableitung in Hochleistungssystemen.
●Wärmeausdehnungskoeffizient: 4,2×10−64,2 \times 10^{-6}4,2×10−6/K, wodurch die Dimensionsstabilität bei der Hochtemperaturverarbeitung gewährleistet wird.
4. Optische Eigenschaften
●Bandlücke: Große Bandlücke von 3,26 eV, die den Betrieb unter hohen Spannungen und Temperaturen ermöglicht.
●Transparenz: Hohe Transparenz im UV- und sichtbaren Wellenlängenbereich, geeignet für optoelektronische Tests.
5. Mechanische Eigenschaften
●Härte: Mohs-Härte 9, die zweithöchste nach Diamant, was eine lange Haltbarkeit bei der Verarbeitung gewährleistet.
●Defektdichte:
oKontrolliert auf minimale Makrofehler, um eine ausreichende Qualität für Dummy-Anwendungen zu gewährleisten.
●Ebenheit: Gleichmäßigkeit mit Abweichungen
| Parameter | Details | Einheit |
| Grad | Dummy-Note | |
| Durchmesser | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Wafer-Ausrichtung | Auf der Achse: <0001> ± 0,5° | Grad |
| Elektrischer Widerstand | > 1E5 | Ω·cm |
| Primäre flache Ausrichtung | {10-10} ± 5,0° | Grad |
| Primäre Flachlänge | Kerbe | |
| Risse (Inspektion mit Hochleistungslicht) | < 3 mm in radial | mm |
| Sechskantplatten (Hochintensitäts-Lichtprüfung) | Kumulative Fläche ≤ 5 % | % |
| Polytypenbereiche (Hochintensitäts-Lichtinspektion) | Kumulative Fläche ≤ 10 % | % |
| Mikrorohrdichte | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Kantenabsplitterung | 3 zulässig, jeweils ≤ 3 mm | mm |
| Notiz | Die Scheibendicke < 1 mm, > 70 % (ohne die beiden Enden) müssen die oben genannten Anforderungen erfüllen. |
Anwendungen
1. Prototyping und Forschung
Der 6-Zoll-4H-SiC-Ingot in Dummy-Qualität ist ein ideales Material für Prototypenbau und Forschung und ermöglicht Herstellern und Laboren Folgendes:
●Testen von Prozessparametern bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD).
●Entwicklung und Verfeinerung von Ätz-, Polier- und Wafer-Slicing-Techniken.
●Erforschen Sie neue Gerätedesigns, bevor Sie auf produktionsreife Materialien umsteigen.
2. Gerätekalibrierung und -prüfung
Die halbisolierenden Eigenschaften machen diesen Barren unentbehrlich für:
●Bewertung und Kalibrierung der elektrischen Eigenschaften von Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräten.
●Simulation von Betriebsbedingungen für MOSFETs, IGBTs oder Dioden in Testumgebungen.
●Dient als kostengünstiger Ersatz für hochreine Substrate in der frühen Entwicklungsphase.
3. Leistungselektronik
Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die große Bandlücke von 4H-SiC ermöglichen einen effizienten Betrieb in der Leistungselektronik, einschließlich:
●Hochspannungsnetzteile.
●Wechselrichter für Elektrofahrzeuge (EV).
●Erneuerbare Energiesysteme, wie z. B. Solarwechselrichter und Windkraftanlagen.
4. Hochfrequenzanwendungen (HF-Anwendungen)
Die geringen dielektrischen Verluste und die hohe Elektronenbeweglichkeit von 4H-SiC machen es geeignet für:
●HF-Verstärker und Transistoren in der Kommunikationsinfrastruktur.
●Hochfrequenz-Radarsysteme für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich.
●Drahtlose Netzwerkkomponenten für die neuen 5G-Technologien.
5. Strahlungsresistente Geräte
Aufgrund seiner inhärenten Beständigkeit gegenüber strahlungsinduzierten Defekten ist halbisolierendes 4H-SiC ideal geeignet für:
● Ausrüstung für die Weltraumforschung, einschließlich Satellitenelektronik und Stromversorgungssysteme.
●Strahlungsresistente Elektronik für die nukleare Überwachung und Steuerung.
●Verteidigungsanwendungen, die Robustheit in extremen Umgebungen erfordern.
6. Optoelektronik
Die optische Transparenz und die große Bandlücke von 4H-SiC ermöglichen dessen Einsatz in:
●UV-Fotodetektoren und Hochleistungs-LEDs.
●Prüfung optischer Beschichtungen und Oberflächenbehandlungen.
●Prototypentwicklung optischer Komponenten für fortschrittliche Sensoren.
Vorteile von Dummy-Material
Kosteneffizienz:
Die Dummy-Qualität ist eine kostengünstigere Alternative zu Forschungs- oder Produktionsmaterialien und eignet sich daher ideal für Routineprüfungen und Prozessoptimierungen.
Anpassbarkeit:
Konfigurierbare Abmessungen und Kristallorientierungen gewährleisten Kompatibilität mit einem breiten Anwendungsspektrum.
Skalierbarkeit:
Der Durchmesser von 6 Zoll entspricht den Industriestandards und ermöglicht eine nahtlose Skalierung hin zu Produktionsprozessen.
Robustheit:
Die hohe mechanische Festigkeit und thermische Stabilität machen den Rohling unter verschiedenen Versuchsbedingungen langlebig und zuverlässig.
Vielseitigkeit:
Geeignet für vielfältige Branchen, von Energiesystemen über Kommunikation bis hin zur Optoelektronik.
Abschluss
Der 6-Zoll-Siliziumkarbid-Halbisolator (4H-SiC) in Dummy-Qualität bietet eine zuverlässige und vielseitige Plattform für Forschung, Prototyping und Tests in zukunftsweisenden Technologiebereichen. Seine außergewöhnlichen thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften, kombiniert mit Wirtschaftlichkeit und Anpassbarkeit, machen ihn zu einem unverzichtbaren Material für Wissenschaft und Industrie. Von Leistungselektronik über HF-Systeme bis hin zu strahlungsresistenten Bauelementen unterstützt dieser Ingot Innovationen in jeder Entwicklungsphase.
Für detailliertere Spezifikationen oder um ein Angebot anzufordern, kontaktieren Sie uns bitte direkt. Unser technisches Team unterstützt Sie gerne mit maßgeschneiderten Lösungen, die Ihren Anforderungen entsprechen.
Detailliertes Diagramm
