6 Zoll Siliziumkarbid 4H-SiC halbisolierender Barren, Dummy-Qualität
Eigenschaften
1. Physikalische und strukturelle Eigenschaften
●Materialtyp: Siliziumkarbid (SiC)
●Polytyp: 4H-SiC, hexagonale Kristallstruktur
●Durchmesser: 6 Zoll (150 mm)
●Dicke: Konfigurierbar (5–15 mm typisch für Dummy-Qualität)
●Kristallorientierung:
oPrimär: [0001] (C-Ebene)
oSekundäre Optionen: 4° Off-Axis für optimiertes epitaktisches Wachstum
●Primäre flache Ausrichtung: (10-10) ± 5°
● Ausrichtung der Sekundärfläche: 90° gegen den Uhrzeigersinn von der Primärfläche ± 5°
2. Elektrische Eigenschaften
●Spezifischer Widerstand:
oHalbisolierend (>106^66 Ω·cm), ideal zur Minimierung der parasitären Kapazität.
●Dopingart:
oUnbeabsichtigt dotiert, was zu einem hohen elektrischen Widerstand und einer hohen Stabilität unter verschiedenen Betriebsbedingungen führt.
3. Thermische Eigenschaften
● Wärmeleitfähigkeit: 3,5–4,9 W/cm·K, ermöglicht eine effektive Wärmeableitung in Hochleistungssystemen.
● Wärmeausdehnungskoeffizient: 4,2 × 10−64,2 \times 10^{-6}4,2 × 10−6/K, wodurch Dimensionsstabilität bei der Hochtemperaturverarbeitung gewährleistet wird.
4. Optische Eigenschaften
●Bandlücke: Große Bandlücke von 3,26 eV, die einen Betrieb bei hohen Spannungen und Temperaturen ermöglicht.
●Transparenz: Hohe Transparenz für UV- und sichtbare Wellenlängen, nützlich für optoelektronische Tests.
5. Mechanische Eigenschaften
●Härte: Mohs-Skala 9, nur Diamanten sind besser, was Haltbarkeit während der Verarbeitung gewährleistet.
●Defektdichte:
oKontrolliert auf minimale Makrodefekte, um eine ausreichende Qualität für Dummy-Anwendungen sicherzustellen.
●Ebenheit: Gleichmäßigkeit mit Abweichungen
| Parameter | Details | Einheit |
| Grad | Dummy-Klasse | |
| Durchmesser | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Waferorientierung | Auf der Achse: <0001> ± 0,5° | Grad |
| Elektrischer Widerstand | > 1E5 | Ω·cm |
| Primäre flache Ausrichtung | {10-10} ± 5,0° | Grad |
| Primäre flache Länge | Kerbe | |
| Risse (Hochintensitätslichtprüfung) | < 3 mm radial | mm |
| Sechskantplatten (Inspektion mit hochintensivem Licht) | Kumulative Fläche ≤ 5 % | % |
| Polytypbereiche (Hochintensitätslichtprüfung) | Kumulative Fläche ≤ 10 % | % |
| Mikrorohrdichte | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Kantenabsplitterung | 3 zulässig, jeweils ≤ 3 mm | mm |
| Notiz | Scheibenwaferdicke < 1 mm, > 70 % (ohne zwei Enden) erfüllen die oben genannten Anforderungen |
Anwendungen
1. Prototyping und Forschung
Der 6-Zoll-4H-SiC-Block in Dummy-Qualität ist ein ideales Material für Prototyping und Forschung und ermöglicht Herstellern und Laboren:
●Testen Sie Prozessparameter bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) oder physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD).
●Ätz-, Polier- und Wafer-Schneidetechniken entwickeln und verfeinern.
●Erkunden Sie neue Gerätedesigns, bevor Sie auf produktionsreifes Material umsteigen.
2. Gerätekalibrierung und -prüfung
Die halbisolierenden Eigenschaften machen diesen Barren unschätzbar wertvoll für:
●Auswerten und Kalibrieren der elektrischen Eigenschaften von Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräten.
●Simulation von Betriebsbedingungen für MOSFETs, IGBTs oder Dioden in Testumgebungen.
●Dient als kostengünstiger Ersatz für hochreine Substrate in der frühen Entwicklungsphase.
3. Leistungselektronik
Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die großen Bandlückeneigenschaften von 4H-SiC ermöglichen einen effizienten Betrieb in der Leistungselektronik, darunter:
●Hochspannungsnetzteile.
● Wechselrichter für Elektrofahrzeuge (EV).
●Erneuerbare Energiesysteme wie Solarwechselrichter und Windturbinen.
4. Hochfrequenzanwendungen (RF)
Aufgrund der geringen dielektrischen Verluste und der hohen Elektronenbeweglichkeit eignet sich 4H-SiC für:
●HF-Verstärker und Transistoren in der Kommunikationsinfrastruktur.
●Hochfrequenzradarsysteme für Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen.
●Drahtlose Netzwerkkomponenten für aufkommende 5G-Technologien.
5. Strahlungsresistente Geräte
Aufgrund seiner inhärenten Beständigkeit gegen strahlungsinduzierte Defekte ist halbisolierendes 4H-SiC ideal für:
●Ausrüstung zur Weltraumerkundung, einschließlich Satellitenelektronik und Stromversorgungssysteme.
●Strahlungsgehärtete Elektronik für die nukleare Überwachung und Steuerung.
●Verteidigungsanwendungen, die Robustheit in extremen Umgebungen erfordern.
6. Optoelektronik
Die optische Transparenz und die große Bandlücke von 4H-SiC ermöglichen seinen Einsatz in:
●UV-Fotodetektoren und Hochleistungs-LEDs.
●Testen optischer Beschichtungen und Oberflächenbehandlungen.
●Prototyping optischer Komponenten für fortschrittliche Sensoren.
Vorteile von Dummy-Grade-Material
Kosteneffizienz:
Die Dummy-Qualität ist eine kostengünstigere Alternative zu Materialien in Forschungs- oder Produktionsqualität und eignet sich daher ideal für Routinetests und Prozessoptimierungen.
Anpassbarkeit:
Konfigurierbare Abmessungen und Kristallausrichtungen gewährleisten Kompatibilität mit einer breiten Palette von Anwendungen.
Skalierbarkeit:
Der Durchmesser von 6 Zoll entspricht den Industriestandards und ermöglicht eine nahtlose Skalierung auf Produktionsprozesse.
Robustheit:
Hohe mechanische Festigkeit und thermische Stabilität machen den Barren unter verschiedenen Versuchsbedingungen langlebig und zuverlässig.
Vielseitigkeit:
Geeignet für zahlreiche Branchen, von Energiesystemen bis hin zu Kommunikation und Optoelektronik.
Abschluss
Der 6-Zoll-Halbisolierblock aus Siliziumkarbid (4H-SiC) in Dummy-Qualität bietet eine zuverlässige und vielseitige Plattform für Forschung, Prototyping und Tests in Spitzentechnologiebereichen. Seine außergewöhnlichen thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften, kombiniert mit seiner Erschwinglichkeit und Anpassbarkeit, machen ihn zu einem unverzichtbaren Material für Wissenschaft und Industrie. Von Leistungselektronik über HF-Systeme bis hin zu strahlungsgehärteten Geräten unterstützt dieser Block Innovationen in jeder Entwicklungsphase.
Für detailliertere Spezifikationen oder ein Angebot kontaktieren Sie uns bitte direkt. Unser technisches Team unterstützt Sie gerne mit maßgeschneiderten Lösungen für Ihre Anforderungen.
Detailliertes Diagramm
